Датчик диэлектрической проницаемости
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ИВтамтно-техиичеснааоцща МЬФ,ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ р 437956 Союз СоветскихСоциал исти цескихРеспублик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ) 1853400/26 аявлено 06,12.7 с присоединением заявки Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий(088.8) Бюллетень28 Дата опубликования описания 09,01.7. Саяпин и Е. А. Мокров аявитель 54) ДАТЧИК ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТ ядного циалам на- промеи пров газоразр тными потен и перемени рез емкостьм прибором 20 Потенциалы элек прибора определяют ми окружающей пл пряжением, наведенн жутка между газора 25 водящей пластиной,Местные потенциа тродов не равны, в чии в лампе тлеющ проводников 9 и 10 30 ставляющая напряжтродо я мес азмы ым че ряднь азмы около элекате чего при нализряда на выводах ает постоянная соПеременная сосгавлы п резуль его р возни ения. Изобретение относится к области измерительной техники и может использоваться вустройствах, предназначенных для контроляжидких, газообразных или твердых диэлектриков,Известны датчики диэлектрической проницаемости емкостного типа, состоящие из двухпроводящих пластин. Выходной сигнал емкостных датчиков представляет собой переменное напряжение, что в ряде случаев имеетнеудобства, а именно влияние емкости соединительной линии на величину полезного сигнала и необходимость иметь детектор в измерительном тракте.Цель изобретения - получение выходногосигнала в виде постоянного напряжения,Это достигается тем, что один из электродов предлагаемого датчика выполнен в видегазоразрядного прибора.На чертеже показана схема описываемогодатчика,Он содержит газоразрядный прибор 1, например неоновую лампу, проводящую пластину 2, металлический корпус 3, патрон-держатель 4 газоразрядного прибора и изолирующую прокладку 5. В корпусе имеется прорезьа, в которую вводится исследуемый диэлектрик 6.Электрические проводники 7 и 8 служатдля подачи на датчик переменного напряжения, Проводник 7 соединен с проводящей пластиной, а проводник 8 - с корпусом датчика. Корпус датчика имеет электрический контакт с патроном газоразрядного прибора.5 Это необходимо для экранировки датчика отпосторонних полей.Проводники 9 и 10 соединены в патроне свыводами газоразрядного прибора и служат для съема полезного сигнала.10 Датчик работает следующим образом,При подаче на выводы проводников 7 и 8переменного напряжения между электродами неоновой лампы и проводящей пластиной 2 возникает электрическое поле.15 При достижениях напряженности поля некоторой критической величины в колбе лампы возникает тлеющий разряд и образуется плазма.437956.; Составитель Н. Золотухина Техред 3, Тараненко Корректор Л. Кото едактор Т. Горячева Тираж 651 а Совета Минис и открытий ая наб д. 4/5ПодписноСССР Изд.1877 Государственного комите по делам изобретени Москва, Ж, Раушскаказ 3582/11ЦНИ упова, 2 Гипография,ляющая напряжения между указанными выводами возникает из-за разной емкости электродов газоразрядного прибора по отношению к проводящей пластине.Постоянное напряжение между выводами проводников 9 и 10 зависит от интенсивности тлеющего разряда внутри лампы, а интенсивность разряда зависит, в свою очередь, от диэлектрической проницаемости вещес гва, заполняющего промежуток между газоразрядным прибором и проводящей пластиной. Переменная составляющая напряжения не несет полезной информации и подлежит фильтрации. 5 Предмет изобретенияДатчик диэлектрической проницаемости,содержащий электроды, отл и ч а ю щий с я тем, что, с целью получения выходного сигнала в виде постоянного напряжения, один 15 из электродов выполнен в виде газоразрядного прибора.
СмотретьЗаявка
1853400, 06.12.1972
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1891
САЯПИН ВИКТОР МИХАЙЛОВИЧ, МОКРОВ ЕВГЕНИЙ АЛЕКСЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 27/22
Метки: датчик, диэлектрической, проницаемости
Опубликовано: 30.07.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-437956-datchik-diehlektricheskojj-pronicaemosti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик диэлектрической проницаемости</a>
Прибор для измерения диэлектрических параметров материалов
Номер патента: 696362
Опубликовано: 05.11.1979
Автор: Романенко
МПК: G01N 27/22
Метки: диэлектрических, параметров, прибор
...первичный преобразователь 1, включенный вколебательный контур 2 автогенератора3. Усилитель 4 и элемент связи 5 (впростейшем случае резистор) составляют цель положительной обратнойсвязи автогенератора 3.Амплитудный детектор б соединенпо входу с контуром 2 автогенератора3, а по выходу - с входом компаратора 7. Выход компаратора подключенк управляющему входу шунтирующего696362 Формула изобретения 1 ИИПИ Заказ 6757/4 ЭЛемента 8, который может быть выполнен на симметричном полевом транзисторе,Управляемый шунтирующий элементвключен параллельно элементу связи 5.определяющему величину положительнойобратной связи. В прибор включенытакже частотомер 9 и вольтметр 10,показания которых могут быть пересчитаны в значения диэлектрическойпроницаемости...
