Способ определения химического состава и структуры металлов

Номер патента: 533890

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Курлович, Пыж

МПК: G01R 31/26

Метки: контактам, подкл, подключения, радиоэлементов, узла, чения, электродов

...соединена с рабочими контрольными контактами, а индикатор генерации, состоящий, например, из триггера сдиодом на одном из установочных входов и5 индикатора, соединенного с выходом триггера,магнитно связан с генератором.Схема предлагаемого устройства представлена на чертеже,Электрод 1 испытуемого транзистора 2 под 10 ключен к контактам 3, 4 узла подключения 5.Катушка индуктивности 6 магнитно связанас индуктивностью 7 автоколебательного генератора 8 и подключена к контактам 3, 4. Индикатор генерации 9 содержит катушку ин 15 дуктивности 10, связанную с индуктпвностью7, диод 11, триггер 12 и индикатор 13.Устройство работает следующим образом.Электрод 1 испытуемого прибора 2 замыкает рабочий контакт 3 с контрольным кон 20 тактом 4 узла...

Номер патента: 586407

Опубликовано: 30.12.1977

Авторы: Родный, Якерсон

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, структур, температуры

...импульсы анодного тока от генератора 2, От генератора 1 подаются импульсы на модулятор 10 че586407 ставитель Т. Дроздов Техред Л. Гладкова Корректор И. Позняковская дактор Н 1 зд.1 аказ 278 ираж 110 одписное пография, пр. Сапунова,рез блок задержки 7. В модуляторе 10 формируются импульсы для управления импульсной трехэлектродной рентгеновской трубкой 11, анодное напряжение на которую поступает от блока питания 9. Мощные кратковременные рентгеновские импульсы с анода трубки 11 через фильтр 12 и свинцовый коллиматор 13 попадают на р-и-р-и структуру со стороны катода 4. Глубина проникновения рентгеновских лучей для структуры с определенной глубиной залегания коллекторного р-и перехода и толщиной металлического покрытия регулируется...

Номер патента: 138148

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Шапошников

МПК: B63B 39/12, G01P 5/18

Метки: взятого, отдельно, прибор, пути, самоходного, состава, судов, толкаемого, тормозного

...изображен предлагаемый прибор, Он состоит из основания 1, на котором устанавливается шкала 2 тормозного пути, подвижного лимба 3 с ручкой и шкалами скоростей движения судна (состава) при различных водоизмещениях, вращающегося визира 4, выполненного из прозрачного материала, и корпуса 5, крепящегося винтами б к основанию прибора. Лимб и визир вращаются на общей оси 7.Чтобы определить тормозной путь с ибора, судоводитель, зная скорость движения и весовое в е судна (состава), выбирает соответствующую шкалу анесенных на лимбе.138148Под визирную линию подводится значение этой скорости движения судна (состава) и по указателю лимба на шкале тормозной путь читается значение тормозного пути. Установка визира в соозветствии со шкалой...

Номер патента: 480925

Опубликовано: 15.08.1975

Авторы: Завадский, Калашников, Карпова, Корнилов

МПК: G01K 7/01

Метки: полупроводниковой, структуры, температуры

...или ее малых отклонений.Известно использование полупроводниковых термисторов с отрицательным температурным коэффициентом для измерения температуры. Измерение температуры производится обычно на постоянном токе и точность измерения температуры в лучшем случае не превышает 5 10 - зС в интервале температур от 50 до +100 С,В ряде технических задач требуется измерять температуру по переменному сигналу и с гораздо большой точностью. Предлагаемый способ позволяет измерять температуру с высокой точностью в различных температурных интервалах по характеристикам переменного сигнала (величина, частота).Сущность изобретения заключается в использовании температурной зависимости частоты и величины синусоидальных колебаний в кремнии п - типа, у...

Номер патента: 989439

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Вишняков, Гласман, Жуков, Линник

МПК: G01N 27/30

Метки: ионоселективного, контактом, твердым, электрода

...на установкеУРМ,3,279,011. Не поднимая колпака,методом электроннолучевого испарениянаносится пленочный токоподвод притой жетемпературе соскоростью нанесения 25-35 нм/с втечение 600-700 секунд.Далее, после замены маски, в установке УВНУ 1 Пнаносится пленка ионочувствительной мембраны .АЯ:АцС 1методом взрывного" испарения с применением вибропитателя при вакууме(1,0-7,0)10 6 мм рт.ст температураподложки 120-150 С, скорость нанесе,ния 135-165 нм/с, время нанесения350-600 с.Приваркаи электроизоляцняосуществляются по примеру 1.П р и м е р 3 (вариант осуществления способа в приграничных областяхв сторону нижних пределов). На ситалловую подложку наносится пленочныйникелевый токоподвод с титановым подслоем по технологии, описанной в примере...