Всесоюзная плтгет1ш-тгш: ; е; л=

ОП ИСАНИ ЕИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВМДЕТЫЬСТВУ Сяз Советских Социалистических Республикависимое от авт. свидетельства- аявлено 08 11.1 971 ( 1626195/26-9) 1. Ел. Н 031 с 5,13 1 0 1( 8 вкц ."чо присоединением з Комитет по делам обретений и открытийПриорите ри Совете Министр СССР. Готлиб и В. ртюх,ики и вычислительнои техникиЛатвийской ССР нститут элект аявител ТРОЙСТВО ЗАДЕРЖ и импульснац но, например, х быстродейля формироьнасти, для 5в устройсти импульсов,сторе с тунпи и бистау с транзисез резистор а релаксатора.Однако такое устройство, характеризующееся высокой стабильностью и малым временем восстановления, не обеспечивает возможности регулирования времени задержки выходных импульсов относительно входных.Цель изобретения - регулирование интерв лов задержки в широких пределах.Она достигается тем, что между баз нзистора релаксатора, подсоединенной еременный резистор к источнику нап коллекторного питания, и выходом би ной туннельно-диодной ячейки введен тельный полупроводниковый диод.На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого устройства.Оно содержит релаксатор на транзисторе 1 ои тра через п ряжен стабил раздел ия ьЭ Дио ок, р 0 Изобретение относится к област техники и мажет быть использова для согласования задержек в цепя ствующих устройств автоматики, д вация импульсов заданной длител моделирования задержек сигнала вах вычислительной техники.Известно устройство задержк содержащее релаксатор на транзи нельным диодом в эмиттерной це бильную туннельно-диодную ячейк тором сброса, база которого чер соединена с эмиттером транзистор с туннельным диодом 2 в эмцттерной цепи, бистабильную туннельно-дцодн ю ячейку, состоящую из туннельного диода 3 н резистора 4, с транзистором 5 сброса, база которого через резистор б соединена с эмцттером транзистора релаксатора и перемеццтяй резистор 7. Диод 8 служит для подачи импульса установки бистабильной туннельно-дцодцой ячейки в единичное состояние. Разделительный полупроводниковый диод 9 введен межг базой транзистора 1 релаксатора, подсоединенной, в свою очередь, через перемеццый резистор 7 к источнику напряжения коллекторцого питания, и выходом бистабильцой туннельно-дцодцой ячейки. Выходное напряжение снимается с туннельного диода 2.Исходным для бцстабцльцой ячейки является нулевое состояние. Прц этом напряжение на туннельном диоде 3 мало, через этот диод резистор 4 и резистор 7 протекает ток. Напряжение на базе транзистора 1 релаксатора мало для переключения туннельного диода 2, находящегося в нулевом состоянии.Входной импульс, поступающий через диод 8 на тунцельный диод 3, переводит бистабильную ячейку в единичное состояние. При этом напряжение на туннельном диоде т и на аноде разделительного диода 9 скачком возрастает.л 9 переходит в цепроводящее состояние, и т анее протекавший через него, переклю363194 Состагп тель Г. Челейаракова Текред Т. Ускова Корректоры Е. Сапунова и Л. Новожилов Редактор аказ 988 Изд.54 Тираж 404 Подписи ЦИИ 11 ПИ Когиитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров ССС оозполиграфпрогиа, Москва, Г, ул. Маркса - Энгельса, 14. ппогоарпи 14 о чается в базу транзистора 1, барьерная и диффузионная емкости перехода эмиттер-база которого начинают заряжаться черз токозадающий переменный резистор 7. Бистабильпая ячейка в течение времени заряда емкостей пе рехода находится в единичном состоянии, так как ток протекает через резистор 4 и туннельный диод 1.Когда напряжение эмттер-база транзистора 1 достигает величины, достаточной для пе реключения туннельного диода 2, напряжение па последнем скачком возрастает. Это напряжение через резистоо б воздействует на базу транзистора 5 сброса, который открывается и устанавливает бистабпльную ячейку в нулевое 15 состояние, что, в свою очередь, вызывает отпирание разделительного диода 9, шунтирующего базу транзистора 1, Заряд, пакоплешый па емкости перехода эмпттер-база транзистора 1, быстро рассасывается, туннельный диод 2 воз вращается в исходное состояние,и устройство оказывается готовым к повторению цикла задержки, На туннельном диоде 3, таким образом, образуется импульс, длительность которого равна времеш задержки, а па туннельном 25 диоде 2 образуется короткий импульс, задержанный относительно входного на то же время и совпадающий по времени со срезом импульса на туннельном диоде 3. С помощьютокозадающего резистора 7 можно менять ток заряда емкости перехода эмиттер-база транзистора 1 и, тем самым, время задержки. Подключением конденсатора параллельно эмиттер-базовому переходу транзистора 1 можно расширить диапазон задержек в область больших времен. Предмет изобретенияУстройство задержки импульсов, содержащее релаксатор на транзисторе с туннельным диодом в эмиттерной цепи и бистабильную туннельно-диодную ячейку с транзистором сброса, база которого через резистор соединена с эмиттером транзистора релаксатора, отличающееся тем, что, с целью регулирования интервалов задержки в широких пределах, между базой транзистора релаксатора, подсоединегшой через переменный резистор к источнику напряжения коллекторного питания, и выходом бистабильной туннельно-диодной ячейки введен резделительный полупроводниковый диод.