Импульсное переключающее устройство

ДК 621.375.018.756: :621,395.65 (088.8 Опубликовано 03,11.1969. Бюллстсиь лДата опубликования описа:шя 1.т 11.1969 и Совете Министре СССР. И. 1(уфлевский Е. Ланки Таганрогский радиотехнический институ аявител ПУЛЬСНОЕ ПЕРЕКЛ 1 ОЧА 1 ОЩЕЕ УСТРОЙСТВО Известны импульсные переключающие устройства, управляемые импульсным трансформатором. Если импульсы управления в них поступают по случайному закону и меняют свою длительность, то трансформаторное управление оказывается неприемлимым из-за необходимости конструктивного усложнеи)я трансформатора, обусловленного противоречиями предьявляемых к нему требований.Г 1 редлагаемое устройство отличается ог известных тем, что коллектор управляющего транзистора, связанный гальваничсски с коллекторами транзисторов ключевого каскада, соединен с эмиттером дополнительного диффузного транзистора, база которого включена непосредственно между коллектором повторителя и резистором, соединенным с отрицательным полюсом источника питатия, при этом участок база - эмиттер дополительного транзистора зашунтирован диодом, подкл)оченным катодом к эмиттеру, а коллектор этого же транзистора гальванически связан с упомянутым отрицательным полюсом источника питания. Это ускоряет процесс рассасывания неосцовных носителей базы ключевого каскада и повышает его быстродействие,Электрическая схема предлагаемого переключающего устройства приведена на чертеже. В исходном положсшш транзистоо у, выполняющий роль э:)и)ттеРного повтор )-)сля с частичной коллскторной нагрузкой и гиде резистора 2, и упрявляюшии транзистор 3 за перты с помощью добавочного источника питаци 51, подклОчяс:о О 1; зажим 5 4. Транзистор 5 стянут в точку, т. е. напряжение между его электродами равно нулю.Г 1 срсдний фронт отрицательного импульса 10 управления открывает последовательно транзисторы 1 и,. Блаодаря тому, что транзистор 5 по-п 11 сукпс) Закрыт, Вссь ток упрявлеии 5 ЗяхЫкястся по цсп)1 псрсход коллсктор - эмиттер транзистора 5 -псрсход колл:ктор - 15 оаза сплавных траизис)оров 6 и , Образу 10- щих ключевой каскад в инверсном включении. Вели шна тоня управления определяется резистором 8. 11 о окончяПш действия управляющего импульса транзисторы 1 и д закры ваются, Я транзистор 5 открывастся за счетОстаточного няпр 51 жения х:сжду ко,1 лекторо. 1 базой киочсвых тряиз;стороь.Рассасывапис иеосцовиых носителей базытрянзисто 10 в 6 и 7 происходит по низкоох)- 25 ц, й цепи :)Я;ыщс: цый псрсход коллсктор эмиттер тряп 5 - сопропвлсиис ИС 10 ЧНИКЯ ПИТЯИ)51, ОТРИЦЯТЕЛЫ 1 ЫХ ПОГИОСОХ) полключеиг 10 го 1, зажим, 9. Благодаря этому задний рронт формируемого импульса резко 30 уменьшается, приолижаясь по величше к)иктор С). Филипова 1 скрсл Л, 5. Левина 1,оррсктор Г. И, Плешакова Тра)к .180салаги ивоврстсиии и окрвгти ири Сове МОСКВа. 11 сцтр, Ир. СерОВВ, 5 Ь 1; к;ш 1 1 ТЗ .ц 1111 ППИ 1,и итсга Подписное ов СССР Мииис ии, ир, Сапунова,Тииоп длительности переднего фропта. Длитсгь 1 ос 1 ь ис)сдисГО )роптя Оирсдслястся ско ростпо исрсклю С ия д;ффузиых три.чсТ)- )ОВ ИРЯВ 151101 ЦС 10 УСИЛИТСЛ 5.Га Нм образом, транзистор .) - уп р авляоЦпй, 1 РспЗИСТО) д - ВСПО)ОСЛ 1 Ии й, ДО- иоанкесл,но ввсдсииый в устройсво. ТргиЯи - стор 1, включси;ый по схеме с коллскториоэ)и тсриои иеГ)1 Экой, с 1 жи 1 Одновре)енпо, кяк э)итс)ии по)ТО)1 тель, 01 фериь 1) кяскадо)1 диод 10 защищает от пробоя в обратном и "прявлсиии переход эмнтср - ояза тряизистора,). 11)иульсиос псрсклочающсс усройство, СО;СР)КЯЦСС И Я ВХОДС ЭМ И 1"1 С И Ы 1 ИОВТО)И- тель, гальваи:чески соегиисии,й с базой уиравляющего трапзистора, а иа выходе ключевой каскад с инвсрсио включенными ,иля:шыми траизисторами, ог,ицаОиееся тем, что, с целью ускорения процесса рассасыва игя нсосновных Носителей базы кл 0 евогокаскада и повышения его быстродействия, коллеСтор управляющего транзистора, связгииый гальванически с коллекторами транзисторов ключевого каскада, соединен с эмитте ром дополшггсльного диффузного транзистора, база которого включена непосредственно между коллектором повторителя и резистором, соединенным с отрицательным погносом ИСТО:ИИКЯ ПятаиЯ, ПРН ЭТОМ УсЯСТОК ОЯЗЯ 15 эмггтер дополнцельного транзистора зашуигировап диодом, подключсиным катодом к Э.И 1"С)У, Е КОЛ.СКТО) ЭТОГО ЖЕ Т)ЯНЗИСТОРЯ ГЯЛ 1 ВИ 1 гЕСК: СВ 5 зап С УИО."15 ИУТЫ) ОТРИИЯ- слыым полюсом источника питаиия.