Полупроводниковый триггер

А нйв ОП И СИЗОЬРЕтЕНИЯ 288040 Сойс Советсх Ооцивлистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 07.ъ 11,1967 (М 117032213 24)с присоединением заявкиПриоритетОпублш овано ОЗ.Х 11.1970. Бюллетень,г 36 Кл 21 ат, 3611 МПК И 031 с 2 Комитет по лелем вооретеиий и открытиЯ при Совете Министров СССР71.32 (088.3 ата опубликования описания 5.11.971 Авторыизобретения, А, Пурцхванидзе и В, И. Стафеев Заявитель Г 1 ОЛУПРОВОДН ИКОВЫ Й ТРИ Г ГЕР замость установивезисторе 12 (кри(кривая б) от упвходе Уз Предложение относится к автоматике и вычислительной технике. Устройство предназначено для построения схем с элементами памяти. Известны полупроводниковые триггеры на четырехслойных структурах с общей базовой областью, но с раздельными эмиттерными областями,Предложенный триггер отличается тем, что четырехслойные структуры выполнены с общей эмиттерной областью, причем структуры соединены через резисторы с раздельными источниками питания.Это позволяет упростить схему устройства за счет того, что положительные обратные связи реализуются собственно твердотельной его структурой,Схема триггера изображена на фиг, 1. На фиг. 2 показаны зависимости выходных потенциалов триггера от управляющего напряжения.Триггер содержит две четырехслойные структуры с общей базовой областью 1 и общей эмиттерной областью (эмиттером) 2. Коллекторные р - п-переходы 8 и 4, базовые области 5 и б, эмиттерные области (эмиттеры) 7 и 8 четырехслойных структур выполнены раздельными, Через омические контакты 9 и 10 структуры соединены с источником управляющего напрягкения 11, а через резисторы 12 и 18 - с раздельными источниками питания 14и 15.Триггер работает следующим образом.Общий эмиттер 2 инжектирует неосновные5 носители в общую базовую область 1, гдечасть их диффундирует в сторону эмиттера 7,а часть - в сторону эмиттера 8, При отсутствии внешнего электрического поля в базовойобласти 1 количество инжектируемых и дости 10 гающих эмиттеров 7 и 8 электронов опреде.ляется напряжениями 1/, и Ь; от источников14 и 15.Электрическое поле, создаваемое в общейбазовой области напряжением С/, от источни 15 ка 11, прикладываемым к омическим контактам 9 и 10, увеличивает коэффициент переноса для другой четырехслойной структуры. Следовательно, изменяются и коэффициенты усиления, что приводит к тому, что напряжение20 включения одной структуры уменьшается, адругой - возрастает. Одна четырехслойнаяструктура открывается, а другая остается закрытой, При другой полярности управляющего напрякения К открытая сгруктура закры 25 вается, и зарыа - орыпается,На фиг. 2 показана зависшегося напряжения 11, на рвая а) и 11, на резисторе 1830 равляющего напрякения на3Вначале при нулевом смещении Уз обе четырехслойные структуры закрыты, и напряжение на них практически равняется напряжению соответствующего источника питания. Через четырехслойные структуры текут малые 5токи,Увеличение напряжения от Уз до Гз невлияет на характеристики структур. При напряжении с 1 з = Гз ток в левой структуре (области 2, 1, б, 7) резко возрастает, а напряжение убывает. Структура открывается, и токполностью определяется сопротивлением нагрузки 12 и так же, как и падение напряжения, практически не зависит от багз. Другаячетырехслойная структура (области 2, 1, б, 8) 15при этом остается закрытой. К ней по-прежнему приложено большое напряжение, и черезнее течет малый ток.После уменьшения поля в общей базовойобласти (Уз снова равняется нулю) левая четырехслойная структура открывается, а правая - закрывается. На первом выходе напряжение минимальное, а на втором - максимальное.Все последующие положительные импульсы 25напряжения, так же как и уменьшение напряжения до отрицательного значения багз: - Гз,не влияют на характеристики структур.При напряжении Уз = - Гз закрывается левая четырехслойная структура, а правая от- ЗОкрывается, После снятия напряжения багз триггер сохраняет свое состояние. Дальнейшее увеличение отрицательного напряжения багз, как и все последующие отрицательные импульсы напряжения, снова не влияет на значения выходных сигналов Г, и Г,.Итак, первый положительный импульс напряжения г 1 з величиной более чем Гз включает четырехслойную структуру 2, 1, 5, 7; при этом структура 2, 1, б, 8 не реагирует на этот импульс. По окончании импульса первая четырехслойная структура оказывается открытой, а вторая - закрытой. Из этого состояния полупроводниковый триггер можно вывести с помощью только отрицательного импульса напряжения г.гз(Гз, по окончании которого вторая четырехслойная структура оказываегся открытой, а первая - закрьгтой.Таким образом, триггер имеет два устойчивых состояния. Управление осуществляется полем в толще полупроводника; соответствующим выбором геометрии схемы можно сделать мощность управления достаточно малой.Предмет изобретенг яПолупроводниковьги триггер на четырехслойных структурах с общей базоьой областью, отличагогггсггся тем, что, с целью упрощения схемы, четырехслойные структуры выполнены с общей эмиттерной областью, .причыг структуры соединены через резисторы с раздельными источниками питания,Составитепь В. Игнатущенков Техред А, А. Камышникова Корректор . Л. Дж 2 гиаикулова актор Ь. Фед ипография, пр, Сапунова Заказ 3941 ЦНИИПИ 1 ирагк -1 оО тиитета по делана изооретеиии и откры Москва, Я(-35, Раушская нПолписнонй при ( овете Министров СССРф 5