Резистивный материал

Номер патента: 706885

Опубликовано: 30.12.1979

Авторы: Колдашов, Красов, Могилева, Пуронене, Турчина, Шутова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...рутения 4,5 - 70Вольфрам 0,2 - 20Для получения резистивного материала были подготовлены три смеси компонентов, содержащие каждая, вес.%: двуокись рутения 55; 5; 50, порошок металлического вольфрама 20; 0,2; 10 и свинцовоборосиликатное стекло (РЮ 35., ВО 10, РО 15 АЮ О 5 ХО 5) 25; 94,8; 40.Каждую смесь тщательно перемешивают с органической связкой (ланолин), наносят на подложки из керамики 22 хСо и обжигают при температуре 850 С.70 8 с 1Полученные на основе этого матери- -"характеристики, представленные в тебала резисторы имеют элек грофизические лице. ТКС,10 1/ С Удельное сопротивление,Ом/ Выход годных,%+70 Составитель Ю. ГерасичкинРедактор Е, Караулова Техред 3, ФантаКорректор М, Шароан Заказ 8239/44 Тираж 923Подписное ЦНИИПИ...

Номер патента: 1119515

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Волкова, Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ для изготовления прецизионных тонкопленочных резисторов, содержащий хром, железо, алюминий и двуокись кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных резисторов с малой величиной ТКС в интервале от -60 до 125oС, он дополнительно содержит титан при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Хром 30 - 56Железо 5 - 20Алюминий 10 - 16Титан 3 - 10Двуокись кремния Остальное

Номер патента: 945908

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Воложинская, Карлов, Попова, Поташникова, Пчелина

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...36,96+50 Р Ь.1 л 0,42 ЕгО 2,1 0,42 ЬО Свинцово- алюмоборосиликатноестекло Остальное РЬ ВО И,38+30 РЬЬ 1,68 ЕгО 0,42 2,1 Ч 05 0,42 5 Ь 205 Свинцовоалюмоборо;силикатноестекло Остальное 3 Оксид ванадия НО Оксид сурьмы ЬЬО Свинцовоалюмоборосиликатное стекло Состав композиции,вес. Ф Н О 1 ь 9 БЬ 05 0,38 4В таблице представлены смеси для получения резистивного материала предлагаемого состава. Удельноеповерхностное сопротивлениеВ, Ом/О при -60 оС при +155 оС 68.000-100.000 68.000-100.000-68.000 09 2,25 0,45 Свинцово- алюмоборосиликатноестекло Остальное Свинцово- алюмоборосиликатноестекло Остальное П р и м е р , Токопроводящий материал и стекло измельчают и перемешивают с временной органической связкой. Пасту наносят на керамическое основание...

Номер патента: 924765

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Богаткова, Волкова, Гудков, Загинайло, Закс, Максимцова, Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: высокоомных, материал, резистивный, резисторов, тонкопленочных

...тем, 10 что резистивный материал для изготовления высокоомных тонкопленочных резисторов, включающий хром, железо, алюминий, смесь окислов кремния и алюминия дополнительно содержит окись 15 кадмия при следующем количественном соотношении компонентов, вес.Ф:Хром 12- 10Железо 1-10Алюминий 10-20 20Окись кадмия 2-15Смесь окисловкремния и алю"миния ОстальноеВводимая в предлагаемый резистив ный материал окись кадмия смещает Средние зна чения велиДиапазонполученных значений ТКС101/Со Алюминий Окиськадмия чин поверхностного сопротивлениярезистивныхпленок окисловкремнияи алюминия-10- +30 16 17 50 Как видно из таблицы,резистивный материал может быть использован при изготовлении высокоомных тонкопленочных резисторов с малым уровнем...

Номер патента: 960969

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Белицкая, Генесева, Калашников, Кучеренко

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, основе, резистивный, резисторов, толстопленочных

...-60 С АРО 5,48-6,44до + 125 С составляет не более 0,5%. Ь 10 5,34- 14,70 После выдержки толстопленочных резисто- ООЗ 15,13 16,50 ров в условиях относительной влажности в,о, 32,93-35,92 . воздуха 98% при + 40 С в течение 30 сут Кроме того, согласно спосооу изготов- уход номинальных значений сопротивления ления толстопленочных резисторов на ос составляет не более 1%, нове резистивного материала, включаюше- ТКС резисторов с удельным сопротивму нанесение на диэлектрическую подложку лением от 100 Ом/кВ до 100 кОм/кВ резистивной композиции с последующим в интервале температур от - 60 оС до вжиганием ее, отличается тем, что вжи- + 125 оС не хуже + 1101/град. ганне проводят при 630 - 640 С в тече-,15 Предлагаемое изобретение позволяето ние 8.-...