Делитель напряжения
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 414708
Текст
414708ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз СоветскихСоциалистицескихРеспублик АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСВ б 1) Зависимое от авт. свидетельства 712288 26-9 22) Заявлено 09,11.7(51) М. Кл. Н ОЗЬ 7/04 исоединением заявкиГосударственный коцит Совета Министров ССС оа делам изобретений и открытий(72) Авторизобретения Н, Кармазинс овский ордена Трудового Красного инженерно-физический инститчт(54) ЕНИЯ Ток, протекающий одинаков для каж ерез тра го из ни сторы 1 и поэтомуУ - Уо х напряжениекрутизна трственно;нт влиянияления задае - длинойоотке топол гд - пороговое Ки Кз - удельная 2, соответ т 1 - коэфф,ицне Коэффициент де транзисторов 1 и 2 каналов прн разраисторов 1 т подложки.ся геометриеи шириной и.гических чер Изобретение относится к компонентам радиоаппаратуры и может быть использованодля деления напряжения и задания смещенияинтегральных схем.Недостаток известного делителя,напряжения, содержащего два последовательно соединенных МДП транзистора с каналами одинакового типа проводимости, в котором затвородного из транзисторов присоединен к его стоку, состоит в нелинейной зависимости выходного напряжения от входного.Цель изобретения - обеспечение линейнойзависимости выходного .напряжения от входного - достигается тем, что затвор второготранзистора подключен к стоку первого транзистора.На чертеже показана принципиальная схема устройства,Делитель напряжения включает последовательно соединенные транзисторы МДП 1 и2 с каналами одинакового типа проводимости,затвор транзистора 1,присоединен к его стоку,а затвор транзистора 2 - к стоку транзистора 1. Входное напряжение прикладываетсямежду затвором транзистора 1 и,стоком транзистора 2, а выходное напряжение снимаетсясо стока и истока транзистора 2.Линейное изменение выходного напряжения достигается за счет компенсации нелиней.ности вольтамперной характеристики транзи- з стора 2 нелпнейностью вольтамперной характеристики транзистора 1 путем автоматического, поддержания соответствующих режимов работы обоих транзисторов. Оба транзистора,работают на пологих участках вольтамперных характеристик. Токи через транзп. сторы изменяются по одинаковым параболическим законам и зависят от входного н выходного напряжений:414708 Составитель Г, Челей Техред Т. Курилко Редактор М. Бычкова Корректор Т. Хворова Заказ 619 Изд.438 Тираж 811 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5Тип. Харьк. фил. пред. Патент тежей микросхем. Это подтверждает линейную зависимость выходногоапряжения от входного. П р едгм е т,и з об р е т ен и яДелитель напряжения, содержащий два последовательно соединенных лДП транзистора с каналами одинакового типа проводимости, причем затвор одного чз транзисторов присоединен к его стоку, отличающийся тем, что, с целью обеспечения линейной зависимости выходного напряжения от входного, затвор второго транзистора подкл.очен к стоку первого транзистора.
СмотретьЗаявка
1712288, 09.11.1971
МПК / Метки
МПК: H03H 11/24
Метки: делитель
Опубликовано: 05.02.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-414708-delitel-napryazheniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Делитель напряжения</a>
Устройство для защиты от перегрузки выходного транзистора импульсного усилителя
Номер патента: 675584
Опубликовано: 25.07.1979
МПК: H03F 9/00
Метки: выходного, защиты, импульсного, перегрузки, транзистора, усилителя
...резистор 4, а базой - к коллекторной нагрузке 5 выходного транзистора через резистор 6. Резисторы 7, 8 определяют ток базы выходного транзистора, а их соотта ношение определяет величину критическогозначения коллекторного напряжения,При отсутствии входного сигнала транзисторы 2, 3 закрыты, а конденсатор 1 разряжен.При подаче управляющего сигнала транзистор 2 открывается током конденсатора 1, Напряжение на коллекторе транзистора 2 падает, что приводит к открыванию транзистора 3. Открытый транзистор 3 пропускает базовый ток транзистора 2 и обеспеео чивает разряд конденсатора 1. Если приподаче управляющегб сигнала коллекторное напряжение превышает критическое значение, транзистор 3 не открывается и пос, с675584 формула изобретения...
Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором
Номер патента: 1628766
Опубликовано: 27.05.1996
Авторы: Ахинько, Ильичев, Инкин
МПК: H01L 21/18
Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов
...лучшей однородности толщины маскирующего покрытия) уменьшается дисперсия сопротивления областей истоков и позволяет снизить температуры вжиганий 50 стоков по плоскости подложки, Температурные режимы в предлагаемом способе выбраны из соображений минимизации удельногосопротивления,о областей истока - стокапри удовлетворительной морфологии поверхности контакта при температурах меньше 410 С (425 С) р1 Ом мм (для и-типаобластей) и р5 Ом мм (для р-типа) притемпературах430 С (435 С) ухудшаетсяморфология поверхности омических контактов областей истока - стока,Неизвестно формирование защитныхпокрытий (сквозь которые осуществляетсяимплантация примеси) посредством низкотемпературного окисления подложки арсенида галли,я, что позволяет судить...
Дешифратор на мдп-транзисторах
Номер патента: 1203594
Опубликовано: 07.01.1986
Авторы: Ильюшенков, Макаров, Мещанов, Телицын
МПК: G11C 8/10
Метки: дешифратор, мдп-транзисторах
...6 связи выбранного элемента 1 дешифратора конденсатора 17 произойдет уменьшение напряжения на затворах транзисторов 6 связи на величину ЛЬ=-К(Е - Б.р.), где К - коэффициент деления смкостного делителя, а Е - 11 р - цацр, ение на затворах выходцы транзисгоров 8 в исходном состоянии. Коэффициент деления равен- суммарная емкость затвор-канал транзисторов 6 связи невыбранных элементов 1 дешифратора;- емкость затвор - канал транзистора 6 связи выбранного элемента дешифратора;-емкость конденсатора 17. При напряжении на затворах транзисторов о связи 1)(Е - (.;пор откроется транзистор 19 заряда и соединительная шина 16 дозарядится до уровня, равного Е в (1 .рЕмкость конденсатора 17 препятствует понижению напряжения на затворах...
Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором
Номер патента: 1565292
Опубликовано: 10.07.1996
Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Григорьев, Ильичев, Инкин, Липшиц, Шелюхин
МПК: H01L 21/335
Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов
1. Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором, включающий формирование на подложке арсенида галлия затвора из ниобия либо нитрида ниобия и маскирующего затвор покрытия, формирование маскирующего покрытия под изготовление областей истока и стока, формирование областей стока и истока, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости величины зазоров между истоком, стоком и затвором, после формирования покрытия под изготовление областей стока и истока проводят окисление подложки в атмосфере "сухого" кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, затем отжигают подложку в среде водорода при 640 700oС в течение 10 50 мин, а после формирования областей истока и стока удаляют маскирующее...
Составной транзистор
Номер патента: 485562
Опубликовано: 25.09.1975
Автор: Уан
МПК: H03K 17/60
Метки: составной, транзистор
...транзистора3 через ограничительный элемент (диод 8).Для исключения шунтирования эдгиттербазового перехода выходного транзистора 3обмоткой 7 прямое напряжение диода должО но быть больше суммы напряжений1,+ "9(ГтзПри запирании составного транзисторавначале от блок2 закрывяетгя входнойтранзистор, 1,485562 3 Так как выходной транзистор 3 закрывается всегда с запаздыванием по отношению к закрыванию входного транзистора 1(причем это время зависит от величинызапирающего тока), ток нагрузки через токовый трансформатор 4 трансформируетсяв цепь дополнительной обмотки 7.Напряжение на обмотках токового трансформатора определяется в это время величиной алгебраической суммы напряжений 10"рв+Оэ(р .УТок обмотки 7 протекает через базу выходного...