410459

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик ависимое от авт, свидетельствааявлено 26.1 Х.1972 ( 1832443/18-24) Кл. б 11 с 11/4 аявкиисоединением Государственныи комитет Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий, О, Ботвиник, В, Н, Синеокий, Г, Б. Сердюк, В.О. А, Раисов марскии и Г Гт Т Заявит ЙКА ПАМ 2 х- ии льнои постро тавляющие транзистои связями, м обеспечиили аноднзисторных 1 х вьесокооельно боль- жиме хранестве ячеек йствие при ежиме храичество комиристоров на, обеспечивая другого тирижет быть доеделяя таким сти хранения.информации ия один из т ем состоянии е состояние я при этом мо аноампер, опр ичину мощно вого хранения В режиме хранеходится в проводящустойчивое запертостора. Ток хранениведен до единиц нобразом малую велУсловие устойчипри токах 1,р. создание ячейй рассеиваемой ия и высокимсчитьовании. обретения является обладающей мало в режиме хранен твием при записи и-+- - )- коэффи базой сос ра 1 или 2 минусовую ителей счить фр - и ячейке памяти ггера на двух язями к и-базе стор подсоедиуютцего ключа я это тем, что в мметричного три перекрестными с истора через рез эмиттеров форси ерном транзистор Достигаетсна основе стиристорах скаждого тирнен один изна двухэмит циенты усиченитавляющих транЦепи храненишину питанивания,где а илв схеме с общеизисторов тиристзамыкаются начерез входы усил Изобретение относится к интегр нике и может быть применено при запоминающих устройств ЭВМ.Известны ячейки памяти, предс собой симметричные триггеры на рах или тиристорах с перекрестным в которых форсированный режи вается коммутацией коллекторного ного импеданса,Для ячеек памяти на основе тра триггеров характерно наличие дву ных резисторов хранения и сравнит шая рассеиваемая мощность в ре ния при,высоком быстродействии.Тиристорные триггеры в каче памяти имеют низкое быстроде малой рассеиваемой мощности в р нения информации и меньшее,кол понентов.Целью изки памяти,мощностьюбыстродейс На чертеже изображена схема предлагаемой ячейки памяти.Ячейка, памяти содержит тиристоры 1 и 2 с перекрестными связями между р- и и-базами и связанными анодами. Между общей точкой тиристоров и плюсовой шиной питания включен высокоомный резистор 3, обеспечивающий режим хранения. Форсирующий ключ 4 на двухэмиттерном транзисторе через резисторы 5 и 6 подключен эмиттерами к и- базам тиристоров 1 и 2. Эмиттеры тиристоров 1 и 2 подключены к шинам записи и считывания.Ячейка ламяти работает следующим образом.410459 Предмет изобретения Составитель Р, Яворовская актор Т. Орловская Текред Е. Борисова Корректор 3, ТарасоТираж 591овета Министроткрытийнаб., 4/5 Изд Ло 355осударственного комитетапо делам изобретений и Москва, Ж, Раушска каз 1049/12ЦНИИП ПодписноеСССР пография, пр. Сапунова, 2 При считывании ток форсирования через двухэмиттерный ключ 4 и резисторы 5 и 6, обеспечивая быстрый заряд паразитных емкостей, подается на вход соответствующего усилителя считывания лишь через и - р - гг-транзистор отпертого тиристора, поддерживая через перекрестную связь насьпценпое состояние этого гг - р - гг-транзистора и устойчивое запертое состояние противоположного гг - р - .ч-транзистора. условием неразрушения информации при считывании является равенство потенциалов на информационных эмиттерах тиристоров 1 и 2, т, е. на входах усилителей считывания.При записи между информационными эмиттерамн тиристоров 1 и 2 создается разность потенциалов, которая предопределяет втекание тока при форсировании в р-базу тиристора запертого ключа. При этом имеет место лавинообразный процесс переброса отпертого и - р - гг-транзистора в запертое состояние, а запертого и - р - гг-транзистора в отпертое.После снятия разности потенциалов между информационными эмиттерами тиристоров 1 и 2 записанная информация сохраняется как угодно долго при запертом двухэмиттерном ключе 4 за счет внутренней положительной обратной связи, существующей в тиристоре иподдерживаемой током хранения через резистор 3,Таким образом, при форсировании така ис 5 ключается насыщение р - п - р-транзистора,чем существенно повышается быстродействиеячейки памяти при записи. Одновременно снижается минимальный уровень выходного напряжения двухэмиттер ного ключа 4, что10 уменьшает задержку при считывании. Ячейка памяти, содержащая симметричный15 триггер на тиристорах с перекрестными связями, аноды которых через резистор подключены к шине питания, а эмиттеры тиристоровподключены к шинам записи и считывания,о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью сочета 20 ния высокого быстродействия при записи исчитывании с малой рассеиваемой мощностьюв режиме хранения, в нее введен форсирующий ключ на двухэмиттерном транзисторе,эмиттеры которого через дополнительные ре 25 зисторы подключены:к гг-базам соответствующих тиристоров,