H03F 3/30 — несимметричные двухтактные усилители; фазовращатели для них

Номер патента: 2266

Опубликовано: 31.01.1927

Авторы: Грин, Франклин

МПК: H03F 3/30

Метки: высокочастотных, колебаний, усиления

...конденсаторами С, С-. Р; емкость всех конденсаторов одинакова и равна емкости между А и 6. Омическое сопротивление названных плеч должно быль также одинаково, для чего в цепи мо - стика включаются небольшие регулировочные омические сопротивления г 1. г.", г и г 4. Между общей точкой 3 конденсаторов (, и С и землей включен еще небольшой конденсатор п, Емкость этого конденсатора должна быть равна емкости между сеткой 6 и нитью накала Р лампы. Первичная цепь присоединяется к точкам 1 и 2, а цепь сетки - к точкам 3 и 4,В первичную цепь включены индуктивные сопротивления Г и 1.-, а также конденсаторы переменной емкости К и К, выполняемые отдельными от образующих мостик конденсаторов и включаемые параллельно этим последним. Является,...

Номер патента: 11005

Опубликовано: 30.09.1929

Авторы: Бонч-Бруевич, Кугушев

МПК: H03F 3/30

Метки: низкой, усилительное, частоты

...устройство, схема которого изображена на чертеже, состоит во-первых из генератора высокой частоты, частота колебаний генераторного контура ЫС 1 которого изменяется при помощи модулятора М, и во-вторых резонансного контура (фильтра Сф.ф), последовательно с которым включен выпрямитель 0 и нагрузка (Сс - Р), при чем параллельно с выпрямителем и нагрузкой включена реактивная катушка Лу.Колебания генератора ЫСй попадают в ртутный или катодный выпрямитель Й, пройдя через фильтр СфЛф, Если этот фильтр настроен на частоту контура ЫСй, то он не пропускает колебаний и в детектор П не попадает тока.При расстройке же контура ЫСй относительно фильтра, последний пропускает через себя колебания,которые, пройдя через выпрямитель Ю и...

Номер патента: 92509

Опубликовано: 01.01.1951

Автор: Круглов

МПК: H03C 1/16, H03F 3/30

Метки: колебаний, модулированных, усилитель

...на аноде уменьшается пропорциональ. но уменьшению амплитуды колебаний в цепи сетки В минвальном режиме на аноде лампы 1 остается очень небольшое напряиение, достаточ ное лишь для поддержания прохождения тока через дроссель 4. Таким образом, в отрицателыный полупериод модуляции на анодном дросселе 4 развивается напряжение противоположного знака и,происходит накопление энергиями.Предлагаемый усилитель может быть такие выполнен в других варвантах, Например, можно продать на лампу 2 такое же анодное напря. жение, как и на лампу 1, но коэффициент связи лампы 2 с анодным контуром 3 уменьшить в два раза. В этом случае лампа 2 должна быть Бе. сколько больше по номинальной мощности, чем лампа 1.П р едм ет изо б ретения1 Усилитель...

Номер патента: 234458

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Кишев, Оранский, Шапкайц

МПК: H03D 13/00, H03F 3/30

Метки: усилитель, фазочувствительный

...усилителя.Принципиальная электрическая схема(ФЧУ) приведена на чертеже.5 Фазочувствительный усилитель состоит издвух дифференциальных каскадов (транзисторы 1, 2 и 3, 4), работающих в линейном режиме, транзисторных ключей 5, б, входного согласующего 7 и опорного 8 трансформаторов.10 ФЧУ работает следующим образом,Пусть фаза входного сигнала совпадает сфазой опорного, т. е. пусть транзисторы 1 и 5 открыты, первый под действием положительной полуволны гармонического напряжения, а 15 второй под действием положительного коммутирующего (опорного) импульса. Тогда ток течет через резистор 9 и транзисторы 1 и 5, при этом транзисторы 4 и б закрыты. Ток, протекающий через резистор 10, равен нулю.20 В следующий полупериод проводят транзисторы 4 и...

Номер патента: 297112

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Голубев, Тихонов

МПК: H03F 3/30

Метки: двухтактный, мощности, последовательный, транзисторах, усилитель

...обеспечивают прохождение тока в нагрузку 3 от источников 4 и 5 питания. В цепь эмиттера транзистора 1 включен диод б, напряжение с которого подается на переход эмиттер - база вспомогательного транзистора 7. Источник 8 усиливаемого сигнала включен между базой транзистора 1 и источником 5 напряжения. Ток диода и эмиттерный ток транзпс напряжением па соответст что легко достигается при лагаемой схемы в виде пол 5 тегральной схемы, эмиттерра 7 будет равен току диод но, ток коллектора транзис току коллектора транзисто вии тока нагрузки коллект О стора 7 будет определятьстивленпя 9 и напряжением ния. 11 ри отрицательном выходном напряжении ток нагрузки проходит через транзистор 1. Ток коллектора транзистора 7 при этом увеличивается, транзистор...

Номер патента: 387494

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H03F 3/30

Метки: 387494

...обратной связи.Однако известный усилитель отличается нестабильностью усиления и конструктивной сложностью.Целью изобретения является улучшение стабилизации усиления.Для этого выход усилителя постоянного тока соединен со вторым входом синхронного детектора через цепь отрицательной обратной связи.Сущность изобретения поясиена чертежами.На фиг. 1 приведена блок-схема усилителя, па фиг. 2 - вариант реализации усилителя с применением интегральных схем.Усилитель содержит усилитель 1 переменного тока с регулируемым усилением; синхронный детектор (СД) 2, усилитель 3 постоянного тока (УПТ), цепьной связи.Усилитель работает следующим образом(см. фиг. 2),5 Входной сигнал У через усилитель 1 переменного тока поступает па первый вход СД2. На второй...

Номер патента: 1686694

Опубликовано: 23.10.1991

Автор: Кузьменко

МПК: H03F 3/30

Метки: транзисторный, фазоинвертор

...поабсолютной величине от нуля до величинынапряжения питания, благодаря чему и расширяется динамический диапазон фазоинвертора. Входной ток фазоинверторапропорционален входному напряжению,которое уравновешивается падением напряжения на сопротивлении резистора 4, ападение напряжения на коллекторном переходе транзистора 6, равное падению напряжения на резисторе 4, обеспечивает протекание через базу транзистора 1 тока, равного току базы транзистора 2, При этомвыходе она на такую же величину уменьшается и, наоборот,5 Работа фазоинвертора,схема которогоизображена на фиг.2 отличается только принципом деления входного тока между. базами транзисторов 1 и 2. Переходы базаэмиттер транзисторов 7 и 8, образующих 10 40 50 15 20 25 если на одном...