422042
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 422042
Текст
Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик О П И С,А Н И Е И. ЗОБРЕТЕ Н И"Я ВТОРьСКОМУ СВИДЕТЕ ЛЬСТВУ висимое от авт. свидетельстваявлено 24.11.72 184987618-24 Ч Кп 6 11 с с присоедшсинем заявки М Приоритет -Опубликовано 30.03.74, Бюллетень М 1 Гоочдарственный комитеСовета Министров СССоо делан ивооретениии открытий 11 681 357 66(088 8 Гия описания 06.0 Га опнблик Авторизобретен и аявител НАКОПИТЕЛЬ НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ одной из шин ал зем ш, насоответствует ормации. Предерживается по- напряжение 1.1. нформяции иаивается потеиц яжение С 1, что писываемой инф а шине 22 подд иа шине 23 -аписи з 1 Е Рна,) идругой -О илиположихЗО тенциал чеек 1- - 4 формации,столбцов,еть разме.1 за1, чтоземли Йзобретение относится к устройствам вы-ислительной техники,Известен накопитель на МДП-транзисторахс индуцированнМи каналами, содержащийячейки памяти, каждая из которых состоигз МДП-транзисторов выборки и триггера снагрузочными МДП-транзисторами, служащими для регенерации информации. Транзисторы выборки ячейки подключены стоками к выходам триггера, затворами - к шине выборки, а истоками - к разрядным шинам записии считывания.Предложенное устройство отличается отизвестного тем, что, с цел ю сокращения оборудоваиия и повышения технологичности, иием исклочсиы иягрузочиые МДП-транзисторы из триггеров ячеек памяти,Для рс Сисряции информации вводеи,скет 11, 1 яждяя из которых состоит из двух,ЧД 11-ргизист)ров и осуиествляет регеиерацин) и ифор мни и в 51О 11 кя х нямти Одногостолб)це мятриць.Ня 1)ИГ.ионе 31 ия схема п 1)ед:1 яГяемОГОнакопителя; ия фиг, 2 - временная диаграмма его ряооть,Устройство содержит матрицупамяти, схемы 5 и 6 регенерации иМДП-траизсторы 710 выборкиВ об)щем случае матрица может и ры гг Х п, где и - число строк, пг - числостолбцов.Ячейка 1 памяти состоит из управляющихМДП-транзисторов 11, 12 и МДП-транзисто.5 ров 13, 14 выборки, затворы которых подключены к шине 15 выборки, а истоки - к разрядным шинам 16, 17 столбца, Схема 5 регенерации информации выполнена на МДПгранзисторах 18, 19, затворы которых объеди 10 иены и подклочены и шине 20 сигнала подготовки, стоки объединены, а истоки подсоединены к разрядным шинам 16, 17 столбца.Рассмотрим работу накопителя ия примере,когда выбирается ячейка 1.1 В начале цикла записи или считывания ияшину 20 поступает сигнал подготовки (фиг, 21,который открывает транзисторы схем регеиеции. 111 ииы 16 и 17 заряжаются до иапряксиия С/. По окачяиии заряда этик иип ия ши 2 О ны 15 и 21 подается сигнал выборки, которыйоткрывает транзисторы 7, 8, 1 Л, 14 и обеспечивает возможность записи или считывания информации из ячейки,Транзистор )с.с открывается, транзистор (2 за: . Ывястс.О ОКОИЧс 1 ИИП СП ПЯ Я )ЬООРК ТРЯПЗПСТОРЫ., ш Зс КрЫЬВОго:.рсПЗПСсйр. / l, 2 СО Х)Я:5 ОТ с 13 В)НсЫС СОСТ 05 и 51 В ТСЧСП 1 С ПС- с,Зких Нсскупд ОляГОдар 51 ы(д,1 спполу ИЗМВНСПИО ЗЯРЯДОВ, НсКОПЛСГПЬХ Нс ТСХНОЛОГИ 1 ССсХ С)КОСТ 5 Х ЗЯТВОР -- ИСТОЕ ЭТИХ ТРсанЗПСТОРОВ,Прп счптывани информации на шины 22, 10 Л СРСЗ ВХОДПЬС СОГРОТИВ.1 СПИ 51 УСПЛИТСЛс сиТ.ЗЯНН 51 ИОДс 1 СТСЯ НапрЖВНИС . и ОС 5 цсств,ястс 5 ндикация, хапал НЗ Нпп 22, 2 э пл 1 сст рсзпстивнуО сВязь с Зсхл 51 пои шиной.".1 сформацГя прп считывании пс разрушастся, 15РСГС 1 РсП 1 Я ИфОРХЯЦИИ ПРОВОДИТС 51 В ЦИК- лс спить ьянпя Одноврсмсппо ВО Вссх 51 сйках )ыс)РсО стРОи, э ЯОЙах, иходп 511 хсс пя пс)сссчснип Выоряппой строки нсвьОраппх сто,бцов, регенерация информации п)о- с)0 псхо;нт ВО Взсмя дсйствия второЙ полозпнь сигналя подготовки путем. восстановления заР 1.ОВ ПЯ ТСХПОЛОГИВСКИХ СМКОСТЯХ ЗЯТВОР - исток упрВ,501;пх траизпсторОВ 511 сск чс)сз Открыты с транзисторы схсм рсГснсряции 25 и транзисторы выборки 5 ческ, Регенерацв информ;ции в выбраннсч ячейке обеспечпвас 05 От;сйствп 51 япр 51 жспия ., Иодявясх 10 Ги ппь 22, 2" которое Восстапявливаст зяр,ы пя тсхпологичсских сКостях затвор в ."СТОК УПРЯВЛЯ;ОЦ; Х тРаНЗИСтОРОВ ЯсСЙК 1 ЧС- роз открытые транзисторы выборки столбца и транзисторы выборки ячейки. Прсдмст изобретенияПяопптсль на Л;),П-транзисторах, содср- жяип Й;сйи памяти, кякда 51 из котор ьх СОСТОИТ ИЗ ТРРГГ.Ра, и ВЫХО;ЯХ 1 КОТОРОГО ПОД.си транзисторов выборки, затворы которых подключены к шинам выборки, СТОп -- к разрядным шипах записи и счи- ТЫВЯНИЯ, ОТ,ИсПОШИСЯ тЕМ, ЧтО, С ЦЕЛЬЮ СО- кращения оборудования и повышения тсхпологичности, в каждый столбец матрицы введсня с)(сма рсгснерации, состоящая из двух М,З,П-транзисторов, затворы которых объеди. нсны и подк;почспы к шине сигнала подготов- КИ, СТОКИ ООЪСДпнс,НЫ, Я ИСТОКИ ПОДКЛОЧСНЫ разрядным шинам столбца,
СмотретьЗаявка
1849876, 24.11.1972
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Метки: 422042
Опубликовано: 30.03.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-422042-422042.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">422042</a>