Усилитель-формирователь импульсов на мдп-транзисторах

,50 Н 1 /08 ОПИСАНИЕ ИЭОБРЕТЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ССПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(56) 1, Авторское свидетельство СССРн 525247, кл. н оз к 19/08, 17.о 4,74.(54)(57) УСИЛИТЕЛЬ-ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИИ.ПУЛЬСОВ НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ по авт.св. Мф 525247, о т л и ч а а щ и йс я тем, что, с целью увеличенияамплитуды выходных импульсов в неговведены идополнительных инверторов с токостабилизирующиии нагрузками, причем входы инверторов соедииены с входной виной, затворы и стоки затворных транзисторов дополни" тельных инверторов подклочены к амне питания, сток нагрузочного транзистора первого дополнительного инвертора подключен к затвору нагрузочного транзистора инвертора с токостабмли" зируоцей нагрузкой, сток нагрузочного транзистора второго дополнительного инвертора соединен с затворои нагру" зочного транзистора первого дополни" тельного инвертора, сток -нагрузочно" го транзистора (й)-го дополнителв" ного инвертора соединен с эатворои нагрузочного транзистора(И"2 )-го дополнительного инвертора.1 101825Изобретение относится к импульснойтехнике и может быть использовано вустройствах автоматики и вычислительной техники,По основному авт.св.525247.известен усилитель-Формирователь импульсов на ИДП-транзисторах, содержащий входной и выходной выводы, источник питания, инвертор с токостабилиэирующей нагрузкой, дополнительный 10транзистор, двухтактнцй усилительФормирователь, первый накопительныйконденсатор, зарядный транзистор,второй накопительный конденсатор 1(,Недостатком этого устройства является то, что максимальная амплитуда выходного импульса не превышаетудвоенного напряжения питания.Цель изобретения - повышение амплитуды выходных импульсов. Поставленная цель достигается тем, что в известный усилитель-Формирователь импульсов на ИЛП"транзисторах введены и" дополнительных инверторов с токостабилизирующими нагрузка 25 ми. причем входы инверторов соединены с входной шиной, затворы и стоки затворных транзисторов дополнительных инверторов подключены к шине питания, сток нагрузочного транзисто- З 0 ра первого дополнительного инвертора подключен к затвору нагрузочного транзистора инвертора с токостабилизирую" щей нагрузкой, сток нагрузачного транзистора второго дополнительного 35 инвертора соединен с затвором нагрузочного транзистора первого дополнительного инвертора, сток нагрузочного транзистора М -1)-го дополнительного инвертора соединен с затвором на грузочного .транзистора т)-го дополнительного инвертора. На чертеже приведена схема усилителя.-формирователя импульсов на ИДП- транзисторах.Устройство содержит усилитель- формирователь импульсов 1 с входной клеммой 2, включающий в себя инвертор на транэйсторе 3 с токостабили-. зирующей нагрузкой, выполненной на транзисторе 4 и дополнительном транзисторе 5, двухтактный усилитель-фор. мирователь на транзисторах 6 и 7, первый накопительный конденсатор 8,8 зарядный транзистор 9, второй нако" пительный конденсатор 10. Дополни" тельные инверторы с токостабилизирующими нагрузками, содержащие нагруэочные транзисторы 11,1-11 И -1, активные транзисторы 12.1 - 12 и -1, конденсаторы 13.1 - 13,й -1, затворные транзисторц 14.1 - 14(1- 1, усили"тель-формирователь содержит конденсатор 15. Устройство работает с ледующим образом,В исходном состоянии на вход подается нулевой потенциал. Конденса"тор 10 заряжается через транзистор 9до напряжения Е-Цо где Оо - пороговое напряжение МДП-транзистора, Приподаче на вход импульса открываютсятранзисторы 3 7, 12.1 - 12 И.На выходах устройства и на правойобкладке конденсатора 8 устанавливаются потенциалц, близкие к нулю,а на верхней обкладке конденсатора 10 напряжение возрастает доуровня, равного Ое х+ Е - "огде Ох - амплитуда входного импульса,Следовательно, конденсатор 8 заряжается до уровня Е, а конденсатор 15до уровня Е" Оо. На конденсаторах(циалы, равные Е-ОО. По окончании входного импульса транзисторы 3, 7, 12.1 - 12.иза,крываются. На выходах устройства потенциалц повышаются. При достижении потенциала, равного 1(о на первом выходе усилителя-формирователя открывается транзистор о и начийает повышаться потенциал на левой обкладке конденсатора 8. В установившемся ре- жиме транзистор 5 закрыт, так как на левой обкладке конденсатора 8 потенциал равен 2 Е, а на правой обклад- ке потенциал равен Е, на выходе уси" лителя-формирователяпотенциал ра" вен 2 Е. На левой обкладке конденсатора 15 потенциал равен 3 Е-О, следовательно, на втором выходе потенциал равен 3 Е-Ц. На левой обкладке конденсатора 13-1 потенциал равен Еследовательно, на третьем выходе потенциал равен 4 Е. Соответствен" но на четвертом виходе потенциал равен 5 ЕОр, а на выходе потенциал равен И+1) Е-Ь-,1)1 .Таким образом, при работе на активную нагрузку амплитуда импульсов на выходах устройст. ва равна Оу=(И+1) Е -(М.-1) 1-(о у где 0 - номер выхода..Е. Э 1018При работе на емкостную погрузкуамплитуда выходных импульсов равна ЦИ+4)Е-(и-Оо 3 ь-дс252 4где 4 - суммарная емкость гЬ-а 1 следовательно включенс ных конденсаторов 8,15, 13.1 - 13.И;С - емкость нагрузки.Таким образом, без применения дополнительных источников питания можно получить импульсы различной амплитуды, превышающие величину напряжения основного источника питания.