Буферный каскад
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 517085
Авторы: Деркач, Рева, Торчинский, Фролов
Текст
Саоэ СоветскихСоциалистическихРеслублик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДВТВЛЬСГВУ (61) Дополнительное к авт. свид.ву 3898/25 22) Заявлено 07.01,75 Кл, И 01 Ь 19/00 НОЗ К 19/О Гпеударстввннык кпмнте Сапата Мнпнптроп СССВ пп лваам нзпйрптвннй п пткрмтнй(71) Заявит БУФЕРНЫЙ КАСКАД с присоединением заявки(23) Приоритет 43) Опубликоваио 05.06 4 б) Дата опубликования Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в качестве буферного каскада в импульсных интегральных схемах, в частности, в схемах приборов с зарядовой связью (ПЗС).Известный буферный каскад, обладая высОкимвходным импедансом и низким выходным, позволяет согласовывать высокий выходной импеданс различных схем с низким импедансом нагрузки. Известны буферныекаскады на однотипных бйполяркьтх или МДП- транзисторах, . на комплементарных парах МДП-или биполярных транзисторов. Однако в ряде случаевболее удобны схемы, содержашие одновременно и биполярные н МДП транзисторы. В известном буферном каскаде использован эмиттерный повторитель на биполярном транэисторе, нагрузкой которого служит МДПтранэистор, Затвор МДП-транзистора соединен с шиной питания, на которую поданы 1 актовые импульсы, причем эмиттер биполярного транзистора присоединен к истоку МДЯгтранэистора. Недостатком этого устройства является потребление мощности во время подачи тактовых импульсов, что снижает экономичность схемы.цель изобретения ,повышение экономичности буферного каскада.Поставленная цель достигается тем, что в буферном каскаде, содержашем МДП-транзистор н биполярный транзистор, эмиттер. оторого соединен с истоком МДП-транзистора, затвор МДП-транзистора соединен с базой биполярного.На фиг. 1 приведена электрическая схема предложенного каскада; на фиг. 2 - реализация этой схемы на полупроводниковой подложке.Буферный каскад содержит биполярный транзистор 1 и МДП-транзистор 2. Коллектором биполярного транзистора является полуйроводниковая подложка 3, например, и типа проводимости, базой 4 - область р типа, эмиттером 5 - область тт -типа проводимости, Исток 6 и сток 7 образованы областями М -типа, между которыми на слое окисла 8 расположен затвор 9.517088,фце ИПИ Заказ 952/166 Тираж дписн филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул, П я,Исток МДП-транзистора соединен с эмиттером биполярного транзистора и с выходной шиной 10. Затвор МДП-транзистора соединен. с базой биполярного и с входной шиной 11, Ка сток МДП транзистора подано отрицатель-ное относительно подложки напряжение - Е.При подаче на.вход. импульса отрицательной полярности открывается канал транзисто ра 2 и емкость нагрузки заряжается до на- пряжейия ( О - ц ), где 6", - поро Е говое напряжение транзистора 2, илн до напряжения - . Мтесли Цех т фпи 1 При этом йереход эмиттер-база трайзистора 1 закрыт, и ток через этот транзистор .не течет.Йри уменьшении напряжения на входетранзистор 2 запирается, открывается нерелод эмиттер-база транзистора 1; емкость нагрузки разряжается эмиттерным током.. Таким образом, в любой момент времени открыт либо биполярный, либо МДП-трвнзис- еор и сквозной ток в их цепи отсутствует поэтому при работе иа емкостную нагрузку мощность рассеивается только в моменты переключения.Соединение базы биполярного транзистора с затвором МДП-транзистора позволяет резко повысить экономичность буферного каскада, не повышая его выходного импеданса, Тем самьщулучшается один из основных параметров интегральной схемы, в которой использован каскад: произведение быстродействия на рассеиваемую мощность. Реализация предложенного каскада не требует дополнительных технологических операций. формула изобретения Буферный каскад, содержащий МДП-транзистор и биполярный транзистор, эмиттеркоторого присоединен и истоку МДП-транзис-тора, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью повышения экономичности каскада,затвор МДП-транзистора присоединен к базебиполярного транзистора,
СмотретьЗаявка
2093898, 07.01.1975
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Х-5737
ДЕРКАЧ ЮРИЙ ПЕТРОВИЧ, РЕВА ВЛАДИМИР ПАВЛОВИЧ, ТОРЧИНСКИЙ АЛЕКСАНДР МИХАЙЛОВИЧ, ФРОЛОВ ОЛЕГ СЕРГЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01L 19/00
Опубликовано: 05.06.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-517085-bufernyjj-kaskad.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Буферный каскад</a>
Усилитель записи-считывания для запоминающего устройства на дополняющих мдп-транзисторах
Номер патента: 739643
Опубликовано: 05.06.1980
Авторы: Баранов, Герасимов, Кармазинский, Савостьянов
МПК: G11C 7/06
Метки: дополняющих, записи-считывания, запоминающего, мдп-транзисторах, усилитель, устройства
...транзисторы 9 и 10открыты, а транзисторы 5-8 закрыты, ина выходах усилитела поддерживаетса напряжение логического нуляВ режиме считывании транзисторы 7 20и 8 остаются закрытыми, Первоначальносигнал логического нуля подается на шину 13,запирая транзисторы 9 и 10. Узловые емкости на выходах триггера изолированы от источников питания и одна из них 25начинает заряжаться током считывания отвыбранной ячейки памяти, которая черездополнительные транзисторы в памяти подключена к выходам усилителя записи-считывания. После того как напряжение на 30одном из выходов усилителя превысит некоторую величину (разбаланс усилителя),на.вторую шину 1 4 управления подаетсясигнал логического нуля и открываютсянагрузочные транзисторы 5 и 6, После 35этогэ...
