Диэлектрический материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
НИЕ ОПИСАИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Реслублик(51) М. вкисоединением 3) Приоритет Государственный комитет Совета Жинистров СССР ло делам изобретенийи открытий Опбликовано 25,12.74 Бюллетень47исания 21.05,75 621,396.6-181(54) ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ е относится к радиоэлектронике, к технологии диэлектриков для СВЧ-схем, используемых в микДлячедую ого компонентем соотношенииСаОЧгОз материалатол,%:47,8 - 48,19,6 - 9,718,8 - 19,023,4 - 23,6 ерут в е.и ферритовых материалов с паслектрическими материалами обожки для интегральных схем, гараметры которых позволяют обесикроминиатюризацию, улучшение устройств на их основе. Т 1 О Рег В качестве исходных компонентов используют СаСОз, РегОз, Чг 05, Т 10 г, которые навешиваются в заданном соотношении, проходят операцию вибропомола и смешение в вибромельнице в течение двух часов, после чего следует предварительный обжиг в капселях в течение четырех часов при 1100 С, затем вибропомол и смешивание в вибромельнице; формование образцов заданной формы производят методом прессования при удельном давлении 1,5 Т/смг с добавкой пластификатора - 10%-ного водного раствора поливинилового спирта,ченныи на 10 г - РегО й шириной са в ин Известен материал, полу системы СаО - УгОз - Т рый характеризуется мало ферромагнитного резонан 77 - 4,2 К.Однако известный матер ся значительным коэфф включающим в себя не т ские потери, но и магнитнь спекании известного диэле вым материалом той же с стыковки является механи при охлаждении и многокр ровании в интервале темп снове которивой рвале 15 иал характеризуетициентом потерь, олько диэлектричете. Кроме того, при 20 ктрика с ферритоистемы, граница их чески неустойчивой атном термоциклиератур 298 - 80 К. 25 Спрессованные образ 1250 С с выдержкой в т дующим свободным охл кания полученные загот ханическую обработку,цы спекаются при ечение 10 час и послеаждением. После спеовки постпают на меЦелью изобретения является ул электрических свойств материала, возможности спекания его без с ферритовым материалом той же чшение дибеспечения агрязнения истемы. 30 Контроль диэлектрических параметров прозводят на специальной установке резонаторым методом на частоте /=9365 Мгц в дпапаИзобретенив частностиинтегральныхроэлектроникКомпозицисивными диэразуют. подлбариты и папечивать мпараметров 1 Ц 4490454 б 90 Предмет изобретения Составитель 3. Гилинская Техред Т. Миронова Корректор А, Степанова Редактор А, Зиньковский Заказ 892/10 Изд Мо 361 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 зоне температур 130 - 293 К. Полученные материалы обладают следующими параметрами при Т= 130 К; диэлектрическая проницаемость в=9,8, 1 дб (5 10 - 4. Проведенные исследования диэлектрических свойств группы материалов в системе СаО - ЪОз - Т 10 - Ге 203 показали, что получение диэлектрического материала с малыми значениями дб, с заданной величиной в возможно лишь при указанном выше соотношении исходных компонентов. Увеличение других немагнитных компонентов шихты (СаСОз, 720 а) не позволяет получить диэлектрические материалы, а лишь ухудшает магнитные свойства ферритов. Введение указанного количества ТЮ в исходную шихту приводило к разложению твердого раствора, образующего магнитную структуру. Диэлектрический материал на основе системы СаО - 720 в - ТЮ 2 - ГеОз, преимуще ственно для изготовления подложек криоэлектронных интегральных СВЧ-схем, содержащих элементы из ферритового материала, отлич а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения диэлектрических свойств материала, обеспече ния возможности спекания его без загрязнения с ферритовым материалом той же системы, его компоненты взяты в следующем соотношении, мол.%:СаО 47,8 - 48,115 Ч 20 в 9,6 - 9,7Т 102 18,8 - 19,0 РеОз 23,4 - 23,6.
СмотретьЗаявка
1820998, 21.08.1972
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6028
АЛФЕЕВ ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ, ШАМРИН ВАСИЛИЙ МИХАЙЛОВИЧ, БИТИНЬШ АНАТОЛИЙ СТАНИСЛАВОВИЧ, РУБИНОВА ЕЛЕНА АРКАДЬЕВНА, БЕЛИК ЛИДИЯ СЕРГЕЕВНА, СВЕРБИЙ НИКОЛАЙ АНДРЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01B 3/10
Метки: диэлектрический, материал
Опубликовано: 25.12.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-454590-diehlektricheskijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Диэлектрический материал</a>
Диэлектрический керамический материал
Номер патента: 789459
Опубликовано: 23.12.1980
Авторы: Желнинская, Клейне, Сергеева, Фрейденфельд, Фреймане
МПК: C04B 35/491
Метки: диэлектрический, керамический, материал
...стекло. Смешивание и по.мол материалов производят в течение4- 6 ч. После сушки из материала прессуют образцы в виде дисков диаметром10 или,13 мм, в качестве связки используют 5-ный водный раствор поливинилового спирта. Спекание образцовпроводят в течение 1 ч при 950-1130 ОС ов зависимости от концентрации введенного стекла. После шлифования на образцы вакуумным напылением наносяталюминиевые электроды и проводят соответствующие измерения электрофизичеАих свойств конденсаторной керамики.П р и м е р 1. Состав керамики,масс В: РЬО 56 О; 5 гО 2 О; 2 гО 17,0 фТ 100 8,5; В 0 1,0; ЧО 0,5; стекло15,0. Стекло содержит, масс.Ъ: РЬО 4050 р В 10 Ь 5; 5 гО 5; В 020; 510 20,Материал изготавливается по описаннойтехнологической схеме,Полученная...
