Растровая маска

Номер патента: 1653725

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Алексеева, Бовкун, Дармаева, Раднаев, Эрдынеев

МПК: A43D 8/22

Метки: деталях, матрицы, рисунка, тиснения

...и образующими рельеф рисунка, эа счет равномерного. возвышения над поверхностью плиты образуют матрицу для тиснения рисунка на деталях.П р и м е р. Для изготовления модели рисунка для тиснения предварительно составляют программу набора рисунка на языке фортран. Для выдачи рисунка с ЭВМ его выполняют различными символами в данном случе "звездочкой" ) на бумаге в клетку, затем рассчитывают в какие позиции должны попасть зти символы. Наряду с указанными символами можно использовать пробелы, которые служат для достижения большей наглядности,Текст программы записывают на специальном бланке программирования, затем наносят на перфокарту и вводят.в память машины ЕС ЭВМ 1022. На устройстве вывода происходит распечатка рисунка. Затем...

Номер патента: 439240

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Глазков, Козлов, Макаревич, Мельников, Райхман

МПК: H01L 21/268

Метки: генерирования, микроприборов, микросхем, рисунков, топологии, электронно-лучевого

...путем экспонирования электронно-чувствительного слоя системой неотклоняемых электронных пучков, создаваемых короткофокусными электронно-оптическими системами. Растровая развертка лучей по поверх ности экспонируемого слоя осуществляется засчет перемещения подложки, закрепленной на координатном столе, совершающем синусоидальные колебания вдоль одного из направлений и шаговые перемещения в ортогональ ном направлении с дискретностью, соответствующей ширине электронного пятна. При этом мгновенное положение стола контролируется по индикации вторичной эмиссии электронов, возникающей при сканировании одного или 20 нескольких электронных пучков по растровымзнакам, расположенным на каретках стола.На координатном столе 2 закрепляют...

Номер патента: 1313731

Опубликовано: 30.05.1987

Авторы: Бекесевич, Веремейчук, Гарасим, Кеча

МПК: B41F 15/18

Метки: изделия, нанесения, паст, плоские

...нанесения паст на плос кие изделия работаст следующим образом.На полставки 27 на столе 2 уклалывагот излелия ). При полаче сжатого возлуха в штоковую полость пневмоцилинлра 35 послелний перемсщает рейку 38, которая проворачивает пгестернго 39, связанную го средством геханнзхг 40 с приводным валом стола 2, в направлении врагцения стола. В результатс стол 2 поворачивается, а излелия перемещаются с олной позиции на лругую. На позиции нанесения насты 50каретка механизма 5 по, воздействием пневмоцилиндра 36 перемегцается совместно с ракелем 6 влоль поверхности сетки 4 справа налево, При этом кулачок 25 взаимолействует с роликом 24 и отжимает мехаизм 7 со скребком 4 вниз от сетки 4, а пнев 5 моцилиндр 37 прижимает ракель 6 к сетке,за счет...

Номер патента: 200431

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Воителев, Камотесов

МПК: H05K 3/12

Метки: прецизионного, рисунков, совмещения

...и Я,Ня др)ГОЙ ГОдлсжкс выпс.Нс);а апя,70 Г 111;и 1;Спомсга ГЕЛШЯЯ ф 1)ГУ 17 Я, СОСТОЯЦЯЯ ИЗод):ого слоя проводящего материала, например Я.7 Ом).1;1, мсдп плп золота.15 Бспомогатс.7 ьпыс ф)Птуры могут быть Нанесены, например, путем ссрябстки топих плеск хатер)Ялов, (Ото)ье пскрывя)от всо псЬЕРХ 110 СТ 1 ПОДЛОЖЕК)ЯТЕРПЗЛ 11 Г 10 ДЛОН(КУможет быть напессп катодным распылением,23 рсактпвным распылен)см, испарением в вак, у.;е, хих 11 еск 1) м осажден 1 ем, термчсск 1 к 11)язлсжс)1 пем;1 сгкслетучих сОе 7 П 11 ениЙ, анодпровапием в гязорязряднсй плазме илп в3,7 сктр 11 ческсй ва 111 е, итех реякцп 1 В пярсвоЙ25 фазет. д. Материал может сыть ОбработанфстслптОГ 17 ач)ическпм твлсниех 1, электронПЬМ Л ЧСЪ) И ДР ГИЗ 1 И СПОСсоами.ВспомОГательные...

Номер патента: 248806

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Гаврилкин, Точицкий

МПК: H05K 3/02

Метки: нолунроводниковой, пластины, рисунка, рисунком, совмещения, фотошаблона

...световых потоков от участков, ограниченных контурами штриховых знаков фотошаблона и полупроводниковой пластины в совместном изображении указан ных знаков,Известны способы совмещения рисунка фотошаблона с рисунком полупроводниковой пластины при изготовлении интегральных микросхем, основанные на совмещении штриховых знаков.Цель изобретения - повысить точность совмещения на всех стадиях изготовления интегральных схем,Достигается это тем, что в толще полупроводниковой;пластины получают штриховой знак, который в прямом отраженном свете имеет вид темного штриха более широкого, чем штриховой знак фотошаблона, а совмещают указанные штрихи при помощи биссектора. На чертеже показана, последовательность операций при осуществлении описываемого...