Устройство для получения последовательно меняющихся изображений

Номер патента: 259742

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Иностранец, Иностранна, Соединенные

МПК: G03B 5/02

Метки: изображения, копировальных, оптическая, оригинала, пластину, проектирования, развертки, устройств, фоточувствительную

...перемещения между плоскостями оригинала и фоточувствительной пластины, расположенными параллельно друг другу. Оптическое устройство состоит цз объектива 1 ц двух плоских зеркал 2 ц 3, образующих прямой двугранньш угол, Объектив выполнен в виде сегмента двояковыпуклой лцц 5 зы, который монтируется на обоих зеркалахтак, что его оптическая ось совпадает с ребром двугранцо;о угла,Оптическая система копировальных устройств состоит из ряда оптических устроцств,10 установленых с возможностью перемещенияприводныхт реверсивным устройством 4 между паргллельнымц плоскостями орип 1 нала 5 ифоточувствительной пластины 6. Оптическиеустройства монтцртчотся в рамке 7 в два па 15 раллельных ряда, причем второй ряд смещенна половину расстояния между...

Номер патента: 398067

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Герхарт, Иностранцы, Пауль

МПК: H01L 21/027

Метки: пластины, полупроводниковой, рисунка, рисунком, совмещения, фотошаблона

...и полупроводниковой пластиной 5 образуется зазор, равный высоте базового выступа эталона.На фиг. 1 представлено устройство длясовмещения,и экспонирования, общий вид; на фиг. 2 - устройство для совмещения, реали О зующее предложенный способ; ца фиг. 3, 4показано положение элементов устройства для совмещения вмомецты установки полупроводниковой пластины по эталону и установки в рабочем положении фотошаблона.15 Параллельность между полупроводццковой пластиной 1 и фотошаблоном 2 обеспечивается юст 11 ровкой пластины Относительно эталона 3. После поджима пластины к э.ало ну ее закрепляют в этом положении, смещают 20 эталон, а а его место устанавливают фотошаблон. При этом фотошаслсн устанавливается параллельно над цолуцровод 1 гцковой...

Номер патента: 1357904

Опубликовано: 07.12.1987

Авторы: Кирейтов, Лаврентьев, Хоцкин

МПК: G02B 27/22

Метки: изображения, некогерентном, объемного, поверхности, предметной, свете, формирования

...способа вчасти проекциистереотройки.Для реализации предлагаемого способа прежде всего обеспечивают распределение полутонов предметной поверхности путем ее освещения в случае необходимости с помощью дополни.тельного источника, причем распределение полутонов должно быть переменнымпо площади поверхности (например,должны отсутствовать заметные участки постоянной освещенности 1. Затемпредметную поверхность фотографируютиз трех точек пространства, не лежащих на одной прямой. Далее проецируютна единый экран 1 все три полученныхизображения 2, причем направленияпроекции ориентируют идентично направлениям фоторегистрации. При проекции используют источники 3 некогерентного света трех основных цветовкрасного, синего, зеленого (для...

Номер патента: 1340492

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Воронков, Енишерлова-Вельяшева, Мильвидский, Резник, Русак, Шмелева

МПК: H01L 21/304, H01L 21/322

Метки: геттерирующими, кремниевых, объеме, пластин, пластины, центрами

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН С ГЕТТЕРИРУЮЩИМИ ЦЕНТРАМИ В ОБЪЕМЕ ПЛАСТИНЫ, включающий проведение двухступенчатого отжига при температурах в диапазоне 650 750oС и 950 1050oС в течение 3 4 ч на каждой стадии, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для кремния с содержанием кислорода 5 1015 9 1017 см-3, перед отжигом при 950 1050oС с обеих сторон пластины механической обработкой создают приповерхностные области, состоящие из системы микротрещин, произвольно направленных и...

Номер патента: 1499627

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Антонова, Воронков, Енишерлова-Вельяшева, Куц, Мильвидский, Резник, Русак, Шмелева

МПК: H01L 21/322

Метки: геттерирующими, кремниевых, объеме, пластин, пластины, центрами

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН С ГЕТТЕРИРУЮЩИМИ ЦЕНТРАМИ В ОБЪЕМЕ ПЛАСТИНЫ, включающий отжиг в окислительной атмосфере при 1100 - 1200oС в течение 2 - 3 ч и двухступенчатый отжиг в инертной среде при 700 - 750oС в течение 4 - 6 ч и при 1000 - 1050oС, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности геттерирования независимо от содержания кислорода в кремнии, отжиг при 1100 - 1200oС проводят в атмосфере сухого кислорода с хлорсодержащими добавками при содержании активного хлора 0,3 - 1% от содержания кислорода, после отжига в окислительной среде проводят дополнительный отжиг при 430 - 450oС, причем продолжительность отжигов при 430 - 450oС и 1000 -...