Детектор тяжелых заряженных частиц
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 438955
Авторы: Диков, Отгонсурен, Перелыгин
Текст
Союз Советских Социалистических Республик(32) ПриоритетОпубликовано 05,08.74, Бюллетень29Дата опубликования описания 13.01,75 1,0 51) М, Кл. сударствеииый комите авета Мимистров СССР по делам иэобретеиийи открытий(72) Авторы изобретения В. П. Перелыги ых исследовани Ю, П. Диков, О. Отгонсу Объединенный институт 1) Заявитель(54) ДЕТЕКТОР ЛЫХ 3 ЕННЫХ ЧАСТИ С целью у тяжелых зар детекторе чу из стронциев тасиликат ст лярных конц Изобретение относится к приборам экспериментальной физики. Оно может быть использовано в ядерной физике и физике твердого тела для регистрации тяжелых заряженных частиц, например осколков деления, ионов, элементов, имеющих г)30, в условиях фона бомбардирующих частиц вплоть до ионов цинка,Наиболее низкочувствительными диэлектрическими материалами являются, природные минералы - топаз, оливин, пироксены. Порог регистрации этих минералов ограничен областью ядер кальция - титана (атомный номер г=20 - ;22). Однако использование природных минералов при физических исследованиях существенно затруднено из-за их малых размеров, наличия макро- и микронеоднородностей, дефектов структуры (капилляры, дислокаций), необходимости устранения фона следов осколков деления ядер урана за геологические промежутки времени, а также из-за необходимости производить полировку кристаллов. В случае создания искусственных кристаллов предъявляются высокие требования к аппаратуре, чистоте веществ и контролю процесса роста кристаллов.Кроме того, в результате, развития техники ускорения тяжелых ионов были получены более тяжелые ионы, чем ионы кальция - титана. величения порога ретистрации яженных частиц в предложенно вствительный элемент выполнен ого стекла, содержащего диме ронция и магния в равных мо ентрациях В стронциевом стекле ионы вплоть до серыи аргона не регистрируются во всем диапазо не удельных ионизаций, создаваемых этимичастицами, Ионы цинка не создают в этом стекле следов при энергии 5,8 - 6 Мэв на нуклон; следы начинают выявляться при энергии 5,5 Мэв на нуклон. При дальнейшем уменьшс нии энергии диаметры следов ионов цинка линейно растут с увеличением удельных потерь энергии этих частиц.Однако даже в области максимальной иоьизации диаметры следов ионов цинка состав ляют лишь 50 - 60 % от среднего диаметраследов осколков деления 244 Ст. Таким образом, стронциевое стекло позволяет дискриминировать следы осколков деления в условиях фона заряженных частиц до ионов цинка.25 Стронциевое стекло существенно расширяетвозможности физических исследований, например, становится возможным определение времени жизни составных ядер, образованных при взаимодействии ионов от серы (г=16) 30 до цинка (г=30) методом эффекта теней.438955 Предмет изобретения Составитель О. Цаллагова Техред 3. Тараненко Корректор Н. Лебедева Редактор Т, Орловская Заказ 3595/14 Изд. И 151 Тираж 678 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 Это стекло позволяет регистрировать осколки спонтанного деления трансурановых ядер в условиях фона бомбардирующих частиц вплоть до ионов цинка. Сгронциевое стекло может быть применено для регистрации остановок ядер первичного космического излучения в области г) 30 вплоть до ядер урана и гипотетических далеких тр ансур а новых элементов. Детектор тяжелых заряженных частиц, содержащий чувствительный элемент, выполненный из диэлектрического материала, о т л ич а ю щи йс я тем, что, с целью увеличения порога регистрации, чувствительный элемент выполнен из стронциевого стекла, содержащего диметасиликат стронция и матния в равных 10 молярных концентрациях.
СмотретьЗаявка
1930271, 15.06.1973
ОБЪЕДИНЕННЫЙ ИНСТИТУТ ЯДЕРНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
ДИКОВ Ю. П, ОТГОНСУРЕН О, ПЕРЕЛЫГИН В. П
МПК / Метки
МПК: G01T 1/00
Метки: детектор, заряженных, тяжелых, частиц
Опубликовано: 05.08.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-438955-detektor-tyazhelykh-zaryazhennykh-chastic.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Детектор тяжелых заряженных частиц</a>
Способ очистки растворимых солей цинка и кадмия от примесей следов других металлов для изготовления люминофоров
Номер патента: 105942
Опубликовано: 01.01.1957
Авторы: Гапон, Метцлер, Рабинович, Струков, Струкова, Усатова
МПК: C01G 11/00, C01G 9/00
Метки: других, кадмия, люминофоров, металлов, примесей, растворимых, следов, солей, цинка
...о тличающийся тем, что, с целью ускорения и упрощения процесса, очистку солей цинка и кадмия осуществляют фильтрацией водных растворов этих солей через адсорбционную колонку с насадкой, верхний слой которой состоит из смеси угля с диметилглиоксимом и нижний слой из чистого угля.Описываемый спосоо является более простым, число хроматографических колонок уменьшено, и может быть распространен на очистку солей цинка.Особенность способа состоит в том, что раствор очищенных солей цинка и кадмия последовательно пропускают через колонку с катионитом и колонку с диметилглиоксимом, смешанным с активированным углем.Для осуществления способа водный расвор солей цинка.и кадмия, содержащих примеси железа, меди,никеля и других элементов,...
