Контактно-химический способ осаждения металлов

Номер патента: 985135

Опубликовано: 30.12.1982

Авторы: Пильников, Усвяцова

МПК: C23C 3/02

Метки: осаждения, пленок, раствор, серебра, сульфида, химического

...азотнокислое 0,001 - 0,02 Натрий иодистый О, 1- 3,0 Унитиоп 1 10 о.1 б В предлагаемом растворе осаждение плнок сульфида серебра толщиной 600- 1500 А осуществляют при 70-80 оС в течение 1-1,5 ч. Раствор при корректировке по серебру стабилен в течение более 2,5 мес, Содержание сульфида сереб ра в покрытии составляет 96-99%; по,5.10 2,5510 2,5 0 3 Как видно из таблицы, .но работает в течение 3 зование сульфида серебра п ко на твердой поверхности иодистый, а в качестве серусвосстановителя - унитиол (дипропансульфонат натрия) присоотношении компонентов, моСеребро азотнокислое аствор стабильх мес, а обраоисходит толь подложки. од ержащег меркап толедующем ь/л: 0,0010,1"10 2 атрий иодистнити ол.зобретени р м мического осажденияребра,...

Номер патента: 1811217

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Кисель, Красницкий, Петрашкевич, Сахон, Турцевич, Шкуть

МПК: C23C 16/00

Метки: газовой, осаждения, пленок, фазы, химического

...паров воды и кислорода вреактор, возрастания неконтролируемогослоя двуокиси кремния и снижения качестваосаждаемых пленок нитрида кремния.При длине корпуса более 5 диаметровреактора не наблюдается дальнейшего улучшения качества осаждаемых пленок нитридакремния при увеличении габаритов установки.При высоте корпуса менее 2 диаметровреактора затруднена загрузка в реактор припомощи автоматизированных систем и обслуживание шлюзовой камеры.При высоте корпуса более 3 диаметровреакторов снижается эффективность затвораиз-за облегчения попадания паров воды икислорода в реакционное пространство и,следовательно, снижается качество нитридакремния, То, что шлюзовая камера выполнена высотой 2-3 диаметра реактора, позволяет...

Номер патента: 1584433

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Грицкевич, Зыль, Точицкий

МПК: C23C 14/24

Метки: вакууме, осаждения, пленок

СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ, включающий испарение осаждаемого материала в тигле, инжекцию пара в вакуум с образованием кластеров, их ионизацию, ускорение и конденсацию на подложке, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, перед инжекцией пара в вакуум внутреннюю полость тигля герметично соединяют с внутренней полостью замкнутой инжекционной камеры, затем внутреннюю полость тигля отсекают от инжекционной камеры и осуществляют сжатие пара.

Номер патента: 1584641

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Гранько, Кабаков, Красницкий, Лесникова, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40-100 нм на полупроводниковую подложку разложением моносилана на 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига при температуре осаждения и давлении не более 13,3 Па, доращивание пленки при температуре осаждения подслоя до требуемой толщины послойно с толщиной каждого отдельного слоя 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя осаждение и отжиг, а отжиг каждого последующего слоя проводят при давлении не более 13,3 Па, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемых пленок поликристаллического кремния путем подавления...

Номер патента: 1718100

Опубликовано: 07.03.1992

Автор: Фоменко

МПК: G01N 27/417

Метки: величины, диэлектрических, пленок, поверхности, тонких

...кремниевой пластины на кристаллы проводится присоединение внешних выводов и герметизация чувствительного элемента 1 эпоксидным компаундом 17.В качестве полупроводникового чувствительного элемента может быть использована система электролит-диэлектрик-полупроводник (ЭДП).В этом случае информативным сигналом является сдвиг напряжения плоских, определяемый по сдвигу вольт-фарадных характеристик вдоль оси напряжений.Источником 3 (фиг.1) задают напряжение на стоке полевоготранзистора (200 мВ - 2 В), а источником 4 - ток стока (100-500 мкА), При погружении чувствительности элемента 1 вместе с электродом 2 сравнения в раствор с определенным значением рН замыкается отрицательная обратная связь через операционный усилитель 7 и...