411607

Номер патента: 1621817

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Александер, Владимир, Томас

МПК: H01L 29/78

Метки: затвором, изолированным, мощный, полевой, транзистор

...следовательно, устройство будет работатьв качестве устройства р-канала, а неустройства п-канала,Два истока помещаются на одной итой же поверхности полупроводникового7 6рабатывания способности выдерживать высокое обратное напряжение, и глубину, зависящую от необходимого обратного напряжения для данного устройства. Таким образом, для 400 В-ного устройства нижняя и -область может иметь глубину порядка 35 мкм, в то время как для 90 В-ного устройства она имеет глубину порядка 8 мкм. Другие глубины выбирают в зависимости от требуемого обратного напряжения устрой" ства для обеспечения получения необходимой более толстой области истощения, требуемой для предотвращения пробоя во время состояния подачи об-, ратного напряжения. Более верхнюю...

Номер патента: 391529

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Нозоселов, Щитов

МПК: G05B 1/01

Метки: сравнения

...относится к этики и вычислительной техниприменено в поисковых самосистемах и оптимизаторах,работки информации и анательной техники.Известно устройство дляжащее усилительный каскадзисторе, трансформатор и заденсаторы. на полевых транзисторах, управляющее напряжение на которые подается с трансформатора Б, с затвором полевого транзистора б усилительного каскада, напряжение питания на который подается через резистор 7 нагрузки, а выходное напряжение снимается через разделительный конденсатор 8.Сравниваемые постоянные напряжения с конденсаторов 1 и 2 поступают через ключи 3, 4, открывающиеся поочередно и выполненные на полевых транзисторах с изолированным затвором, сопротивление перехода сток- исток которых в закрытом состоянии...

Номер патента: 304577

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: G06F 7/50

Метки: 304577

...эмпттерного повторителя 2 подключен также смещающий диод цлц транзистор 4 в диодОм Включении, со Второъу зажиъу которого присоедиеы первые входы основного и дополнительного токовых ключей 6 и 6, Первые выходы токовы.с ключей 5 ц 6 соединены с выходом напряжения суммы, а вторые являются токовыми выходамц первого переноса Р; и второго Р;. Второй вход основного токового ключа 6 присоединен к первому источнику напряжения Е второй вход дополнительного токового ключа 6 - ко второму источнику напряжения Е Эмцттерные цепи токовых ключей 6 и 6 эмцттерного повторителя 2 питаются от соответствующих источников тока, не показанных ца чертеже.При различных значениях логических переменных на входе возможно 2-32 комбинации состояний. Однако работа...

Номер патента: 790330

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Герасимов, Гусаков, Кармазинский, Красильников, Трушин

МПК: H03K 19/02

Метки: быстродействующий, дополняющих, мдп, транзисторах, уровней

...поддерживается и на выходах этих элементов,н результате чего формирующие транзисторы 12 и 13 закрыты и не влияютна работу устройства в стационарном состоянии,При изменении напряжения на шине9 с логического "О" на логическую"1" переключающий транзистор 3 открывается, а транзистор 8 закрывается по истоку. В двухтактном повторителе 6 оба транзистора 7 и 8 закрыты, и напряжение на шине 10 не40 изменяется. В двухтактном инверуоре1 переключающий и нагруэочный транзисторы 3 и 2 открыты. Удельная крутизна переключающих транзисторов выбирается значительно большей по от 65 ношению к крутизнам нагрузочныхЗО транзисторов, которые необходимы тоЛЪко для удержания статистического состояния логической "1" на соответствующей выходной шине....

Номер патента: 868834

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Коняев, Наймарк

МПК: G11C 15/04

Метки: ассоциативный, запоминающий, мдп-транзисторах, элемент

...Анод фотодиода подключен кстоку одного из управляющих транзисторов.5При переходе этого элемента из режима оптической эаниси к режиму запоминания коммутируется один иэ нагрузочных НДН"транзисторов, что приводитк несимметричной помехе через паразит- Оный конденсатор, образуемый затвороми стоком транзистора в плечах триггера и снижает фоточувствительность, аследовательно, и надежность элемента.Кроме того, элемент содержит большое число транзисторов, что увеличивает габариты,Цель изобретения - повышение надеж.ности и упрощение элемента,Поставленная цель достигается тем,что в ассоциативный запоминающий элемент на МДП-транзисторах, содержащийуправляющие транзисторы, истоки которых соединены с соответствующими разрядными шинами,...