Способ прецизионного совмещения рисунков

О П И С А Н И Е 2 ОО 431ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕДЬОВУ Союа Советских Социалистических Республиквисимое от видетельст явлено 17. И 1, 1966 ( 109025 26-1 с присоединением заявкиПриоритет АПК С) 03 Комитет па деламобретений и открытийри Совете МинистровСССР ДК 78,644 (088 публикова 29,И 1.1967. Бюлле нь16 1 Х.1967 ата опубликования описани Авторыизобретения. А, Воителев и мотесо явитель ПОСОБ ПРЕЦИЗИОННОГО СОВМЕЩЕНИЯ РИ В 2 Известны способы прецизионного совмеще. Ния двух рисунков для тех случаев, когда один из них выполнен на прозрачной подложке, например, для совмещения фотошаблонов с рисунком на полупроводниковом материале в производстве интегральных полупроводниковых схем. В основу их положено визуальное совмещение при помощи микроскопа или других оптических систем.Однако в ряде случаев необходимо совместить рисунки, выполненные пе меН, чем на двух непрозрачных подложках. Например, при изготовлении интегральных субсистем необходимо совместить полупроводниковую матрицу с тонкопленочным многослойным рисунком соединений, выполненным на пассивной подложке. Это инвертированный способ присоединения, дающий значительные возмокности повышения надежности аппаратуры при высокой плотности компоновки и степени автоматизации производства, Трудность заключается в том, что в этих случаях нельзя визуально производить совмещение,Предложенный способ прецизионного совмещения рисунков, выполненных не менее, чем на двух непрозрачных подложках, состоит в том, что совмещение осуществляют путем регистрации максимальной величины емкости вспомогательных емкостпых элементов, выпсчненных на этих подложках таким образом,что на каждой подложке наносят часть вспомогательного емкостного элемента,На одной подложке выполнены две илп более вспомогательные фигуры, например, два5 круга, состоящие из двух слоев.Нижний слон - это проводчщии материал,например алюминий, медь или золото, а верхний слой - диэлектри(, например, двуокиськ 1)сън)л, пятпск 11 Гь тантала, двуск 1)сь титана,10 0 к 1 с ь Я;1 1 О х)и и и Я,Ня др)ГОЙ ГОдлсжкс выпс.Нс);а апя,70 Г 111;и 1;Спомсга ГЕЛШЯЯ ф 1)ГУ 17 Я, СОСТОЯЦЯЯ ИЗод):ого слоя проводящего материала, например Я.7 Ом).1;1, мсдп плп золота.15 Бспомогатс.7 ьпыс ф)Птуры могут быть Нанесены, например, путем ссрябстки топих плеск хатер)Ялов, (Ото)ье пскрывя)от всо псЬЕРХ 110 СТ 1 ПОДЛОЖЕК)ЯТЕРПЗЛ 11 Г 10 ДЛОН(КУможет быть напессп катодным распылением,23 рсактпвным распылен)см, испарением в вак, у.;е, хих 11 еск 1) м осажден 1 ем, термчсск 1 к 11)язлсжс)1 пем;1 сгкслетучих сОе 7 П 11 ениЙ, анодпровапием в гязорязряднсй плазме илп в3,7 сктр 11 ческсй ва 111 е, итех реякцп 1 В пярсвоЙ25 фазет. д. Материал может сыть ОбработанфстслптОГ 17 ач)ическпм твлсниех 1, электронПЬМ Л ЧСЪ) И ДР ГИЗ 1 И СПОСсоами.ВспомОГательные фиГуры х 10 ж 110 тяк)ке няпсстп через ъ 1 аски путем, напиыер, пспярс 30 п)я в ьак") хе, катсДНОГО пл реактивпсгс расЗаказ 2905/14 Тираж 535 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова, 2 пыления. Причем маски могут быть как механическими, так и удаляемыми, т. е, наносимыми непосредственно па подложки и удаляемыми после их использования.Вспомогательные фигуры можно получать сочетанием указанных выше приемов.Вспомогательные фигуры выполняют либо одновременно с проведением аналогичных процессов на подложках, например, получением проводящих, диэлектрических, резистивных рисунков и покрытий, и в этом случае способ получения фигур для совмещения связан со способами обработки подложек (как активных, так и пассивных), либо могут быть выполнены самостоятельно, независимо от основных процессов обработки подложек. Перемещение одной подложки относительно другой осуществляют при помощи какой-либо системы, например механической, вручную, или при помощи автоматического контура.При малых размерах вспомогательных фигур могут быть предусмотрены относительно грубая предварительная ориентировка совмещаемых подложек по отношению друг к другуи грубое выставлеппе вспомогательных фигурпутем сканирования вручную либо с помощью автоматического контура.5 Прецизионное совмещение рисунков путемрегистрации максимальной величины емкостивспомогательных емкостных элементов можетбыть использовано для решения других задач, связанных с совмещением двух рисунков,И выполненных не менее, чем на двух непрозрачных подложках,Предмет изобретенияСпособ прецизионного совмещения рисун 15 ков, выполненных не менее, чем на двух непрозрачных подложках, например, при изготовлении интегральных субсистем или гибридных тонкопленочных схем, отличающийсятем, что, с целью повышения точности, нано 20 сят часть вспомогательного емкостного элемента на каждую подложку и регистрируютвеличину максимальной емкости при совмещении этих подложек.