Мыльница

Номер патента: 1364424

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Быховский, Карасев, Клубникин, Кряков, Медведев, Смирнова, Стрункин, Фадеев, Юрков

МПК: B23K 1/20

Метки: композиции, контактов, поверхности, серебро-графит, формирования

...лучше применять ламинарное истечение струи с числом Рейнольдса не более 500. Переходный режим истечения плазменной струи дает неравномерное кусочно-поверхностное обезуглероживание композиции,1Способ осуществляется следующим образом.В плазмотроне с помощью электродугового разряда создается воздушно-плаэменный поток с заданной плотностью О, 1-0,9 кВт/см с температурой 3000-8000 К на расстоянии от среза сопла 70-100 мм. Плотность теплового потока выбирается в каждом конкретном случае в зависимости от содержания графита в композиции. В качестве плазмообразующего газа используется воздух. Расход плаэмообразующего газа выбирается в зависимости от использования турбулентного или ламинарного истечения плазменнойструи.Турбулентному...

Номер патента: 1683922

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Быховский, Карасев, Клубникин, Кряков, Масленников, Медведев, Смирнова, Юрков

МПК: B23K 1/20

Метки: композиции, контактов, поверхности, серебро-графит, формирования

...101 При плазменном нагреве с последующим резким охлаждением процесс обезуглероживания контакта проходит следующие стадии. Графит под воздействием переднего фронта плазменной струи выходит на поверхность контакта, При этом температура поверхности контакта 400- 700 С, Графит, покрывающий поверхность контакта, под воздействием ядра плазменной струи сгорает, В этом момент на поверхности контакта образуется обезуглероженный слой серебра. При этом температура контакта 700-900 С.Следов графита в образованном подслое не наблюдается.Как показывают эксперименты, следы графита появляются в результате вторичного выхода графита сквозь толщу подслоя иэ серебра в результате воздействия на поверхность контакта заднего фронта плазменной струи.П р...

Номер патента: 649629

Опубликовано: 28.02.1979

Авторы: Золотухина, Ягужинский

МПК: B65G 17/20

Метки: грузовых, конвейера, останова, подвесного, тележек, толкающего

...конец которого несет стопорну 1 опластину 5, а на верхнем конце закреп 15 лен контргруз б. На корпусе установленэлектромагнит 7 или другое проводное устройство, например пневмоццлиндр, Якорьэлектромагнита через стержни 8 приводитрычаг в движение. Величина хода рычага20 регулируется упорным болтом 9. Стопорная пластина имеет наклонный участок а,горизонтальный участок б и стопорный выступ в. Передний упор 1 О тележки 11 выполнен уширенным, Рычаг и стопорная25 пластина располагаются относительнотрассы конвейера таким образом, что поверхность контакта етопорцой пластины суширенной частью переднего упора в пери.од стопоренця тележки смещена в сторонуЗО за габарит движения толкателей 12 ц зад.него упора И тележки, а вертикальная плоскость...

Номер патента: 971217

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Джинджолия, Ревишвили

МПК: A23F 3/00

Метки: измельчения, листа, чайного

...к плоскости вращения кромки - наиболее равномерному измельчению и диффундированию клеточного сока на поверхность листа. 55Расположенная в конце механизма дробления насадка, имеющая Формуусеченного конуса со ступенчатой 17внутренней поверхностью, способствует образованию второй активной зоныдавления, где раздавленная и измельченная чайная масса смешивается, клеточный сок максимально диффундируется на поверхность и равномерно перераспределяется по всей массе, чаинки приобретают закрученную форму,характерную для байхового черногочая.На Фиг. 1 изображено предлагаемоеустройство для измельчения чайноголиста; на фиг, 2 - разрез Я-Я наФиг. 1; на фиг, 3 - разрез Б-Б нафиг. 1; на фиг. 4 - разрез В-В наФиг, 1; на фиг. 5 - палец Г-образной формы с...

Номер патента: 1814445

Опубликовано: 10.09.1996

Авторы: Балбуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, островков, поликристаллического, полупроводниковых, профилем, структур, ступенчатым

...следующее ограничение на ширину уступа:уст. - крит.раза, (8)где Ьу - ширина уступа фоторезистивной маски относительно края островков поликристаллического кремния,Добавив в правую часть соотношения (8) величину (Ь-Ь,), которая всегда больше нуля, ибо в противном случае проблем с обрывами межкомпонентной разводки на островках поликристаллического кремния не возникало бы, мы еще более уменьшим вероятность появления несплошной пленки межкомпонентной разводки на ступеньке:уст, - крит.раза. ("пкк. раза,) з (9)Перепишем (9) следующим образом:пкк. раза. крит.раза. - 1 уст. (1 О)Сравнивая (10) и левую часть (7), получаем, что глубина несквозного травления слоя поликристаллического кремния и ширина уступа фоторезистивной маски относительно края...