Картушина

Установка для наполнения тары сыпучим материалом

Загрузка...

Номер патента: 1323467

Опубликовано: 15.07.1987

Авторы: Антонов, Бугреев, Бычков, Картушина, Любимов

МПК: B65B 1/12, B65B 1/28, B65B 1/32 ...

Метки: материалом, наполнения, сыпучим, тары

...которые регистрируют его вес.При достижении заданного веса материала во флаконе 34 сигнал от весов 36 поступает на запорные узлы 26 и 28, Запорный узел 26 перекрывает магистраль 25, соединяя внутренние полости камеры 24 и дозирующего узла 2, а запорный узел 28 соединяет камеру 24 с атмосферой. Так как в дозирующем узле 2 пониженное давление, а материал находится только в разгрузочном патрубке 23, воздух, преодолевая сопротивление материала, из камеры 24 устремляется в доэирующий узел 2 через зазор между разгрузочным патрубком 23 и витками шнека 21. Контакт материала со стенками разгрузочного патрубка 23 нарушается, материал в витках шнека только переворачивается без поступательного перемещения, подача материала во флакон 34 шнеком 21...

Эмаль для чугуна

Загрузка...

Номер патента: 532583

Опубликовано: 25.10.1976

Авторы: Адушкин, Антонюк, Демидова, Игнатович, Картушина, Копанев, Кочеткова, Ткаченко, Филатова

МПК: C03C 7/06

Метки: чугуна, эмаль

...служат песок, полевой шлат, бура, кальцинированная сода, натриевая селитра, окись цинка, крислит, кремнефтористый натрий, трехокись сурьмы, мел, циркон, азотнокислый барийУказанную массу перемешивают и плавят. при температуре 1180-1200 С, После гра нуляции расплава эмалевую фритту подвер - гают сушке, сухому помолу до тонины, соответствующей прохождению частиц через сито0056 ГОСТ 6613-73, равной 2%.Полученную эмалевую пудру наносят на раскаленные загрунтованные изделия методом опудривания, далее обжигают в печи при температуре 870-910 С.Описываемая эмаль обладает следующими свойствами:Коэффициент термического расширения Зц.,10 т 1/град в диапазоне 20-400 С 335-370Белизна, %Блеск, %Растекаемость, ммИзобретение поясняетсятавом эмали,...

Эмаль для чугуна

Загрузка...

Номер патента: 532582

Опубликовано: 25.10.1976

Авторы: Адушкин, Антонюк, Вахутинская, Демидова, Игнатович, Картушина, Кочеткова, Ткаченко, Филатова

МПК: C03C 7/06

Метки: чугуна, эмаль

...а, % тем, что эмаль дополгОо, КгО,Г при следуомпонентов, нес. %: о достигает каемость, ммициент термического рения 3 а 1- в диапа-400 С 3 тельно содержищем соотношени 8 ЬгОз 4 - 8 ЕпО 3 -9СаО 2 - 8 ИагО 14 -2 0 49 -58О, О 57 Е,о, 1-6 ВгОз 1 -7 зон Ох 10 тградПотеря веса гралпосле кипячения вод Цель изобретения - повышеи химической стойкости,вления эмали включарасчет и составкомпонентов, плавПолученную эмалераскаленные загруном опудривания, даи температуре 850532582 20/ ный раствор сернойкислоты20%-ный раствор соды ной бане в течение 1 часав реагентах, %:5%-ный раствор солянойкислоты4%-ный раствор уксуснойкислоты О, 10-0,25 0,15-0 ф 40 Изобретение поясняется конкретными составами эмалисодержащими, вес. %: 56 0,5 4,5 1,0 3,0 4,0 22,0...

Эмаль

Загрузка...

Номер патента: 473685

Опубликовано: 15.06.1975

Авторы: Барбуков, Демидова, Игнатович, Картушина, Коноплева, Кочеткова, Филатова, Хлудова

МПК: C03C 7/06

Метки: эмаль

Способ получения сульфидов и селенидов металлов

Загрузка...

Номер патента: 212238

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Андреев, Гусаков, Данилков, Картушина, Погорелова, Сидоров, Томсон

МПК: C01B 17/20, C01B 19/00

Метки: металлов, селенидов, сульфидов

...например кадмий и серу (селен), загружают в виде кусков на дно кварцевого реактора 1 и опускают в разогре тую до 1100 - 1200 С печь 2, Пары серы конденсируются в верхней части реактора, жидкая сера стекает, где вновь испаряется, образуя постоянно поддерживающийся столб паров. Когда нижняя часть реактора нагре вается выше температуры кипения кадмия, начинается реакция синтеза,Сульфид образуется сначала непосредственно над поверхностью металла, а затем реакционная зона перемещается вверх. Синтез сульфида осуществляется в противотоке паров реагирующих элементов.Так как верхняя часть ампулы имеет температуру, ниже температуры кипения серы, окисления серы не происходит; кадмий, находящийся в нижней части реактора, защищен от окисления...