Инвертор

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(56) Игумнов Д.В., Громов И.С. Эксплуатационные параметры и особенности применения полевых транзисторов. М,: Радио и связь, 1981, с. 50.Алексеенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника. М,; Радио и связь 1982, с. 95, рис. 2.34,(54) ИНВЕРТОР(57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при создании выходных цепей цифровых интегральных схем на МДП-транзисторах, Цель изобретения - поньппение выходного напряжения устройствапри заданном напряжении. питания. Устройство содержит четыре МДП-транзистора 1, 2, 3 и 4 с индуцированным каналом, входную 5 и выходную 6 клеммы,клемму источника питания 7, За счеттого, что исток первого МДП-транзистора 1 подключен к затвору и подложкевторого МДП-транзистора 2, уменьшается пороговое напряжение второго МДПтранзистора 2, Это приводит к повышению выходного напряжения устройства, 1 ил.14977411 зобрет нис тнасится к импульсной технике и мажет быть использова-но при создании выходных цепей цифровых интегральных схем на МДП-транзисторах,Целью изобретения является повышение выходного напряжения устройствапри заданном напряжении питания ипамехозащищенности 10На чертеже представлена электрическая схема инвертора,Инвертор содержит четыре МДП-транзистора 1-4, входную 5 и выходную 6клеммы, клемму 7 источника питания, 15При положительном Е 11 используются1 Ц 1 П-транзисторы 1-4 с п-каналом, апри отрицательном Е ь - с р-каналом.Затвор и сток МДП-транэистора 1 подключены к стоку МДП-транзистора 2 ик клемме 7 Исток и подложка МДПтранзистора 1 подключены к затвору иподпожке ГЩП-транзистора 2 и к стоку МДП-транзистора 3, затвор которогоподключен к затвору МДП-транзистора 425и к клемме 5. 11 одложки и истокиМДП-транзисторов 3 и 4 подключены кк общей шине, Исток МДП-транзистора2 подключен к стоку МДП-транзистораи к клемме 6,30Инвертор работает следующим обраэом.При входном сигнале логической единицы на клемме 5 МДП-транзисторы 3 и 4 открыты. Низкий (по модулю) 35 потенциал на затворе и подложке МДП- транзистора 2 поддерживает его закрытое состояние, В результате уровень выходного напряжения на клемме 6 равен нуп,.При входном сигнале логического . нуля на клемме 5 МДП-транзисторы 3 и 4 эакрьг ы, Если обозначить пороговое напряжение МДП-транзистора 1 как Ба МДП-транзистора 2 - У , то напря жение на истоке 1 ЩП-транзистора 1 запишем как Е- Уо а выходное напряжение на клемме 6 У,=ЕП о П о 1Поскольку к подложке МДП-транзистора 2, например, с р-каналом (как наи более часто используемому), прилажено отрицательное напряжение (по моо4дулю большее 11,), та его пороговое напряжение 11, уменьшится, чта приведет к увеличению 1 . Отрицательное напряжение на подложку МДП-транзистора 2 подается только при закрытом МДП - Гранэистаре 4 оТак как напряжение с истока МДП- транзистора 1 подается не только назатвор, но и на подложку МДП-транэистора 2, то МДП-транзистор 2 выполняет также Функции биполярного р-и-ртранзистора. Таким образом, 1 ЩП-транэисторы 2 и 4 образуют как истоковый, так и эмиттерный повторители с динамической нагрузкой,Поскольку МДП-транэистор4 имеетмалое сопротивление и последоватльно с нимоказывается включенным р-ипереход исток - подложка М 71 П-транзистора 2, то этот р-и переход шунтирует напряжение на истоке МДП-транзистора 1 при открытом МДП-транзисторе 3, поддерживая его низкий уровень (порядка 0,7 В). В результате повышается помехозащищенность уст,ройства,Формула изобретенияИнвертор, содержащии четыре МДП- транзистора с индуцированным каналом, входную и выходную клеммы, клемму источника питания, которая подключена к затвору и стоку первого МДП- транзистора и к стоку втррого МДП- транзистора, затвор которого подключен к истоку и подложке первого МДП- транзистора и к стоку третьего МДП- транзистора, затвор которого подключен к входнои клемме и к затвору четвертого МДП-транзистора, сток котораго подключен к выходной клемме и истоку второго МДП-транзистора,а истоки и подложки третьего и четвертого МДП-транзисторов подключены к общей шине, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения выходного напряжения и помехоэащищенностиисток первого МДП-транзистора подключен к подложке второго МДП-транзистора,