Способ вторично-ионной масс-спектрометрии твердого тела
Номер патента: 708794
Опубликовано: 15.11.1986
Авторы: Арифов, Джемилев, Курбанов
МПК: G01N 27/62, H01J 49/26
Метки: вторично-ионной, масс-спектрометрии, твердого, тела
...элемента пропорционально амплитуде вторичногоионного тока.На фиг. 4 показана зависимостьраспределения по тощине слоев литияс эквивалентной толщиной 0,35, 0,72 40и 1,3 монослоя от времени бомбардировки ионами неона с энергией 13 кэВи плотностью тока на мишень 0,5х 0, 109 А/см . 1 ак видно,для представ-ленных кривых характерно экспоненци-. 45альное уменьшение интенсивности ионов 1 Эти результаты свидетельствуют о том, что осажденный слой лития присутствует только на поверхности пленки меди. Особенно это хорошо наблюдается для слоя с эквивалентной толщиной 0,35 монослоя. Однако дпя кривых 11 и 111 (эквивалентнаятолщина 0,72 и 1,3 монослоя) выходионов перестает меняться приблизительно после 200 и 340 с бомбардиров.ки соответственно,...
Способ и устройство для получения вторично-эмиссионного изображения
Номер патента: 1088089
Опубликовано: 23.04.1984
Авторы: Григоров, Зорин, Решин
МПК: H01J 37/28
Метки: вторично-эмиссионного, изображения
...кадра, выход блока управления считыванием35 Регистрация изображения осуществляется следующим образом.Задающий генератор 10 вырабатывает последовательность импульсов с соединен с вторым входом блока памяти кадра.Устройство снабжено сумматором, к входам которого подключены выход блока памяти кадра и выход интегратора, а его выход соединен с третьим входом блока памяти кадра.На фиг. представлена блок-схема устройства, на фиг.2 - временные диаграммы, поясняющие операции споО соба..Устройство для получения вторично"эмиссионного изображения содержит источник 1 первичного пучка, откло" няющие пластины 2 и 3, образующие отклоняющую систему (ОС), объект 4, анализатор 5 вторичных частиц и приемник 6 вторичных частиц, блок 7 прерывания первичного...
Способ получения пучка ионов
Номер патента: 1829742
Опубликовано: 10.02.1996
Авторы: Кузьмин, Муксунов, Никифоров, Петров, Староверов, Хрипунов, Шапкин
МПК: H01J 27/02
...при протекании радиального тока, Как уже отмечалось, плазменные электроны при протекании радиального тока свободно двигаются вдоль магнитного поля на электроды с положительным потенциалом со скоростью Че Возможна ситуация, когда скорость направленного движения электронов Ч, и ревышает скорость ионного звука в плазме С,:ЧеС,. Указанное соотношение есть условие возникновения е плазме ионно-звуковой неустойчивости, при которой энергия направленного движения электронов интенсивно трансформируется е тепловую, то есть, происходит нагрев плазл 1 ы и дополнительная ионизация вещества. Оценки показывают, что е зависимости от параметров плазмы, рабочего вещества и геометрии электродов с положительным потенциалом ионно-звуковая неустойчивость...
Способ анализа ионов в квадрупольном масс-спектрометре
Номер патента: 1316060
Опубликовано: 07.06.1987
Авторы: Аверина, Маишев, Митрофанов
МПК: H01J 49/34
Метки: анализа, ионов, квадрупольном, масс-спектрометре
...подается ца полеобразующие электроды 5 фильтра масс, от источника 13 питания ступенчато подают дополнительное тормозящее напряжение У , причем время, в течение которого тормозящее напряжение поддерживают пос- тояцным мин13 о м = сопяс с К .о 5 131 бОо. - частота ВЧ-напряжения,рад/с;Т - время, с;регистрируют зависимость ионного тока от времени,определяют ио графику зависимости ионного тока от времени время развертки одного цикла группы ионов с одним массовым числом 7 м время полного цикла развертки То , диапазон массовых чисел устройства и исследуемого потока ионов, кроме того, определяют наличие фона. Если фон есть, значит есть ионы с энергиями более энергии отклоняющего поля фильтра масс 15 бО бинтервал изменений величины...
Предыдущий патент: Устройство для формирования круговой развертки и электронного визира
Следующий патент: Альфа-датчик для проверки детектора ядерных излучений и электронного тракта
Случайный патент: Пескомет для изготовления литейных форм