Способ получения низкомолекулярных полиамидов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
,13811 А 8 С ВСГСОЮЗИ 3 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН 13, ,13 ЬГ ЛЬ СКОМУ СВ А исти етельство СССР С 69/20, 1985 НИЯ НИЗКОМОЛЕКУГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(71) Научно-исследовательский итут сейсмостойкого строительствГосстроя ТССР(57) Изобретение относится к получению низкомолекулярных полиамидов,нспользуеюпс для отверждения эпоксидных смол, применяемых в качествепленкообраэующих, Изобретение позволяет в 2-3 раза снизить водопоглощение покрытий на основе эпоксидныхсмол.эа счет того, что синтез поли- .амидов проводят путем взаимодействияполиэтиленполиамина с ацетонорастворимой частью госсиполовой смолы примолярном соотношении 2-2,5:1 соответственно, 1 табл.Изобретение относится к получениюнизкомолекулярных полиамидов, используемых для отверждения эпоксидньгхсмол применяемых в качестве пленкоФ5образующих, и является усовершенствованием известного способа по авт,св, СССР М 1172930,Цель изобретения - снижение водопоглощения покрытий на основе эпоксидных смол, отвержденных низкомолекулярными полиамидами.П р и м е р 1, Получение ацетонорастворимой части госсиполовой смолы.54,4 г (0,1 моль) госсиполовойсмолы с кислотным числом 103 мгКОН/г растворяют в ацетоне в соотношении 1:1 О - 1;15 (689-1033 г ацетона); Колбу закрывают пробкой и выдерживают при комнатной температуре 206-8 сут. После этого раствор фильтруют, отделяя ацетононерастворимуючасть (в основном гидрофильные фосфатиды) и упаривают в вакууме при50-60 С до остаточного содержания 25ацетона 1 О(в пересчете на сухоевещество), Получают 49 г ацетонорастворимой части смолы (0,09 моль) скислотным числом 108 мг КОН/г.П р и м е р 2. Получение низкомолекулярных полиамидов.Полученную в примере 1 ацетонорастворимую часть госсиполовой смолы(0,253 моль) низкомолекулярных полиамидов, Содержание свободного амина 6,1 Е, Продукт содержит (в Й от общего содержания аминогрупп) 30,1 Х третичных, 28,77 вторичных и 41,2 Х первичных аминогрупп, Аминное число128,2 мг КОН/г. Молекулярная масса1000-1500.П р и м е р 4. Получение покрытийна основе эпоксидных смол.К раствору низкомолекулярных полиамидов, полученному по примеру 2,добавляют 88,85 г (0,177 моль) эпок"сидной смолы ЭД(молярное соотно"шение полиамид : эпоксидная смола1:1) н перемешивают до гомогенногосостояния, Композицию наносят наподложку и отверждают при 20 С в течение 24 ч с последующей выдержкой15 сут. Свойства покрытия приведеныв таблице.П р и м е р 5, Получение покрытий.К раствору низкомолекулярных полиамидов, полученному по примеру 3, добавляют 254,0 г (0,5 моль) эпоксидной смолы ЭД(молярное соотношение полиамид : эпоксидная смола 1:2),перемешивают до гомогенного состояния и получают покрытия по методике,описанной в примере 4.Свойства приведены в таблице.формула изобретенияСпособ получения низкомолекулярных полиамидов по авт.св. У 1172930,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью снижения водопоглощения покрытий на основе эпоксидных смол, отвержденных низкомолекулярными поли"амидами, в качестве госсиполовай смолы используют ацетонорастворимуючасть госсиполовой смолы,Способ Показатель предлагаемый Извест.по примеру ныйф 1 Время высыхания до степени 3 при20-25 С, сут Эластичность покрытия, мм Водопоглощение через24 ч,7 1,5 1,1 3,0 Молярное соотношение эпоксиднаясмола ЭД: низкомолекулярныйполиамид 2:1, соотношение госсиполовая смола : полиэтиленполиамин 1:2,
СмотретьЗаявка
4033501, 07.03.1986
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ СЕЙСМОСТОЙКОГО СТРОИТЕЛЬСТВА ГОССТРОЯ ТССР
МАМЕДОВ РАУФ БАЙРАМОВИЧ, ДОВМАТ ТАМАРА АНАТОЛЬЕВНА
МПК / Метки
МПК: C08G 69/26
Метки: низкомолекулярных, полиамидов
Опубликовано: 15.03.1988
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1381122-sposob-polucheniya-nizkomolekulyarnykh-poliamidov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения низкомолекулярных полиамидов</a>
Предыдущий патент: Способ получения добавки, снижающей оптическую плотность вуали фотоматериалов
Следующий патент: Способ химической модификации поликапроамидного волокна
Случайный патент: Способ контроля несплошности диэлектрическихпокрытий