Раствор для травления пьезокерамики

Номер патента: 475429

Опубликовано: 30.06.1975

Авторы: Кольцов, Лебедев, Тюрин

МПК: C23F 1/04

Метки: железоокисных, раствор, слоев, травления

...компонентов в растворе таково, вес.%: ую стеклян юзоокисный сло П р и м е р. На полированпластинку напыляют желетолщиной -1000 А. Затемконфигурационного рисунка5железоокисный слой накладьтовую маску и осуществляютщишенного железоокисного сной температуре в растворе ени а н для изготов фотошабло вают фотор травление лоя при ко состава, вес0 т) стально вят из реактивов марки ЧДА ованной воде,вления железоокпсного слоя20 А - сек. Процесс травления ез 50 - 70 сек. Раствор гото иа бидистиллир Скорость тра 20 составляет 1 о -завершается че(криЧодистВода я кислотавес 1,19)е железосталлогидрат)ый калий 1 - 20 1 - 20 стально Растворение желез дит равномерно и не 25 ливанием копфпгурац Полученный фотош шим разрешением (ш высокой...

Номер патента: 1142531

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Гулько, Ермоленко, Козлов, Кондратович, Люблинер, Полонский, Смольская

МПК: C25D 21/16

Метки: меднения, электролита

...ванны равно 0,06 мин/л.П р и м е р 5. Получают АУТ с обгаром 34 мас,7 как в примере 2. Осуществляют фильтрацию электроли 35 та как в примере 1, но продолжительность очистки составляет 30 мин, соответственно отношение времени очистки к объему ванны равно 0,09 мин/л.П р и м е р 6. Получают АУТ с обгаром 34 мас.Х как в примере 2. Осуществляют фильтрацию электролита как в примере 1, но продолжительность очистки составляет 60 мин, соответственно отношение времени очистки к объему ванны равно 0,17 мин/ч.3П р и м е р 7. Получают АУТс обгаром 34 мас.Х как в примере 2. 50Из полученного образца сорбентавырезают фильтры в виде 60 кружков диаметром 220 мм с круглыми отверстиями в центре диаметром 60 мм. Общая масса фильтра составляет 55520 г....

Номер патента: 1305198

Опубликовано: 23.04.1987

Авторы: Жижина, Карлявина, Кузнецова, Разуваев, Эфрос

МПК: C25D 3/38

Метки: выравнивающая, добавка, меднения, пирофосфатных, электролитов

...мг/л 0,2-0,5Йодистый калий, мг/л 1-3Выравнивающаядобавка, мг/л Ь -Ьа1. = 1- --- 100,огде Ь - начальная глубина канавки40 (микроуглубления);Ь - толщина осажденного металла1(меди) в микроуглублении;Ь - толщина осажденного металлана ровной поверхности об 45 разца (на выступе) .Прочность сцепления медных покрытий с основой определяется согласноГОСТ 9,301-78 и ГОСТ 9.302-79 (термический метод, нагрев до 200+10 С50 в течение 1 ч) .Пористость медных покрытий опреде.ляется методом паст.Скорость осаждения медного покрытия и выход его по току определяются55 весовым методом. Толщина покрытийсоставляет 20-40 мкм,Рассеивающая способность электролитов определяется с помощью ячейкиХолла.3Кроющая способность электролитов оценивается по...

Номер патента: 1297523

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Нурмагомедов, Сафаралиев, Таиров, Цветков

МПК: C30B 23/02

Метки: sic)00100-00x(aln)00x, растворов, слоев, твердых, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)4-x(AlN)х сублимацией источника в атмосфере инертного газа при 1900 2100oС, отличающийся тем, что, с целью получения совершенных слоев заданного состава в интервале 0,35 0,9 и удешевления процесса, процесс ведут в контейнерах из карбида циркония, а в качестве источника используют поликристаллические спеки из SiC и AlN при следующем соотношении компонентов, мас.SiC 20 80AlN Остальное

Номер патента: 715610

Опубликовано: 15.02.1980

Авторы: Кегелес, Колмакова, Раснецова

МПК: C09K 13/06

Метки: железоокисных, слоев, состав, травления

...растворглюкозы и перемешивания раствора до полно.го ее растворения,Порядок операций при получении железоокисного микрорельефа на стекле следующий:нанесение фоторезиста, сушка, экспонирование,проявление, химическое травление через защит.ную маску фоторезиста, удаление фоторезиста.Для образования защитной маски используются как позитивные, так и негативныефотореэисты.Ниже приведены примеры использованияпредлагаемого травителя на пленках окислажелеза толщиной 0,3 мкм. Травление проводят при 18-20 С.Пример,Треххлористый титан,г 100Соляная кислота,с = 1,18 гсм 50Глицерин, Г 35Глюкоза, Г 2Темцература 18-20 С.Фоторезист ФП - 270 без термообработкипосле проявления.Скорость т 1 авления 0,520 мкм/мин,Пример 2.Треххлористый титан, г...