Патенты с меткой ««антипробкотрон»»

Номер патента: 294545

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Плешивцев, Семашко, Чухин

МПК: F03H 5/00, H01J 15/00, H01J 3/06 ...

Метки: «антипробкотрон», ионов, источник, плазменный

...сильное электрическое поле (1 О п/с.ц), перпецдцк лярное магнитному полю.25 На чертеже изображена схема предлагаемого источника.В корпусе вакуумной камеры / размещенкатод 2, состоящий из двух соединенных с одной стороны коаксцальцых цилиндров. ВоЗО круг катода установлен анод 3, изготовлен3ный из двух конических дисков. Внешняя поверхность наружного цилиндра катода покрыта веществом 4 с хорошей эмиссионной способностью (например, гексаборидом лантана) таким образом, чтобы покрытие находилось по обе стороны медианной поверхности б магнитного поля. Между катодом и анодом образуется радиальный разряд, плазма которого б имеет форму диска, утоньшающегося по мере увеличения его диаметра. Вокруг анодных дисков, напротив зазора между ними,...