Способ обработки диэлектрической пластины в электромагнитном поле
Номер патента: 1660218
Опубликовано: 30.06.1991
Авторы: Безлюдова, Осипов, Шворобей
МПК: H05B 6/64
Метки: диэлектрической, пластины, поле, электромагнитном
...содержит заземленную металлическую пластину 1, на которой размещена обрабатываемая диэлектрическая ,пластина 2, на одну из поверхностей которой нанесен металлический проводник 3, выполняющий роль токонесущего проводника полосковой линии, и слой фоторезиста 4, дополнительную заземленную металлическую пластину 5, размещенную на расстоянии от диэлектрической пластины 2, определяемом выражениемь=ь/Кьгде 11 и й- соответственно толщина и эффективная диэлектрическая проницаемасть диэлектрической пластины 2.Способ осуществляют следующим образом,Обрабатываемую диэлектрическую пластину 2, установленную в кассете, образованной заземленной металлической пластиной 1 и дополнительной металлической пластиной 5, размещают в резонансную камеру...
Способ лазерной пайки вывода полупроводникового прибора к металлизированному диэлектрическому основанию
Номер патента: 1697991
Опубликовано: 15.12.1991
Авторы: Беляев, Кужель, Петровский, Савичев
МПК: B23K 1/005
Метки: вывода, диэлектрическому, лазерной, металлизированному, основанию, пайки, полупроводникового, прибора
...медного слоя от окисления и коррозии. Последним слоем был припой толщиной 12 мкм. Этот слой обеспечивает получение паяного соединения. В качестве припоя был выбран сплав ОЛОВО - Висмут.Медный вывод был предварительно отформован и имел следующие конструктивные размеры:ширина паза (Ь) 0,5 мм; толщина дна паза вывода ( д 1) 100 мкм, толщина слоя- припоя из сплава олово-висмут (д 2) 12 мкм; угол скоса кромок паза вывода ( а 1 ) 60 О; длина паяного шва1,5 мм; диаметр медного вывода(бв) 0,4 мм, коэффициент шага паяного соединения (К) 1,0. Число точек для образования паяногосоединения определяли по формуле:1,5и =К -- 1 =1,0- 1 =2 точкис.0,5Для получения сравнительных данных проводилась пайка лучом лазера медного вывода к металлизации...
Прибор для измерения диэлектрических параметров материалов
Номер патента: 654889
Опубликовано: 30.03.1979
Автор: Романенко
МПК: G01N 27/22
Метки: диэлектрических, параметров, прибор
...источника питания соединен с линией через активное сопротивление, размещенное на входе источника питания, а частотомер включен между точкой соедпнсния линии с резистором и землей.На чертеже показана схема предлагаемого прибора. Прибор содержит резонансный ЬС-контур, подключенный к входному каскаду на тразинсторе 1, и усилитель на транзисторе 2. Элементом прямой связи между этими узлами является резонансная линия 3, подключенная к регулируемому источнику 4 питания через резистор 5, сопротивление которого равно волновому сопротивлению линии 3. Для измерения частоты автогенератора применен частотомер 6, на который поступает часть высокочастотного падения напряжения на резисторе 5.При включении питания в,С-контуре начинается...
Способ изготовления тонкослойных полупроводниковых приборов с боковой диэлектрической изоляцией
Номер патента: 880167
Опубликовано: 27.03.1996
Авторы: Волк, Волкова, Коваленко, Кокин, Лукасевич, Манжа, Одиноков, Патюков, Самсонов, Сулимин, Чистяков, Шевченко, Шепетильникова
МПК: H01L 21/82
Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, полупроводниковых, приборов, тонкослойных
...проводимости (рР= 10 Ом см локально формируют и -скрытые слои (Х,+ = 3-3,2 25 мкм, р, = 36 - 40 Ом/о ). Методом эпитаксиинаращивают пленку и-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,8-1,2 Ом см, толщиной 1-1,2 мкм. Эпитаксиальную пленку маскируют двуслойным диэлектриком 30о5 Ю 2 и Рзй 4 толщиной 600 - 800 А и 1800о2000 Аз соответственно. Методом фотолитографии травят двуслойный диэлектрик и эпитаксиальную пленку на глубину 0,6-0,8 мкм. Формируют р -стопорный слой в вытравленных канавках диффузией бора, Параметры загонки р, = 85 - 90 Ом/а. Удаляют боросиликатноестекло и производят заполнение канавок окислом кремния при 1000 С в парах воды при повышенном давлении 1,5 атм в течение 2,5 ч. Толщина окисла кремния в канавках...
Предыдущий патент: Устройство для определения концентрации магнетита в продуктах обогащения железных руд
Следующий патент: Устройство для измерения влажности материалов
Случайный патент: Конвейерная установка для изготовления железобетонных изделий