Способ фотометрического определения фторид-ионов

Номер патента: 693251

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Алесковская, Алесковский, Ногина

МПК: G01N 31/08

Метки: ионов, количественного, растворе, хроматографический

...прц определении оксст-ионов в растворах с содержание л 1, 3, 5, 7, 10 ллг/мл окелат-цо)п, )с бум- ге, пропитанной 0,025 , рдство Омпермацгянатя калил, лсссс ржаниц)й )и) воз;су- ХЕ В ТЕЧЕНИЕ 5 Мцц, ПВ лжПЛ )СС),)1,1),Стс)й В5 693251 6дистиллированной вбде высушенной на 0,025 н. раствором перманганата калия,воздухе и прогретой в течение 1,5 ч, в наблюдается хорошая воспроизводимостьтермостате при 100-1 10 С,орезультатов определения, что следует изПри определении щавелевой кислоты с табл, 1, и линейная зависмость высотысодержанием оксалат-ионов в интервале 5 пиков от концентрации оксалат-ионов в1.-10 мг/мл на бумаге, пропитанной растворе ( Фиг. 2) .Таблица 1 Высота пиков, мм 93 150 197 275 1 3,0 2 30 95 150 190 267 3 33 95 155 190...

Номер патента: 808358

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Гнусин, Зайцев, Клеопов, Малука, Стрижов, Тараторкин, Турьян

МПК: C01B 7/01

Метки: pactbopax, ионов, кислоты, серной, хлорав

...хлорид-селективного электрода, Вы- Расходувание хлористого водорода ведут при мл/митемпературах 40-70 С из концентриро- Рабочванных растворов Н э О. ВремяВ указанном интервале температуррастворенный НСС в концентрированныхВзяторастворах Нб 04 легко н полностьювыдувается воздухом нлн инертным га- Ю,тюнязом (азот, гелий и лр.). Выделенный в щгазовую фазу НСс, полностью поглоаао 1 10ется водой при температурах 5-35 С, .Хлористый водород выдувается н при бо 2,5 10лее низких температурах, нанример, при20 С, Однако выдуванне его прн этой510температуре длится более 10 мин, чтоявляетсн неприемлемым прн автоматнчеоком анализе, так как значительно увеличивается время запаэдьвания, что при- -2,водит к искажению результатов анализа.35При более...

Номер патента: 1509719

Опубликовано: 23.09.1989

Авторы: Ивин, Николаев, Подлепецкий, Селиванов, Фоменко

МПК: G01N 27/30

Метки: ионов, концентрации, растворах, электролитов

...второй вход которого соединен с выходом второго источника 7 напряжения и входом отражателя 9 тока, первый выход которого соединен со стоком 18 индикаторного транзистораи инвертирующимвходом операционного усилителя 10,неинвертирующий вход которого подклю -чен к второму выходу отражателя 9 тока и стоку 19 вспомогательного тран 5зистора 2. Выход операционного усилителя 10 подключен к вспомогательномуэлектроду 3 и третьему входу блока 11температурной компенсации, выход которого подключен к входу вольтмет- Ора 12.Устройство работает следующим образом.Индикаторный 1 и вспомогательный2 транзисторы включены таким образом, 15что они работают в биполярном режиме.Такой режим возможен, если диффузионная длина неосновных носителей в подложке...

Номер патента: 1435158

Опубликовано: 30.10.1988

Авторы: Мертен, Райнхольд

МПК: C07H 21/00

Метки: дезоксирибонуклеиновую, кислот, кислоту, нуклеиновых, раствора, рибонуклеотидов, смеси, содержащего

...100%-цое превращение РНК, Для выделения 5 -рибоцуклеотидов разрушенный раствор нуклеиновых кислот пропуска- ют через колонку, заполненную слабо- основной иоцообмеццой смолой РБО 1,11 Е Л 7 в ацетатцой форме. Для очистки и выделения ДНК элюат с колонны концентрируют с помощью КОМ 1 СОИ-патронов с полым волокном (полисульфоновое волокно, граница выделения 100000) и подвергают диализу по отношению к доде,. це содержащей солей. Через мембрану могут проходить молекулы с молекулярным весом менее 50000. ДНК осаждают, доводя рН раствора до 2,0 и после высушивания получают, в виде белого порошка. Отделение смеси 5 - рибонуклеотидов осуществляют путем селективной десорбции ацетатными ра" створами повышающейся концентрации: СЫР: 0,1 и. уксусная...

Номер патента: 1075331

Опубликовано: 23.02.1984

Автор: Коляда

МПК: H01J 49/26

Метки: вторичной, ионно-ионной, компонент, коэффициентов, образца, полупроводникового, эмиссии

...измерения коэффициентов ВИИЭ компонент образца из полу. проводникового материала.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения коэффициентов вторичной ионно-ионной эмиссии компонент образца из полупроводникового материала, в котором производят ионную и температурную очистку поверхности образца в условиях высокого вакуума, напускают активный по отношению к поверхности образца газ и измеряют токи первичных и вторичных ионов, проводимость поверхности образца поддерживают заданной путем изменения температуры в диапазоне, в пределах которого происходит адсорбция активного газа.Активность поверхности полупроводников по отношению к газовой среде тесным образом связана с электронной структурой его поверхности и с ее...