185962

Номер патента: 1559993

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Голант, Снегирев, Тагер

МПК: H01L 29/93

Метки: диод, полупроводниковый, туннельно-пролетный

ТУННЕЛЬНО-ПРОЛЕТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД с резонансно-туннельной инжекцией носителей заряда, содержащий со стороны эмиттерного контакта двухбарьерную квантовую гетероструктуру с двумя барьерными слоями широкозонного полупроводника толщиной b1, b2 и расположенным между ними слоем узкозонного полупроводника толщиной а, образующим квантовую потенциальную яму с дискретным спектром поперечных составляющих энергии и импульса электронов, а также пролетный участок толщиной W, выполненной из узкозонного полупроводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения отрицательного сопротивления, КПД и полезной мощности диода в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн, толщины полупроводниковых слоев а, b1 и...

Номер патента: 855953

Опубликовано: 15.08.1981

Автор: Чирков

МПК: H03K 3/315

Метки: диоде, триггер, туннельном

...- к входу триггера, причем магниторезистор размещен внутри катушки индуктивности.На чертеже представлена принципиальная схема триггера на туннельном диоде.10 Устройство содержит шину 1 запускающих импульсов, конденсатор 2, магниторезистор 3, резистор 4, резистор 5, туннельный диод 6, инвертор 7 на транзисторе с катушкой индуктивности, причем магниторезистор 3 помещен в катушку индуктивности 1 инвертора 7. Триггер работает следующим образом.В отсутствие запускающего импульса туннельный диод 6 находится в низковольтном состоянии, инвертор 7 закрыт, катушка индуктивности инвертора 7 обесточена, магниторезистор 3 имеет сопротивление К ь При855953 Формула изобретения Составитель А, Янов Редактор И. Касарда Техрсд А. Бойкас Корректор...

Номер патента: 327563

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Карлинский

МПК: H03B 7/08

Метки: генератор, диоде, туннельном

...цо соединенные резистор 4, индуктивный двухиолюсник 5 и пьсзоэлектрцческий резонатор б, зашунтиро ванный конденсатором 7. Частотная характеристика 1(а) сопротивления двухполюсника имеет один нуль и более.При отключенном пьезоэлектрическом резонаторе туццельцый диод нагружен ца постоян цое сопротивление и в схеме колебания отсугствует. При включенном пьезоэлектрическом резонаторе ца генерируемой частоте возникновение резонансов в каждоц из ветвей, подключенных параллельно туннельному диоду, про исходит почти независимо от состояния соседней ветви. Поскольку 1.,(о) ца генерируемой частоте имеет параллельный резонанс из-за предварительной пастройи, а в емкостцой ветви параллельный резонанс возникает вслед ствие действия пьезоэлектрического...

Номер патента: 439061

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Артюх, Вычислительной, Загурский, Институт

МПК: H03K 3/315

Метки: диоде, релаксатор, туннельном

...подключен эмиттер транзистора 6, коллектор которого соединен с общей шиной непосредственно, а база - через резистор 7,Работает релаксатор следующим образом.Входяой сигнал с,крутым фронтом диффереицируется цепочкой из конденсатора 1,и резистора 2. Продиффервнцированный сигнал запускает туннельный диод 5, который переключается в вьесоковольтное состояние и, запирая диомед 4, переключает ток в цепи тран 5 зистора 6.В силу эффекта модуляции сопротивлениявыходной цепи транзистора 6 амплитуда импульса напряжения на туннельном диоде 5 и наорузочная способность релаксатора по 10 выходу определяются резистором 3, В начальный момент,переключения ответвление тока в цепь транзистора 6 незначительно. Это объясняется большим сопротивлением хронирующей...

Номер патента: 1003701

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Климойц, Костенко, Пупцев, Стрельников

МПК: H01L 29/88

Метки: диод, туннельный

Туннельный диод, содержащий области p- и n-типа, образующие p - n-переход, сформированный в эпитаксиальном n-слое, нанесенном на полупроводниковую подложку и омические контакты к p- и n-областям, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей диода, со стороны подложки до базовой области выполнен паз, причем в пазе, а также на эпитаксиальном слое между омическими контактами к p- и n-областям над базой расположены изолированные электроды.