Формирователь сигнала выборки на мдп-транзисторах

) 4 Н 03 К 5/02 17 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ гр;,у 1 ч ОБРЕТЕНИЯ ОПИСАН К АВТОРСКОМ ЕТЕЛЬСТ.87. Бюл. Я 34уй, Г,Б.Вецгринаренко74 (088.8)т США 1 4347448,17/687 ь 31.08.8цгва 1 оГ Бо 11 с 1-Б1983, 1 5, р,535 накопительных элемене подключения емкоссточнику питания ченый транзистор,а также перезаряда ег тов в реэульт и нагрузки кез дополнител еден еще трех транзисторов ного ицвертора для у влеци м трацзисторо потенциала н в процессевыходную щину.ключевой 1,очный 3 трацлюченодкачк ормиров ередато исторы,ател содержит 2 и нагруз енсатор 4, ертор 9, щ дцые 11 и Инвертор 9 сторы тра 54) БОР КИ ФОРМИРОВАТЕЛЬ СИГНАЛАП-ТРАНЗИСТОРАХИзобретение может быт ицы: и 14, об имеет тания ую 15 6, 7 и 8 О и 6, тактовую 12 и вых нен в(57) хо споль - эапоми 17, од 1 виде ыполза нденс -тран ова истора я пер и вычис- бретеция х ус ьной ающ вор ко торого являе й конленсато вои объеди й обт бкладкоенные мироваа то ние быстродеиств достигается пчт сток и исто 3, 1 з и, ф-л(56) Патекл. Н 031 ЕЕЕС 1 гец 1 тз,нтегральных схема ройств импульсной техники. Пель изо ЗС 1 Я 13,; 13 1 ИБЛКР.":Е А4) 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Изобретение относится к импульсной и вычислительной технике и можетбыть использовано в интегральныхсхемах запоминающих устройств.Цель изобретения - повышение быстродействия устройства за счет устранения влияния емкости нагрузки наскорость переэаряда узлов устройствапутем подключения емкости нагрузкик источнику через дополнительныйтранзистор, а также введения еще трехтранзисторов и одного инвертора дляуправления переключениями транзисторов и процессом подкачки потенциалана выходную шину.На чертеже приведена принципиальная схема формирователя.Устройство содержит ключевой 1,передаточный 2, нагруэочный 3 тран- .зисторы, конденсатор 4, первый 5,второй 6, третий 7 и четвертый 8транзисторы, инвертор 9.Стоки нагрузочного 3 и четвертого8 транзисторов подключены к первойшине 10 питания, а выходная шина 11соединена с источниками первого 5 ичетвертого 8 транзисторов, стокомключевого транзистора 1, а также сзатвором третьего транзистора 7 ивходом 12 инвертора 9, выход 13 которого соединен с затвором второготранзистора 6,Входная шина 14 подключена к затвору ключевого транзистора 1, истоккоторого соединен с источником второго транзистора 6 и подключен к общейшине 15,Сток и затвор первого транзистора5 подключены к второй шине 16 питания. Сток и затвор передаточноготранзистора 2 и исток нагрузочноготранзистора 3 соединены с первой обкладкой конденсатора 4, вторая обкладка которого через третий транзистор 7 подключена к тактовой шине 17.Затворы нагрузочного 3 и четвертого 8 транзисторов, исток передаточного 2 и сток второго 6 транзисторовобъединены, а инвертор 9 включен между второй шиной 16 питания и общейшиной 15.Конденсатор 4 выполнен в видеМДП-транзистора, затвор которого является первой обкладкой конденсатора,а объединенные сток и исток - второйобкладкойУстройство функционирует следующим образом. На первую шину 10 питания подается постоянное напряжение, величина которого достаточна для формирования выходного сигнала заданной амплитуды. Напряжение на второй шине 16 питания меньше этой величины.Когда на входную шину 14 поступает сигнал "1", на выходной шине 11 устанавливается нулевой исходный уровень сигнала. Одновременно закрытый третий транзистор 7 блокирует подачу импульсов с тактовой шины 16 на конденсатор 4. Сигнал "1" с выхода 13 инвертора 9 открывает второй транзистор 6 и разряжает узел 18, образованный затворами нагруэочного 3 и четвертого 8 транзисторов, до потенциала общей шины 15, так что эти транзисторы закрыты и изолируют вы-ходную шину 11 от первой шины питания,Когда на входную шину 14 поступает сигнал "О, на выходной шине 11 за несколько циклов действия тактового сигнала по тактовой шине 17 происходит формирование выходного единичного сигнала.В этот период нагрузочный транзистор 3, а также третий транзистор 7 открыты, а второй транзистор 6 заперт.Сигнал "1" на выходной шине 11 появляется сначала за счет открытого транзистора 5 от второй шины 16 питания, а дальнейшее увеличение его амплитуды происходит от источника, подключенного к первой шине 1 О питания через четвертый транзистор 8;С приходом переднего фронта импульса по тактовой шине 17 через открытый третий транзистор 3, конденсатор 4 и передаточный транзистор 2 в диодном включении заряд передается в узел 18 и поступает на затвор четвертого транзистора 8, который открывается. По приходу заднего фронта тактового импульса ток через конденсатор 4 течет в обратном направлении, но узел 18 не разряжается, так как передаточный транзистор 2 включен как диод. Спад потенциала на первой обкладке конденсатора 4 компенсируется током через открытый нагрузочный транзистор 3 от источника, подключенного к первой шине 10 питания.з 13380244 10 Составитель В.ЛементуевТехред М,Дидык Редактор Н.Киштулинец Корректор С.Шекмар Заказ 4143/54 Тираж 901ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4 С приходом второго тактового импульса процесс повторяется и узел 18 заряжается до более высокого потенциала и соответственно благодаря четвертому транзистору 8 на выходной шине 11 также увеличивается уровень сигнала.Таким образом происходит увеличение амплитуды выходного сигнала до величины, близкой к напряжению на первой шине 10 питания. Увеличение быстродействия достигается эа счет того, что в первую 15 очередь емкость узла 8 перезаряжается значительно быстрее, так как емкостная выходная нагрузка подключена к этому узлу не непосредственно, а через четвертый транзистор 8, Это 20 также Йозволяет увеличить частоту генератора, подклюЧенного к тактовой шине 17. Формула изобретения 25 1.Формирователь сигнала выборки на МДП-транзисторах, содержащий ключевой, передаточный и нагруэочный транзисторы и конденсатор, первая 30 обкладка которого подключена к истоку нагрузочного и к объединенным между собой затвору и стоку передаточного транзисторов, исток передаточно го и затвор нагруэочного транзисторов объединены, сток нагруэочного транзистора подключен к первой шине питания, а затвор, исток и сток ключевого транзистора подключены соответственно к входной, общей и выходной шинамустройства, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повыше ния быстродействия, в него введены четыре транзистора и инвертор, включенный между общей шиной и второй шиной питания, к которой подключены также сток и затвор первого транзистора, исток которого соединен с выходной шиной, сток второго транзистора, исток и затвор которого соединены соответственно с общей шиной и выходом инвертора, подключен к затворам нагрузочного и четвертого транзисторов, вход инвертора и затвор третьего транзистора, который включен между тактовой шиной и второй обкладкой конденсатора, подключены к выходной шине, а четвертый транзистор включен между первой шиной питания и выходной шиной,2, Формирователь по п.1, о т л ич а ю щ и й а я тем, что конденсатор выполнен в виде МДП-транзистора, затвор которого является первой обкладкой конденсатора, а объединенные сток и исток МДП-транзистора являются второй обкладкой конденсатора.