Патенты с меткой «ионно-ионной»

Номер патента: 1075331

Опубликовано: 23.02.1984

Автор: Коляда

МПК: H01J 49/26

Метки: вторичной, ионно-ионной, компонент, коэффициентов, образца, полупроводникового, эмиссии

...измерения коэффициентов ВИИЭ компонент образца из полу. проводникового материала.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения коэффициентов вторичной ионно-ионной эмиссии компонент образца из полупроводникового материала, в котором производят ионную и температурную очистку поверхности образца в условиях высокого вакуума, напускают активный по отношению к поверхности образца газ и измеряют токи первичных и вторичных ионов, проводимость поверхности образца поддерживают заданной путем изменения температуры в диапазоне, в пределах которого происходит адсорбция активного газа.Активность поверхности полупроводников по отношению к газовой среде тесным образом связана с электронной структурой его поверхности и с ее...

Номер патента: 1078502

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Коляда, Нагорная, Черепин

МПК: H01J 49/26

Метки: вторичной, значения, ионно-ионной, компонент-поверхности, коэффициентов, относительного, твердых, тел, эмиссии

...при постоянном значении тока ионов первичного пучка ионное легирование производят тем же пучком первичных ионов с энергией, превышающей энергию ионов первичного пучка при распылении, при этом длительность масс-анализа устанавливают больше времени прекращения спада тока вторичных ионов с массой, соответствующей массе ионов первичного пучка.На фиг. 1 - 4 представлены варианты масс-спектров и временные зависимости токов (в.и.и.э.).При проведении масс-анализа происходит распыление ионнолегированного слоя, поэтому в спектре в.и.и.э., снятом в момент времени 0 ТсТ, наблюдаются вторичные токи компонент А (пики А, А, Аз, А 4) и вторичный ток 1-, который складывается из двух составляющих - вторичного тока 1 от ионов первичного пучка, легирующих...