Универсальный динал1ический элемент

О П И С А Н И Е 253867ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскик Социалистических РеспубликЗависимое от авт, свидетельстваКл. 21 ат, 36/18 Заявлено 16.11.1968 ( 1219014с присоединением заявкиПриоритет -Комитет по делам изобретений и открытийПК Н 031 публиковано 07.Х.1969. Ьюллетень3 ата опубликования описания 3.111.1970 ри Совете Министров СССРАвторизобретени 1: ; -,ттп.ги,А. Г. ФилипповМосковский инженерно-физический институт Заявитель ИВЕРСАЛЬНЬ 1 Й ДИНАМИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕ Это саторь интегр На элеме тактоПредложенный универсальный динамический элемент относится к элементам вычислительной техники и предназначен для использования в цифровых вычислительных машинах и устройствах.Известны универсальные динамические элементы, реализующие функцию И - ИЛИ/ И - ИЛИ - НЕ и состоящие из входных диодных схем И - ИЛИ, цепей регенеративного расширения и инвертирующих транзисторов с цепями форсированного закрывания.Однако наличие в таких схемах конденсаторов и трансформаторов затрудняет, а в,ряде случаев делает невозможным изготовление их по технологии интегральных схем.Предложенный динамический элемент отличается тем, что в нем коллектор первого транзистора соединен непосредственно с базой второго, в схему включен дополнительный транзистор, входная. диодная схема И - ИЛИ которого подключена ко входу элемента, а диод цепи регенеративного расширения - к коллектору второто транзистора. позволяет исключить из схемы конден, повысить быстродействие и облегчитьальное исполнение элемента.фиг. 1 приведена схема предложенногота; на фиг, 2 - временные диаграммыых импульсов,Элемент состоит из входных диодных схемИ - ИЛИ на диодах 1, 2 и резисторах 3, подключенных ко входу 4 первого источника тактовых импульсов ГИь и транзисторов 5 и 5 6. К коллектору транзистора 6 присоединеныдиоды 7 и 8 цепей регенератцвного расшире.ния, содержащих также диоды 9 и резисторы 1 О, подключенные ко входу 11 второго источника тактовых импульсов ГИв, Цепи регене ративного расширения через диоды 12 присоединены к базам транзистора 5 и дополнительного транзистора 18. Ко входу 14 третьего источника тактовых импульсов ГИз и к базам транзисторов 5 и 18 присоединены цепи фор Б сированного закрывания, состоящие из диодов15 и резпсторов 16. Входные диодные схемы И - ИЛИ основного элемента и транзистора 18 подключены ко входам 17 и 18 элементаа.20 Тактовые импульсы (см. фиг, 2) имеют симметричную прямоугольную форму. Импульсы питания соседних элементов сдвинуты относительно друг друга на полперпода, т. е. импульсы ГИ, и ГИ, и соседних элементов меняются 25 местами.При наличии на входах 17 и 18 принятогоза 1 высокого уровня потенциала диоды 1 закрыты, и ток от ГИ течет во время действия положительного импульса через резистозо ры 3 в базы транзисторов 5 и И. Транзистохрел Т П КурилкоТарасова Поднисновобретенийов СССРд. 4 о нографии. ир. Сапунова,ры 5 и 18 открываются, и на коллекторах их устанавливается низкий уровень потенциала, При этом транзистор 6 быстро закрывается, так как база его соединена непосредственно с коллектором транзистора 5. На коллекторе транзистора 6 устанавливается высокий уровень потенциала.После окончания положительного импульса ГИ, транзисторы 5 и 18 остаются открытыми, а транзистор 6 - закрытым благодаря действию цепей регенеративного расширения. Цепи регенеративного расширения питаются от ГИ Поскольку диоды 7 и 8 закрыты высоким уровнем потенциала на коллекторе транзистора 6, через резисторы 10 течет ток в базы транзисторов 5 и 18, поддерживая их В ОТКРЫТОМ СОСТОЯНИИ.Переключение элемента в исходное состояние происходит с приходом отрицательного импульса ГИ если к этому моменту окажется приложенным низкий уровень потенциала хотя бы к одному пз,входов (17 плп 18) элемента. При этом от ГИа через резисторы 16 в базы транзисторов 5 и 18 потечет запирающий ток, обеспечивающий их быстрое закрыгание, Закрывание транзистора 5 вызывает быстрое открывание транзистора 6, на коллекторе которого устанавливается низкий уровень потенциала.Транзисторы 5 и 18 находятся в закрытом, а транзистор 6 - в открытом состояниях в течение всего времени, пока действует низкий уровень потенциала хотя бы на одном из входов. Ток цепей регеперативного расширения течет при этом через диоды 7 и 8 к коллектору транзистора 6.Таким образом, иа прямом выходе 19 элемента будет высокий увровень, а а инверсном выходе 20 - низкий уровень потенциала втом случае, если на всех входах элемента вовремя положительных импульсов ГИ, действует высокий уровень потенциала. Следова 5 тельно, элемент выполняет логическую функцию И 1 И - НЕ.Прп,подключении к точкам соедине ля диодов 2 и 12 дополнительных схем И э,с;,ентвыполняет функцию И - ИЛИ, И - И: 1 10 НЕ.Элемент может работать без третьегора.,- зпстора с относящимися к нему дополнительными логическими цепями. При этом обеспечивается только прямой выход с элемента,15 т. е, реализуемая функция имеет вид И -ИЛИ.Время хранения информации в предлагаемом элементе не зависит ни от каких внутренних параметров схемы, а определяется20 лишь длительностью половины периода тактовых импульсов,Предм ет изобретенияУнпверсальньш динамический элемент, реа лизующий функцию И - ИЛИ/И - ИЛИ -НЕ, состоящий из входных диодных схем И - ИЛИ, цепеп регенератпвного расширения и инвертиру)ощих транзисторов с цепями форсированного закрывания, отличаюи 1 ийся 30 тем, что, с цельо исключения из схемы конденсаторов и повышения быстродействия, коллектор первого транзистора непосредственно соединен с базой второго, и в схему включен дополнительный транзистор, входная диодная 35 схема И - ИЛИ которого подключена ковходу элемента, а диод цепи регенеративного расширения - к коллектору второго транзистора,1 кав 3911 Тираж 480 Ц 11 ИИПИ Комите а ио деламоткрытий при Совете Минист Москва,К 35, Ра шская наб