Многослойный материал

Номер патента: 921385

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Бабаджанов, Оксанич, Спектр, Тузовский, Шаповал

МПК: H01L 21/66

Метки: меры, образцовой, полупроводниковых, слоев, толщины

...низкая долгове ность меры, обусловлен н ая возмок ность ю от клеи вания пластины от подложки е процессе эксплуатации,ааеВЦелью изобретения является повышение точности воспроизведения толщины и долговечности образцовой меры.Цель достигается тем, что в известном способе изготовления образцовой меры толщины полупроводниковых слоев, основанном на шлифовке и полировке плас;ины из полупроводникового материала до получения номинальной толщины, пластину из921385 Техред М,Моргентал Редактор О. Юркова Корректор Т. Палий Заказ 4637 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 готавливают...

Номер патента: 1728648

Опубликовано: 23.04.1992

Автор: Стринадко

МПК: G01B 11/06

Метки: слоев, толщины, тонких

...временного сдвига Ь получим 10 21Ь= - п 3 - п з 1 п а, (7)ггде 1 - толщина пленки (слоя);с - скорость света в вакууме.Составим систему для двух углов паде ния а 1 иаг 2 т ц= -(8) где пс - показатель пр щей среды, в которой и ния.Решение системы уравн 25 дит к результатуЬ 11 С еломления окружаюроиэводятся измереия (8) привод,Ь п - Ь па ЗО пг=пТаким образом, зная временные задержки сигнала Ь 1 и Ьтгдлядвухугловоблучения а 1 и аг, а также показатель преломления окружающей среды пс. по формулам (9) находим толщину исследуемой пленки (слоя) и показатель преломления, Временная задержка Ь т определяется из диафрагмы (фиг,З) по экспериментально измеренной величине 4 О Ьм, определяющей частоту биений регистрируемого сигнала. На фиг.За...

Номер патента: 435916

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Аграновский, Особое, Фонд

МПК: B23Q 1/38, F15B 9/08, F16C 29/02

Метки: астатическогоуправления, гидростатической, замкнутой, непрямого, опоре, слояв, смазочного, толщиной

...подвижного узла 1. На ос новной направляющей расположена гидростатическая опора 2, а на дополнительной направляющей (планке) 3 - гидростатическая опора 4.От источника питания (на чертеже не пока зан) масло подается в опору 2 через золотник 5, а в опору 4 - через дроссель 6. Золотник 5 имеет ассиметричную конструкцию: площадь его левого торца больше правого. Обе торцовые камеры 7 и 8 соединены соответст венно с выходом и входом дросселя б. На рабочем пояске золотника 5 выполнена винтовая канавка для управления малым расходом масла.Устройство работает следующим образом.20 Золотник 5 находится в равновесии тольков том случае, если отношение давлений на выходе и на входе дросселя б равно отношению площадей правого и левого торцов...

Номер патента: 900149

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Бакашвили, Имерлишвили, Карсанидзе, Чхаидзе, Шварцман

МПК: G01M 13/04

Метки: слоя, смазочного, толщины, шарикоподшипниках

...нижнем диске, и механизм термостатирования и подачи масла в ванну. При этом в центре нижнего диска выполнено отверстие для слива масла.На чертеже изображена схема устройсства.На основании 1 смонтированы диски 2 5 и 3, которые с помощью валов 4 и 5 соединены с двигателями 6 и 7. Пружина 8 служит для создания нагрузки на шарики 9, расположенные между дисками 2 и 3 и сепаратором 10. На нижнем диске 2 установлена ванна 11 для масла. В диске 2 выполнено отверстие 12 для слива масла из ванны 11 в резервуар 13. Для подачи масла в ванну служат насос 14 и термостат 15. Для измерения толщины пленки масла служит устройство состоящее из источника света 16, ин терференционного фильтра 17, микроскопа 18 и телекамеры 19. Устройство работает следующим...

Номер патента: 1455786

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Ковтун, Полторацкий, Проценко

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, нарушенного, поверхности, слоя, толщины

...слоя. В качестве активного газа исг.альзуют газ из элементан, не нходягпих н состав .кристалла и потока, В процессе травления осушествляю; контроль степени дефектности структуры поверхности по концентрации активного газа на поверхности кристалла. За талпгиФ ну нарушенного слоя принимают толщину удаленного слоя, при каторгам концентрация составляет 107. ат первоначальной. Достигают точности апре- Саделения до 1 О А,Затем н камере откачивают вакуум и проводят травление кристалла патокам ионов аргсна с энергией 0,7 кэВ и плотностью тока 10 А см, В процессе травления осуществляют массспектрометрический контроль концрнрации кислорода нг поверхности кристалла и измеряют толцину удаленнго слоя, При тотнпине удаленного слоя, равной 80 А,...