Способ определения толщины упрочненного наклепом поверхностного слоя

Номер патента: 316136

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Линева, Малкин, Терман

МПК: H01L 21/66

Метки: монокристалла, нарушенного, поверхности, слоя, толщины

...перпендикулярном электронному пу ку, ц измерецце расстояния вдоль направления сканирования от границы косого среза на поверхности моцокристалла до той точки сечения, начиная с которой дифракццонная картина остается нецзхтецной.Сущность изобретения поясняется чер геПодготовка ооьекта к измерениям и последовательность операций при измерении толщины нарушенного слоя состоят в следую щем. Под углом а к плоскости образца с нарушенным слоем 1 делают косое сечение (шлиф), Технологию изготовления шлифа ьыбирают такой, чтобы толщина дополнительного нарушенного слоя, связанного с его изго. товлецисм, была минимальной. Дополнцтель. цый нарушенный слой удаляется химическим травлением, причем изучаемая поверхносп. предварительно покрывается защитным...

Номер патента: 1263412

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Грудев, Лега, Размахнин, Щипанов

МПК: B21D 37/18, B21J 3/00

Метки: давлением, деформации, металлов, обработке, очаге, слоя, смазки, толщины

...в реакцию с одной из составляющих смазки, а именно 25 с жирной кислотой или ее производной, в результате чего кислотосодержащая составляющая многокомпонентной смазки изменяет свой цвет, При этом иод не вступает в реакцию с другой составляющей - минеральным маслом или другими веществами, не имеющими в своем составе жирных кислот. Это позволяет определить участки пятна, на которых адсорбировались молекулы жирно-кислотной составляющей компаунда. Расчет толщины слоя адсорбировавшихся молекул жирной кислоты производится по формуле где ж - толщина слоя жирно-кислотной составляющей, компаунда;Сж - объемная концентрация жирнокислотной присадки в смазке;Ч - объем наносимой смазки; 45Рж - площадь окрашенной иодом части смазочного пятна.О структуре...

Номер патента: 1455786

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Ковтун, Полторацкий, Проценко

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, нарушенного, поверхности, слоя, толщины

...слоя. В качестве активного газа исг.альзуют газ из элементан, не нходягпих н состав .кристалла и потока, В процессе травления осушествляю; контроль степени дефектности структуры поверхности по концентрации активного газа на поверхности кристалла. За талпгиФ ну нарушенного слоя принимают толщину удаленного слоя, при каторгам концентрация составляет 107. ат первоначальной. Достигают точности апре- Саделения до 1 О А,Затем н камере откачивают вакуум и проводят травление кристалла патокам ионов аргсна с энергией 0,7 кэВ и плотностью тока 10 А см, В процессе травления осуществляют массспектрометрический контроль концрнрации кислорода нг поверхности кристалла и измеряют толцину удаленнго слоя, При тотнпине удаленного слоя, равной 80 А,...

Номер патента: 1564430

Опубликовано: 15.05.1990

Авторы: Кауфман, Корчагин, Нестеров, Попов

МПК: F16D 3/54, G01M 13/04

Метки: между, поверхностями, слоя, смазочного, толщины, трения

...оси ординат, тариревочного графика (фиг, 2),определяют соответствующую ей толщинусмазочного слоя Ь,а, и по соотношениюшину слоя,Обоснуем выбор соотношения для определения реальной толщины смазочногослоя, Процесс измерения толщины смазочного слоя емкостными датчиками основан на косвенном методе измеренияих емкости при неизменных геометрических размерах и диэлектрической проницаемости среды,Общеизвестна Формула для определения емкости конденсатора:Е ЯС= - ,1где Б - площадь пластины конденсатора;Ь - расстояние между пластинамиконденсатора;Е вдиэлектрическая проницаемостьсреды,11 ри определении толщины слоя предполагается, что при равенстве показаний регистрирующего прибора в моментыизмерения и тарировки емкость датчика и, следовательно,...

Номер патента: 1670384

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Адамян, Барсегян, Паносян, Чибухчян

МПК: G01B 11/06

Метки: диэлектрического, поверхности, полупроводника, слоя, толщины

...О =(1/2 а) п(ЙЙ 1 - 2 Й 1 1)Й 2/(Й - Й 1, где Й = (и - 1)/(п 11)2, Й 2 = (п 2 - п 1)/п 2п 1)1, определяют толщину б контролируемого диэлектрического слоя. 1 ил.С Облучают контролируемый образец пуч- О ком монохроматического света с длинойволны, для которой выполняется условие С) 1 а( 10 см,где а - коэффициент поглощения (р,) материала диэлектрического слоя, измеря- (ф ют интенсивность Й света, отраженного от ф поверхности диэлектрическо о слоя, коэффициент а поглощения, показатели п 1, п 2 преломления материалов диэлектрического слоя и полупроводника, соответственно, вычисляют коэффициенты Й 1 и Й 2 отражения от диэлектоического слоя и границы диэлектрик/полупроводник, соответственно с оомощью выражений1670384 и определяют...