Полупроводниковая линия задержки

Номер патента: 478430

Авторы: Ильчинский, Минин, Скоробогатов

ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е (1 ц 47 в 4 зсИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1) Дополнительное к а(22) Заявлено 27. 10.72 (21) 1841076/26-2 ОЗК 5/15 ОЗЬ 7/30 аявкиприсоединение сударственный комитетовета Министров СССРоо делам изобретенийи открытий(45) Дата опубликования описаиия 20,0(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ ислительможетпри разоров ими тель, выноторых кото- парае с ми ойкаскада, Однако в извеслиниях задержки олировки временной Белью изобретние диапазона рег Для этого рези ных полупроводниковь раничен диапазон рег задержки.ния является расширелировки задержки, торы в эмиттерных Изобретение относится к вычной и измерительной технике ибыть использовано, в частности,работке многоканальных генератпульсов наносекундного диапазона.Известны полупроводниковые лизадержки, состояшие из ес последоно соединенных сложных инверторовполненных на элементах транзистортранзисторной логики, каждый из ксодержит входной транзистор, включпо схеме с обшей базой, коллекторрого соединен с базой транзисторафазного каскада, выходной эмиттерныповторитель на составном транзистоключевым транзистором в качестветерной нагрузки, подсоединенный бак эмиттеру транзистора парафазног цепях транзисторов парафазных каскадоввсех инверторов подсоединены к обшейшине через общий резистор, который выполнен регулируемым.5 На чертеже приведена принципиальнаяэлектрическая схема линии задержки,Полупроводниковая линия задержкисодержит тт, последовательно соединенныхсдвоенных сложных инверторов, каждый 10 из которых содержит входной транзисторТ 1, включенный по схеме с обшей базой,коллектор которого соединен с базойтранзистора Т 2, образуюшего парафазныйкаскад. Выходной эмиттерный повторитель 1 а собран на составном транзисторе ТЗ сключевым транзистором Т 4 в качествеэмиттерной нагрузки, Резисторы К 1 содной стороны подключены к эмиттерамтранзисторов Т 2 и к базам транзисторов Т 4, а с другой - подключены черезобщий резистор К 2 к обшей шине питаия. Начальная минимальная задержкодного сигнала по отношению ж впределяетсч временем прохожденич ( счд . логики каждый из которых содержитвходной транзистор, включенный по схеме с обшей базой, коллектор которого соединен с базой транзистора парафазногокаскада выходной,эмиттерный повторитель на составном транзисторе с ключевым транзистором в качестве эмиттерной нагрузки, подсоединенным базой к эмит;- теру транзистора парафазного каскада, О о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, сцелью расширения диапазона регулировки задержки, резисторы в эмиттерных цепях транзисторов парафазных каскадов всех инверторов подсоединены к общей шине 15 через общий резистор. 2. Устройство по п. 1, о т л и ч а ю - ш е е с я тем, что общий резистор выполнен регулируемым. Пвр 3 ый инертор 1 пй 1 1 инРерлор 11 1О1 1 Составитель К, Г;линковаавтор А,ЗиньковскийТехрел И Карандашова КоРРект Гревц Тираж ОО огиитета Совета М .тепий и открытий1 эушскэи наб., 4 писное И Гост,тарственного быстров ССС о лсаэч иоб 1 осква, 1:035гк и прияти.Патент,квэ, Г,ь,;МП Зак, 3008 через Ч последовательно включенных сдвоенных инверторов при минимальном сопротивлении резистора К 2, При увеличении сопротивления резистора2 одновременно увеличивается время выключения транзисторов Т 4 всех инверторов и суммарная задержка линии возрастает.Сопротивление резисторов 1 1 берется таким, чтобы не допустить выход транзисторов Т 4 из насыщения во всем диапазоне изменения сопротивления резистора2. Предмет изобретения 1. Полупроводниковая линия задержки, состоящая из П последовательно соединенных сложных инверторов, выполненных на элементах транзисторнс транзисторной дРь1

Смотреть

Заявка

1841076, 27.10.1972

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-2892

ИЛЬЧИНСКИЙ ЕВГЕНИЙ СТЕПАНОВИЧ, СКОРОБОГАТОВ МИХАИЛ АЛЕКСАНДРОВИЧ, МИНИН ЕВГЕНИЙ СЕРГЕЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: H03K 5/153

Метки: задержки, линия, полупроводниковая

Опубликовано: 25.07.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-478430-poluprovodnikovaya-liniya-zaderzhki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковая линия задержки</a>

Похожие патенты