Логический динамический элемент «не—или» на транзисторах

Номер патента: 218528

Автор: Филиппов

ZIP архив

Текст

ОП ИСАНИ ИЗОБРЕТЕН И К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ Свез Советских Социалистических Республикависимое от авт. свидетельствааявлено 08,17.1967 ( 1148170/26 присоединением заявкииори Комитет ло делам обретений и открытий ри Совете Министров СССРОпубликов 7.7.1968 летеньДата опубликования описания 10.Х Авторизобретения Г. Филипп Заявитель ГИЧЕСКИЙ ДИНАМИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ НЕ - ИЛИ НЛ ТРАНЗИСТОРАХвыполняет функции ГИ, через базе транинен с заза выход соединечерез рези- тактовых и. сдвину- а полперио- запрещаютактовых диод 2 и нденсатора Известны логические динамические элементы НЕ - ИЛИ на транзисторах, содержащие запоминающий конденсатор и диодную переключаюгцую схему.Предложенный логический динамический элемент отличается от известных тем, что запоминающий конденсатор включен между эмиттером входного транзистора и обидней шиной, а база выходного транзистора через резистор соединена с эмиттером входного транзистора и через резистор и диод - с источником тактовых импульсов.Это повышает быстродействие и увеличивает помехоустойчивость,На чертеже приведена принципиальная электрическая схема логического элемента. Источник тактовых импульсоврезистор 1 и диод 2 подключен кзистора 3, эмиттер которого соедпоминающим конденсатором 4, Бного транзистора 5 через резисторна с эмиттером транзистора 3, астор 7 и диод 8 - с источниковимпульсов ГИпричем импульсы Гты относительно импульсов ГИ, нда. Если на входе элемента нетщих импульсов, то от источникаимпульсов ГИ, через резистор 1,транзистор 3 происходит заряд ко 4, при этом транзистор 3усилителя тока.Напряжение на конденсаторе 4 от некоторого отрицательного значения в исходном состоянии увеличивается сначала до нуля, а затем становится положительным. При достижении уровня отпирания транзистора 5, последний открывается и входиг в насыщение.После окончания положительной полуволны диоды 2, 8 и транзистор 3 закрываются. Тралзистор 5 продолжает оставаться в насыщенном состоянии (благодаря тою разряда конденсатора 4 через резистор 6 н цепь базы этого транзистора). Насьпценное состояние транзистора 5 сохраняется в течение всего полупериода,Транзистор 5 запирается после того, какпоступит отрицательная полуволна. При этом с конденсатора 4 снимается оставшийся заряд, напряжение на нем становится отрицательным и фиксируется транзистором 3 на уровне прямого падения напряжения на переходе эмпттер - база. Выходной отрицательный импульс снимается с коллектора тран зистора 5.Если на один из входов элемента подан отрицательньй импульс, перекрывающий по времени положительную полуволну тактовых импульсов, ток через резистор 1 потечет к диоду ЗО 9 или 1 О, Транзисторы 3 и 5 при этом оста.218528 8 о/х. Составитель Д. А. ГречинскийРедактор Е. Семанова Техред А, А, Камышникова КорректорС. А, Муратова Заказ 3817/5 Тираж 530 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова, 2 нутся закрытыми. Таким образом, импульсы на выходе элемента формируются лишь при отсутствии на его,входах запрещающих импульсов, Задержка выходного импульса по отношению к входным составляет полпериода тактовых импулысов. Предмет изобретения Логический динамический элемент НЕ -ИЛИ на транзисторах, содержащий запоминающий конденсатор и диодную переключающую схему, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и увеличения помехоустойчивости, запоминающий конденсатор заключен между эмиттером входного транзистора и общей шиной, а база выходного транзистора через резистор соединена с эмиттером входного транзистора и через резистор и диод - с источником тактовых импульсов, 10

Смотреть

Заявка

1148170

А. Г. Филиппов

МПК / Метки

МПК: H03K 19/084

Метки: «не—или», динамический, логический, транзисторах, элемент

Опубликовано: 01.01.1968

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-218528-logicheskijj-dinamicheskijj-ehlement-neili-na-tranzistorakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Логический динамический элемент «не—или» на транзисторах</a>

Похожие патенты