Водородпроводящий керамический материал

Номер патента: 1325015

Опубликовано: 23.07.1987

Авторы: Баев, Болотин, Бондаренко, Ибодов, Иваницкая, Кравченко, Кунпан

МПК: C01D 3/16

Метки: ионов, кальция, металлов, растворов, хлоридов, щелочных

...может быть использовано в процессеполучения каустической соды и хлораэлектролиэом,Цель изобретения - повышение степени очистки растворов хлоридов щелочных металлов от ионов кальция,П р и м е р, В 1 л раствора хлористого натрия, содержащего 300 г/лБаСХ, 1 г/л Са и 50 мг/л М, добавляют раствор соды кальцинированнойдо избытка 0,3 г/л и щелочи до избытка 0,05 г/л, перемешивают 1 О минопри 60 С и отделяют образующиеся 02 60 0,2 60 0,2 60 02 60 0,2 60 0,2 60 0,2 60 0,2 60 0,2 60 0,2 60 0,2 60 02 60 0,2 60 0,2 оО 0,2 60 0,2 60 02 605015 2осадки карбоната кальция и гидроокиси магния фильтрацией, В очищенныйпредварительно рассол, содержащий3,9 мг/л Са и 0,3 мг/л Мя, прозрачностью 100 т, добавляют растворхлорного железа из расчета 100...

Номер патента: 1368124

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Маслов, Новиков, Павлюченков

МПК: B23K 3/02

Метки: керамического, микронагревателя, состав

...безопасном напряжении до 36 В.Цель достигается тем, что в состав материала микронагревателя вво дятся элементы, выбранные из ряда Т, Бд, Сг, И, Мо, при следующем соотношении компонентов, мас,Х:Карбиды 2-10Алмазы Остальное при этом карбиды вводятся в виде покрытия на зернах алмазов.П р и м е р. Нагреватель изготавливают следующим образом.На исходные алмазы марки АС зернистостью 10/7 наносят покрытия карбидов Т 1, Б 1, Сг, И, Мо из газовой Фазы галогенидов методом транспортных реакций при следующих режимах: температура осаждения 850-950 С, дав ление галогенидов 1 мм рт,ст продолжительность осаждения 0,5-2,0 ч. Спекание покрытых поликристаллических алмазов проводят в камере высокого давления при условиях термодинамичес- ЗО кой...

Номер патента: 1809827

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Надкарни, Нарасимха

МПК: C04B 35/10, C04B 35/65

Метки: керамического, композиционного

...и чтобы этот наполни- тель или какая-то его часть пропитывались развивающимся продуктом реакции окисления и находились внутри его, Подобных расположения и ориентации основного металла и наполнителя относительно друг друга можно добиться за счет простого заделывания тела основного металла внутри слоя наполнительного материала в виде мелких частиц или за счет расположения одного или более тел основного металла внутри или около слоя либо какого-то другого образования наполнительного материала. Это образование наполнительного материала располагается таким образом, чтобы направление роста продукта реакции окисления проникало или пропитывало по меньшей мере какую-то часть наполнительного материала, Наполнитель может также состоять,...

Номер патента: 1143239

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Барчукова, Колчин, Пиханова

МПК: H01C 7/112

Метки: варисторов, керамический, материал, полупроводниковый

...в низкой стабильности классификационнодо напряжения и тока утечкипри длительных воздействиях рабочегонапряжения переменного тока.Цель изобретения - повышение надежности варисторов за счет увеличения стабильности классификационногонапряжения и тока утечки при длительных воздействиях рабочего напряженияпеременного тока - достигается тем,что известный полупроводниковый керамический материал для варисторов,содержащий оксиды цинка, висмута,марганца, кобальта, сурьмы, циркония,бора, дополнительно содержит кальцийстеариновокислый при следующем соотношении компонентов, мол,7:Оксид висмута 0,2-0,8Оксид марганца 0,3-1,5Оксид кобальта 0,3-1,5Оксид сурьмы 0,3-1,5Оксид циркония 0,3-1,5Оксид бора . 0,3-1,5Кальций стеариновокислый 0,01-0,03Оксид...

Номер патента: 1458355

Опубликовано: 15.02.1989

Авторы: Бертош, Давыдова, Егоров, Ларичева, Мамчиц, Подласенко, Самойлов

МПК: C04B 35/46, H01G 4/12

Метки: керамического, конденсаторного, сегнетоэлектрического, шихта

...в заданном соотношении,смешивают с требуемым количествомуглекислого марганца и оксидов цинка и ниобия (см. табл. 1). изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки СаЯпО при следующем соотношениикомпонентов, мас.7.: ВаТ 10,8712- 88,97; СаЕгО 7,8-8,.6; ИпСОэ,0,08- О, 10; ИЬО у 0,70,-0,98; ЕпО 0,45- 0,70; Са 8 пОэ 2,00-2,50. Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют, следующие характеристики: Е 15000-17000; с 8 с(1,25-2,25)х 10 ф; р при 100 С (5,0-9,1 ГОм м;Е5,0- й -6,4 МВ/м;Т15-25 С;, Тматериала 1260-1300 С. 2 табл. ную смесь...