153978

153978 Класс Н 011; 21 д, 11 аа 6 01 г; 21 д, 13 аа СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУодписная группа9 С. ГурвичИЯ ДОПУСТИМОВОДНИКОВЫХ О ОБРАТНОГРИБОРОВ ТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕР НАПРЯЖЕНИЯ ПОЛУ Заявлено 7 марта 1962 г. за767705/26-9в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРубликовано в Бголлетене изобретений и товарных знаков8 за 1963 г. Известны устройства для измерения допустимого обратного напряжения полупроводниковых приборов, содержащие источник испытательного напряжения, подаваемого на переход полупроводникового прибора, и блок контроля мощности, рассеиваемой на переходе. Однако в этих устройствах не предусматривается автоматической установки заранее заданной величины мощности рассеивания на полупроводниковом приборе или они очень сложны.Предлагается устройство, в котором для автоматизации процесса установления величины допустимой мощности при измерении обратного напряжения в условиях повышенной (50 - 70-") температуры окружающей среды в качестве блока контроля мощности использован диодный функциональный преобразователь, включенный последовательно с исследуемым полупроводниковым прибором; преобразователь аппроксимирует в заданном диапазоне напряжений С 7,д - ,.У функциюРд,У=, где 1 - ток через преобразователь; Ра, - величина допустимой мощности рассеивания на переходе исследуемого прибора; Е - э. д,с, источника питания; У, в напряжен на преобразователе.Иа фиг. 1 изображена электрическая схема описываемого устройства с многозвепным диодным функциональным прсобразователем; на фиг. 2 - электрическая схема устройства с диодным функциональным преобразователем, в котором опорное напояжение снимается с делителя на сопротивлениях Л губ; на фиг, 3 - Вольтампсрные характеристики р-и переходов плоскостных полупроводниковых приборов.На фиг. 1 при последовательно включенных источнике 1 стабили. зированного напряжения Е, полупроводниковом приборе 2 (диод или триод) и диодном функциональном преобразователе 3 напряжение на испытуемом полупроводниковом приборе равно У=Е - У . В то же время вольтамперная характеристика функционального преобразователя описывается формулой 1= " = "; таким образом, мощУ Е - Уфность, выделяющаяся в переходе полупроводникового прибора, равна:Р =1 У= " (Е - У.) = Ра,=сопз 1,Е - УфВольтметр 4 (с большим внутренним сопротивлением, например катодный), включенный параллельно с полупроводниковым прибором, показывает напряжение на переходе К При этом возможны следующиеслучаи,1, Вольтамперная характеристика перехода имеет вид а. ТогдаЬ= С, т, е. вольтметр 4 показывает допустимое обратное напряжениеперехода (при заданных температуре окружающей среды и мощностирассеяния Ра,)11. Вольтамперная характеристика перехода имеет вид б, ТогдаУ= У;, т. е. вольтметр 4 показывает пробивное напряжение перехода(при заданной температуре окружающей среды).111. Вольтамперная характеристика перехода имеет вид в. ТогдаУ=5 т. е, данный полупроводниковый прибор нельзя использоватьпри заданных температуре окружающей среды и мощности рассеянияРа так как он может быть при этих условиях поврежден (пробит).В этом случае можно аналогично определить допустимое напряжениетакого прибора для более низкой температуры окружающей среды илименьшей допустимой мощности рассеяния.Чтобы определить, какой случай имеет место, необходимо повысить (на 5 - 10%) напряжение источника питания Е. Если при этомнапряжение У, которое показывает вольметр 4, повысится, то это ознаНчает, что имеет место случай а ( )0).ИиЕсли напряжение У практически не меняется, то это означает, чтосПимеет место случай б ( - =со ).ййЕсли напряжение У уменьшится, то это означает, что имеет местоНслучай в ( - (О). Того же результата можно достичь, меняя не Е, аЫиР Для этого последовательно к полупроводниковому прибору следует сначала подсоединить функциональный преобразователь 3, который обеспечивает Р,=сопз 1, и замерить напряжение на переходе.Затем подсоединить функциональный преобразователь д, обеспечивающий Ра, -- сопз 1, по величине на 5 - 10/ больший, чем Рд и сновазамерить напряжение на переходе. Правила определеия того, какойслучай имеет место, остаются теми же.Источники опорного напряжения для звеньев преобразователя 3можно получить с помощью делителей, подключаемых к источнику питания Е,Предлагаемое устройство может применяться для контроля илиотбора полупроводниковых приборов, используемых для работы в условиях высоких те лператур окружающей среды (50 - 70).Предмет изобретенияУстройство для измерения допустимого обратного напряжения полупроводниковых приборов, содержащее источник испытательного напряжения, подаваемого на переход полупроводникового прибора, и блок контроля мощности, рассеиваемой на переходе, о т л и ч а ю щ е еся тем, что, с целью автоматизации процесса установления величины допустимой мощности рассеивания при измерении обратного напряжения в условиях повышенной (50 - 70) температуры окружающей среды, в качестве блока контроля мощности используется включенный последовательно с полупроводниковым прибором диодный функциоРдол нальный преобразователь, аппроксимирующий функцию 1=Е - Уф где 1 - ток через преобразователь; Рд, - величина допустимой мощности рассеивания на переходе исследуемого прибора; Е - э. д. с. источника испытательного напряжения; У ф - напряжение на преобразователе.