Запоминающее устройство

Номер патента: 520620

Опубликовано: 05.07.1976

Авторы: Жучков, Мочалов, Ткачева

МПК: G11C 11/16

Метки: магнитная, памяти, ячейка

...смещения, ферромагнитнуюаппликацию 4 Г-образной формы и токовыепроводники управления 5 и 6, расположенные перпендикулярно ее сторонам,Г-образная ферромагнитная аппликация4 может быть расположена относительно то,ковых проводников управления 5, 6 уаапЫйвобразом; под проводниками, между ними,над ними - в зависимости от назначения,520620 условий работы и технологических возмож - ностей изготовления устройства,В пластине 1 при наличии постоянного поли смещения, создаваемого источником 3 н напРавленного перпендикулярно к поверхности пластины, под аппликацией 4, играющей роль магнитостатической ловушки, находится домен 2, Под действием градиентного магнитного внешнего поля, создаваемого током, протекающим по проводникам 5 или 6, 10 и...

Номер патента: 902075

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Зуб, Семенович

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...открывается и происходит заряд узловых емкостей 14 и 15 до напряжения логи.ческой единицы. Значение емкости МДП.кон.денсатора 7 при этом становится максимальным, так как под его затвором индуцируетсяканал, служащий второй обкладкой МДП.конденсатора. Во время действия тактового сигнала на шине 8 через МДП-конденсатор 7 назатвор транзистора г передается. дополнительное напряжение. 1 ранэисторы 4, 2 и 6 открыты и на выход 11 ячейки памяти передается напряжение логической единицы, которое запоминается на узловой емкости 16. Однако емкости помнят информацию в течение мало.го промежутка времени (обычно 100 - 300 мкс).Из-эа наличия токов утечки емкости узлов 12 - 16 разряжаются. Величина напряжения логической единицы уменьшается. Поэтому для...

Номер патента: 1780487

Опубликовано: 27.09.1998

Авторы: Егоров, Шишкин

МПК: H03K 19/16

Метки: памяти, энергонезависимая, ячейка

Энергонезависимая ячейка памяти, содержащая сердечник с прямоугольной петлей гистерезиса и обмоткой, первый вывод которой подключен к выходу первого логического элемента, который выполнен в виде элемента И - НЕ, один из входов которого соединен с шиной перемагничивания, триггер, R-вход которого подключен к шине сброса, инверсный выход - к одному из входов второго логического элемента, резистор, один вывод которого подключен к шине питания, и информационную шину, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности и повышения помехоустойчивости, введены дополнительный резистор, транзистор и диод, второй логический элемент выполнен в виде элемента "Исключающее ИЛИ", а триггер - в виде асинхронного RS-триггера на элементах И - НЕ,...

Номер патента: 467405

Опубликовано: 15.04.1975

Автор: Багдасарьянц

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39, G11C 19/34

Метки: многостабильная, памяти, ячейка

...диода 9, шунтируя последний, а эмиттером - с шиной нулевого по тенциала. Позицией 11 обозначен базовый вывод транзистора 6, поз. 12 - базовый вывод транзистора 10.Схема многостабильной ячейки памяти работает следующим образом (рассмотрение 15 проводится для случая трех стабильных состояний). Включение тетристора во второе состояние(основное открытое состояние) осуществляет ся подачей положительного сигнала на первыйуправляющий электрод. Дальнейшее увеличение тока 1 через открытый тетристор 1 не изменяет его состояния, пока величина 1 остается меньше значения тока переключения 1 р.25 Когда ток через открытый тетристор 1 достигает значения 1 п,р, происходит выключение туннельного диода 9 и переход тетристора 1 во второе открытое...

Номер патента: 529485

Опубликовано: 25.09.1976

Автор: Кабанов

МПК: G11C 11/40

Метки: динамическая, памяти, ячейка

...и эткрыт, если хранитлогическую "1".Б режиме считывания напряжения на первой адресной шине 8 повышается до логическэи "1" н тоетий транзистор 3 открывается. Вторая разрядная шина 7 заряжаетсядэ уровня логическои "1". Если ячейка па -мяти хранит "1", тэ разояд;рая шина 7 раз -ряжается дэ уровня лэгическэгэ "0" че 1.;езоткрытые трае 1 зис торы 2 и 3, Если ячейкахранит "0" тэ транзистор 2 закрь;т и наразрядной ше 1 не 7 сохраняется уровень лэгЕческэи "1 ф,В режиме записи уровень лэгическэй "1 подается на втэоук, адресную шину 9 и вгэруЕз 1 азэядеую шин 1 р, тр:11 зе 1 сторы 4 и 1 открьрв;Еются. Записываемая инфэол шия подается на .Ееэвую раззядную шину е (логическии "О" или "1),После заряда или эазряда запоминающего конденсатора 10...