Ячейка памяти на мдп транзисторах
Номер патента: 968854
Опубликовано: 23.10.1982
Авторы: Иванисов, Павлов, Рыжов
МПК: G11C 11/40
Метки: мдп, памяти, транзисторах, ячейка
...напряжения. Если это усдовиенарушается, то, емкость между затвороми стоком, истоком существенно уменьшается. Таким образом, измерение напря:- жения на тактовой шине 7 будет передаваться на узловую емкость 10 толькодо тех пор, пока напряжение на тактовойшине 7 превышает напряжение на узловой .емкости 10, хотя бы на величину порогового напряжения, Поскольку в данном .случае на узловой емкости 10 запомнен40 уровень логической единицы, который незначительно отличается от уровня тактового импульса, то к емкостному делителю будет приложено небольшое изменение напряжения, равное разности между уров нями напряжения на тактовой шине 7 и уровнем логической единицы на узловой емкости 10. Это изменение напряжения вызовет изменение...
Усилитель-формирователь импульсов на мдп-транзисторах
Номер патента: 1018252
Опубликовано: 15.05.1983
МПК: H03K 19/08
Метки: импульсов, мдп-транзисторах, усилитель-формирователь
...35 инвертора соединен с затвором нагрузочного транзистора первого дополнительного инвертора, сток нагрузочного транзистора М -1)-го дополнительного инвертора соединен с затвором на грузочного .транзистора т)-го дополнительного инвертора. На чертеже приведена схема усилителя.-формирователя импульсов на ИДП- транзисторах.Устройство содержит усилитель- формирователь импульсов 1 с входной клеммой 2, включающий в себя инвертор на транэйсторе 3 с токостабили-. зирующей нагрузкой, выполненной на транзисторе 4 и дополнительном транзисторе 5, двухтактный усилитель-фор. мирователь на транзисторах 6 и 7, первый накопительный конденсатор 8,8 зарядный транзистор 9, второй нако" пительный конденсатор 10. Дополни" тельные инверторы с...
Дешифратор на мдп-транзисторах
Номер патента: 1203594
Опубликовано: 07.01.1986
Авторы: Ильюшенков, Макаров, Мещанов, Телицын
МПК: G11C 8/10
Метки: дешифратор, мдп-транзисторах
...6 связи выбранного элемента 1 дешифратора конденсатора 17 произойдет уменьшение напряжения на затворах транзисторов 6 связи на величину ЛЬ=-К(Е - Б.р.), где К - коэффициент деления смкостного делителя, а Е - 11 р - цацр, ение на затворах выходцы транзисгоров 8 в исходном состоянии. Коэффициент деления равен- суммарная емкость затвор-канал транзисторов 6 связи невыбранных элементов 1 дешифратора;- емкость затвор - канал транзистора 6 связи выбранного элемента дешифратора;-емкость конденсатора 17. При напряжении на затворах транзисторов о связи 1)(Е - (.;пор откроется транзистор 19 заряда и соединительная шина 16 дозарядится до уровня, равного Е в (1 .рЕмкость конденсатора 17 препятствует понижению напряжения на затворах...
Мостовой троичный триггер на мдп-транзисторах
Номер патента: 1298862
Опубликовано: 23.03.1987
Авторы: Богданович, Грель, Прохоренко
МПК: H03K 3/29
Метки: мдп-транзисторах, мостовой, триггер, троичный
...и третью 25 входные шины, девятый 26, десятый 27 одиннадцатый 28 идвенадцатый 29 транзисторы второготипа проводимости и нагрузку 30.Функциональное назначение входнойшины 22 - включать ток через нагрузку 30 от выходной шины 19 к выходнойшине 20, входной шины 24 - включать 40обратный ток через нагрузку 30, входной шины 25 - выключать ток черезнагрузку 30.Мостовой троичный триггер на МДПтранзисторах работаст следующим образом.Допустим, в первом устойчивомсостоянии все транзисторы, крометранзисторов 28 и 29, закрыты, нашинах 25, 22 и 24 низкие потенциалы, на шинах 19 и 20 потенциалы равны между собой и примерно равны половине напряжения питания, ток в нагрузке 30 отсутствует,Формула из обретения Мостовой троичный триггер на МДП-...
Предыдущий патент: Клещи для вывинчивания цоколей электрических ламп из патронов
Следующий патент: Центрифуга для нанесения покрытий
Случайный патент: Проволока для сварки открытой дугой