Триггер

Номер патента: 274157

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Красилев, Платонов

МПК: H03K 3/284

Метки: ждущий, мультивибратор, транзисторах

...2;Р - сопротивление перехода кол.лектор - эмиттер открытого транзистора 3.Время восстановления соответственно будет равно;=(4 - 5) = (4 - 5) (Яда+ Йэб.+ Йкв) Так как Рв+Лвб, Я 9 и Яв, (Л 9, то время восстановления предлагаемого мультивибратора будет значительно меньше, чем у известной схемы, принятой за прототип, т. е. Уменьшение времени восстановления позволило увеличить длительность импульсов при заданной величине периода следования Т запускающих импульсов и тем самым увеличить коэффициент заполнения у, получить на коллекторах обоих плеч схемы импульсы напряжений улучшенной формы, весьма близкой к прямоугольной, использовать коллектор транзистора 1 левого плеча схемы в качестве второго выхода одновибратора.Параметры элементов...

Номер патента: 601639

Опубликовано: 05.04.1978

Авторы: Казанцев, Фролов, Ширшов

МПК: G01R 31/27, G01R 31/28

Метки: диэлектрика, интегральных, мдп, обнаружения, подзатворного, пробоя, схемах, транзистора

...гальзанпческой связи между исследуемыми электрола:ш затвора; стока (истока) не является препятствием для ;рцмененпя данного способа, так как Определяется це абсолютная величина тока че)ез индикатор, а только его изменение. Отсутствие контактирования с затвором исключает поВреждение подзатворного диэлектрика прц контактировании и ооеопечивает неразрушаощий контроль.На чертеже показаны элементы интеральной схемы с подключенными источчиками питания и индикатором тока, поясняощие использование способа обнаружения пробоя подзатворного диэлектрика транзистора в МДП ИС согласно данному изобретению.МР)кду Выводасми легрова нцсй Ооластп стока (истока) 1 и тОдлоикп 2 исслелуемого МДП транзистора включен,пе;)вь:й цсточцитс питания 3, Затвор 4...

Номер патента: 1003695

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Мухин

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, резисторов, схем

...резистивные элементы шириной 32 мкм и длиной 180 мкм, Далее формируют фоторезистивную маску с использованием фоторезиста Ф П(с шириной окна 12 мкм, длиной 120 мкм), защищающую участки слоя поликристаллического кремния, прилегающие к боковым границам прямоугольных резистивных.элементов, и через фоторезистивную маску проводят ионную имплантацию богоа с энергией 40 кэВ и дозой 200 мкКул/см,Термообработку проводят при 1000 С в среде сухого кислорода в течение 30 мин и при 950 С в среде сухого и влажного кислорода в течение ЗО мин для отжига слоя поликристаллического кремния, активации примеси и формирования на поликремниевых элементах слоя защитной термической 30 г,В слое 50 г путем фотолитографии и травления вскрывают контактные...

Номер патента: 752277

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Довгалевский, Цымбал

МПК: G05F 1/56

Метки: высоковольтном, стабилизатор, транзисторе

...2 вызывает изменение тока через сопротивление утечки коллекторцого перехода. Этот ток выходит из базы транзистора 2 и протекает через измерительный резистор 5, изменяя падение напряжения на нем. При этом на входе схемы сравнения 1 выделяется сигнал ошибки. Усиленный сигнал ошибки подается на вход транзистора 2, который регулирует ток до первоначального значения.Схемы, приведенные на чертежах, не исчерпывают всех возможных вариантов построения стабилизатора, каждый из которых может иметь свои преимущества в конкретном случае.Например, когда нужно стабилизировать ток одной определенной величины в качестве отдельного источника питания схемы сравнения целесообразно использовать нелинейный элемент со свойствами стабилизатора...

Номер патента: 1001479

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Еремин, Федонин, Черняк

МПК: H03K 19/088

Метки: интегральная, логическая, схема

...10, включенного по схеме эмиттерного повторителя, При этом в базу транзистора 9 задается избыточный ток, обес-печивающий его быстрое включение, причем величина этого избыточного тока может быть весьма значительной и ограничивается, практически, лишь резистором 15, сопротивление которого выполняется небольшой величины.В начальный момент времени, когда транзистор 9 еще не включился, ток через диод 11 протекать не может и падение напряжейия на резисторах 1 и 12 примерно равны, Напряжение на базе транзистора 5 быстро снижается, что также способствует более быстрому включению выходного транзистора 9. Как только включится выходной транзистор 9, и на его коллекторе напряжение станет равным. падению напряжения на прямосмещенном р-п-переходе,...