Однотактный динамический инвертор

Номер патента: 725220

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Орловский, Чуев

МПК: H03K 5/20

Метки: компаратор, проводимости, разного, типа, транзисторах

...помехоустбйчивость к воздействию разнообразных помех. В процессе работы сравниваемое напряжение П изменяется в направлении сближения. с опорным уровнем Бор . На конденсаторе 6 напряжение П возрастает, достигая в мо 15 20 25 мент 1 опорного уровня ППри этом траиэистор 1 переходит в активный режим работы и отпирается диод 3; транзистор 2 и диод 4 все еще остаются в запертом состоянии, При выборе .достаточно малым сопротивления резистора 7 и большим сопротивления 5 источник . смещения Е в принципе может и отсутствовать. После отпирания транзистора 1 и диода 3 помехоустойчивость компаратора к изменениям электрического режима работы транзисторов остается на достаточно высоком уровне. Так изменения напряжения источника 40 питания Еп меняют...

Номер патента: 739643

Опубликовано: 05.06.1980

Авторы: Баранов, Герасимов, Кармазинский, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: дополняющих, записи-считывания, запоминающего, мдп-транзисторах, усилитель, устройства

...транзисторы 9 и 10открыты, а транзисторы 5-8 закрыты, ина выходах усилитела поддерживаетса напряжение логического нуляВ режиме считывании транзисторы 7 20и 8 остаются закрытыми, Первоначальносигнал логического нуля подается на шину 13,запирая транзисторы 9 и 10. Узловые емкости на выходах триггера изолированы от источников питания и одна из них 25начинает заряжаться током считывания отвыбранной ячейки памяти, которая черездополнительные транзисторы в памяти подключена к выходам усилителя записи-считывания. После того как напряжение на 30одном из выходов усилителя превысит некоторую величину (разбаланс усилителя),на.вторую шину 1 4 управления подаетсясигнал логического нуля и открываютсянагрузочные транзисторы 5 и 6, После 35этогэ...

Номер патента: 744726

Опубликовано: 30.06.1980

Автор: Хавкин

МПК: G11C 15/00

Метки: запоминающее, мдп-транзисторах, оперативное

...устройства 31 на блокеформирования прямого н инверсного кода адреса происходит заряд паразитных ем. костей шин прямого хода адреса в тех разрядах, где на вхоле запоминающего устройства (ЗУ) устанавливается логическая 1, и разряд в тех, где на входе устанавливается логический 0. стробирующих транзисторов 4 блока формирования прямого и инверсного кода адреса, нагрузочных транзисторов 7 дешифратора строк, нагрузочных транзисторов 2 прикладываются напряжения фазы 111, Поочередная подача фаз 1 и 1 И на эти затворыосуществляется элементом 21 ИЛИ, ко входам которого присоединены шины фаз и 111,Во время лействия фазы 111 во входныхцепях и в дешифраторе протекают те жепроцессы, только происходит заряд емкостейадресных формирователей второй цепи,...

Номер патента: 999104

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Баранов, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: запоминающего, кмдп, оперативного, транзисторах, усилитель-формирователь, устройства

...останется открытым, Схема сохранит(запомнит) установившееся состояниепри любых изменениях информации на 16 входе, так как состояние информацион-.ного транзистора 11 не может повлиятьна уровень логического "0" на первомвыходе 5, соединенном с открытымтретьим транзистором 3;При подаче на информационный вход .13 логического ."0" инФормационныйтранзистор 14 закроется или подза"кроется в случае подачи на вход 13уровня логического "0", величина ко торого близка к порогу переключенияусилителя), Вэтом случае ток, протекающий через второй .транзистор 16обратной связи. и опорныйтранзистор17 (правое плечо усилитля) будетбольше и первый второй третий ичетвертый 1, 2,. 3 и.4 транзисторыустановятсяв состояние, когда навтором выходе 6 будет логический...

Номер патента: 1029227

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Баранов, Герасимов, Григорьев, Кармазинский, Поплевин, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: дополняющих, мдп-транзисторах, считывания, усилитель

...строба, исток - с общей шиной, введены три группы ключевых 60 транзисторов, каждая из которых содержит по два р -канальных транзистора, причем истоки первого и второго транзисторов первой группы сое-, динены с шиной питания, затворы - 65соответственно с выходами первого ивторого инверторов, стоки соответ-"ственно с истоками первого и второготранзисторов второй группы, затворыкоторых соединены со стоками и являются соответственно первым и вторым входами усилителя считывания,которые соединены соответственно систоками первого и второго транзисторов третьей группы, стоки которыхсоединены соответственно со стоками первого и второго нагрузочныхи -канальных транзисторов, затворы -с шиной строба, истоки первого ивторого ключевых р -канальных...