Есйн

Номер патента: 300817

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бёлоба, Гуйдырёв, Есйн

МПК: G01N 23/207

Метки: акционнь1хтопограмм, дифгlt, рентгеновских

...- кристалл - пленка,На фиг. 1 и 2 изображена геометрия съемки монокристалла на отражение и просвет.Из точечного источника немонохроматизированного рентгеновского излучения 1 на кристалл 2 падает пучок расходящихся лучей, которые отражаются на пленку 3, расположенную параллельно поверхности кристалла, В случае съемки на отражение кристаллографическая плоскость должна совпадать (быть параллельной) с поверхностью кристалла; при съемке на прохождение отражающая плоскость должна располагаться перпендикулярно поверхности кристалла. 50 55 60 65 Первоначальное положение кристалла 2 и пленки 3 показано линиями АВ и О,А соответственно. Полояение кристалла и пленки в произвольно выбранный момент съемки показано линиями АВ иО; А; . Стрелки...