Коммутатор аналоговых сигналов

Номер патента: 468379

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Клименко, Шнайдерман

МПК: H04B 15/00

Метки: между, паузах, подавления, помех, сигналами

...4, а в тракте 2 - через входнойтранзистор 5 сигнал поступает на резистор: 6 и ключевую схему 7. Входной транзистор5 изменяет фазу сигнала на 180, обеспт; чивая тем самым противофазное включениеосновного 1 и компенсирующего 2 трактов.При смалом.ви 5 дном сигнале с выхода клкьчевой схемы 7 через схему временной задержки 8 поступает положительный потенциал от источника питания на базу шунтируюшего транзистора 9. При этом транзистор 9 закрык и не оказывает влияния напрохождение сигнала через компенсирующий тракт 2.Затухание компенсирующего трактапутем подбора резистора 6 устанавлиаааютравным затуханию основного тракта 1,в результате чего на входе усилителя 4помеха полностью компенсируется.Устройство работает следующим образом.С...

Номер патента: 292328

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Акира, Томисабуро, Тосио

МПК: H01L 29/76

Метки: затворами, изолированными, канальный, транзистор

...затвору, Аналогично создается р в а- переход в обратном направлении в канальном транзисторе р-типа с изолированными затворами,Область, образующая р - г-переход с полупроводниковой подложкой, располагается в непосредственной близости от истока. Следовательно, когда разность потенциалов между истоком и управляющим затвором становится достаточно большой, непрерывно образуются области высокой электропроводности в той части подложки, которая размещена между р - и-переходом и истоком, в результате так называемого прокола базы, вызывающего большой по величине ток через область перехода, Это означает, что транзистор с пробоем базы включен между управляющим затвором и истоком полевого транзистора с изолированными затворами.В канальном...

Номер патента: 292327

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Иностранна, Мацушита, Пностранец

МПК: H01L 23/52, H01L 29/76

Метки: затворами, изолированными, канальный, транзистор

...1, но без экранирующего электрода 7 с затвором 8, заземленным на псрсмсццьш ток, тоемкостное сопротивление между первым затвором 6 и стоком 4, т, е. емкостное сопротивление обратной связи, резко уменьшается, Если в транзиторе, имеющем более двух затворов, на первый и второй затворы поступают отдельные сигналы, то второй загвор нельзя заземлять, поскольку возникают осложнения из-за статической емкости между затворами.В описываемом транзисторе для понижения емкостной связи между псрвым и вторым затворами установлен экранирующий электрод 7, заземленный или соединенный с истоком 1.Изображенный на фиг. 3 транзистор типа МОЯ содержит экранирующий электрод 7, два изолированных затвора 6 и 8, электрод 2 истока и электрод 5 стока. В том случае...

Номер патента: 814168

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Игнатьев, Липин

МПК: H01L 21/04

Метки: барьер, затвором, полевых, типа, транзисторов, шоттки

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ТИПА БАРЬЕР ШОТТКИ на полупроводниковой подложке, включающий в себя напыление и вжигание контактного сплава, напыление защитного слоя, вскрытие окна в защитном слое, напыление барьерного материала, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа получения транзисторов с субмикронной длиной канала и повышения выхода годных изделий, на структуре n - ni-типа создают n+-слой, в n-слое формируют контактные площадки истока и стока, формируют меза-структуры травлением n+- и n-слоев до подложки, создают маску из защитных материалов с узкой щелью, расположенной между контактными площадками стока и истока, контролируемыми травлением n+-слоя до границы...

Номер патента: 1340481

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Глущенко, Гордиенко, Колесников, Коновалов

МПК: H01L 21/265

Метки: бис, затворами, мдп-транзисторах, поликремниевыми

...термическое окисление (Т = 950 С)поликремния в кислородной среде до тало20 щины окисла кремния 700 А. Затем осуществляют фотогравировку, используядополнительные маскирующие свойства выращенного окисла кремния, слоя поликремния, вытравливая его над областями стока,истока и затвора, При этом оставляют подслоем поликремния диэлектрик запоминающего конденсатора и второй промежуточ-.ный диэлектрический слой окисла кремния,расположенный над активными областямиструктур стока, истока и подзатворного диэлектрика,Для Обеспечения необходимого примесного распределения в подзатворной области подложки с учетом последующейо 5 термической сегрегации примеси и для подгонки порогов через выращенный слойокисла кремния проводят подгонку имплантацией...