Патенты с меткой «плтгет1ш-тгш»
Всесоюзная плтгет1ш-тгш: ; е; л=
Номер патента: 363194
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Артюх, Вычислительной, Готлиб, Загурский
МПК: H03K 17/28, H03K 5/13
Метки: всесоюзная, плтгет1ш-тгш
...снимается с туннельного диода 2.Исходным для бцстабцльцой ячейки является нулевое состояние. Прц этом напряжение на туннельном диоде 3 мало, через этот диод резистор 4 и резистор 7 протекает ток. Напряжение на базе транзистора 1 релаксатора мало для переключения туннельного диода 2, находящегося в нулевом состоянии.Входной импульс, поступающий через диод 8 на тунцельный диод 3, переводит бистабильную ячейку в единичное состояние. При этом напряжение на туннельном диоде т и на аноде разделительного диода 9 скачком возрастает.л 9 переходит в цепроводящее состояние, и т анее протекавший через него, переклю363194 Состагп тель Г. Челейаракова Текред Т. Ускова Корректоры Е. Сапунова и Л. Новожилов Редактор аказ 988 Изд.54 Тираж 404 Подписи...