Способ разрушения зернистого материала с магнитными компонентами и устройство для его осуществления
Номер патента: 1583170
Опубликовано: 07.08.1990
Авторы: Ворончихин, Первухин, Хопунов
МПК: B02C 19/18
Метки: зернистого, компонентами, магнитными, разрушения
....поля может быть гармоническим, соответствовать синусоидальному закону,Работа устройства в том случае,3 О когда используются источники переменного магнитного поля 5 (импульсного или комбинированного), когда частота этого поля превышает частотудвижения рабочих органов 2 (частотуциклов) аналогична описанной ранее,что следует из сравнения циклов деформирования (фиг. 6) и напряженности переменного магнитного поля(фиг. 8).4 О Рабочие органы 2 устройства могутбыть выполнены в виде щек, валков,конусной чаши или конуса, в зависимости от .применяемого для разрушения оборудования., 45 Способ и устройство проверены влабораторных условиях, Материаломдля разрушения служила железная рудакрупностью -12+8 мм, с массовой долей железа в ней...
Установка для приготовления материалов из жидких и сыпучих компонентов
Номер патента: 1673197
Опубликовано: 30.08.1991
Авторы: Андреев, Корнилов, Максимов, Матвеев, Носков, Самойленко
МПК: B01F 15/04
Метки: жидких, компонентов, приготовления, сыпучих
...расстояние по горизонтали между ближайшими точками отверстия патрубков с больше расстояния в между пластинами 18.Установка работает следующим образом.Производится загрузка вакуумного накопителя 12, Для этого приемное устройство 14 помещают в транспортную тару 15 с сыпучим материалом, Под воздействием разрежения происходит заполнение вакуумного накопителя. Нагнетатели 3 и 4 погружают в расходные емкости 1 и 2, в которых находятся исходные жидкие компоненты,Нагнетателями производится наполнение всасывающих полостей плунжерных насосов 5 и 6 дозатора 7. Дозатор 7, совершая возвратно-поступательные перемещения, осуществляет с помощью плунжерных насосов 5 и 6 подачу жидких компонентов в заданном соотношении в смеситель 8, в который...
Сегнетокерамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью
Номер патента: 654581
Опубликовано: 30.03.1979
МПК: C04B 35/468, H01G 4/12
Метки: высокой, диэлектрической, материал, проницаемостью, сегнетокерамический
...описываемого материала приготавливают смесь компонентов в необходимых соотношениях изпредварительно синтезированных спеков ВаТ 1 ОЭ, Ваго э и МдНЬ ОСмесь спеков измельчают до удельной поверхности 5 - 7 10 3 см /г, Полу 2ченную массу пластифицируют известными методами. Формуют в изделия ио,обжигают при температуре 1340-1370 Св течение 1,5-3 ч.Примеры конкретных составов предлагаемого материала и их свойства даны в таблице,Сегнетокерамический материал, имеющий состав, вес.Ъ: ВаТ 10 Э 85,Ва 1 гО э 14, Мо МЬ Ов 1, характеризуется следующимй свойствами:Диэлектрическая проницае-.мостьОтносительное изменение со 8 5 при температуре +85 С,Относительное изменение Епри температуре -40 С, Ъ 90й654 581 Относительное изменениереверсивной Я, Ъ 33 О,...
Способ измерения содержания металлического компонента во влажных мелкодисперсных материалах
Номер патента: 702284
Опубликовано: 05.12.1979
Авторы: Галушкин, Дейч, Кричевский, Шипулин
МПК: G01N 25/18
Метки: влажных, компонента, материалах, мелкодисперсных, металлического, содержания
...(выражение 1), независимо от теплоемкости контролируе-. мой среды. Следовательно, А- есть функция только процентного содержании 5 7022 больших влажностей излишек воды выливается через зазор между стенками кюветы и корпусом датчика (фиг. 2). Таким образом, в любом случае после уплотнения объемная влажность пробы будет постоянной.После уплотнения подключается источник постоянной мощности к плоскому нагревателю и измеряется избыточная температура материала. в плоскости сдавливания. На графике изменения избыточной температуры материала во времени Т =(С прослеживаются два участка: ирре-игулярный режим - участок крйвой АБ;15 регулярный режим - участок кривой БС.В регулярном режиме кривая Т = У(С)1 асимитотически приближается к прямой К с...
Предыдущий патент: Запоминающее устройство с автономным контролем
Следующий патент: Зажим для крепления провода
Случайный патент: Модифицирующая смесь