Калориметрический преобразователь мощности

Номер патента: 1226234

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Брайнина, Федоровский

МПК: G01N 25/18

Метки: зависимости, проволочных, резисторов, температурной, теплопроводности

...последовательно длительности импульсов, на вход генератора 1 тока поступают поочередно импульсы определяющие время прохождения через испытуемый резистор тока ; . Величина начального тока 3; длительность первой ступеньки дг., импульса и количество зондирующих импульсов устанавливаются оператором заранее, до начала измерений в зависимости от типа изделий. Закон нарастания амплитуд тока 3; заложен в схеме генератора 1 тока, Со второго выхода блока управления в моменты действия передних фронтов импульсов тока поступают на вход электронного ключа 12 кратковременные импульсы :выборки. Электронный ключ 12 управляет работой устройства 5 выборки- хранения информации, содержащей эапо. минающий конденсатор для хранения напряжения...

Номер патента: 362248

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Ступарь

МПК: G01R 21/02

Метки: калориметрический, свч-ваттметр

...вещества 1 б и трубок 17 для подачи и отвода охлаждающей жидкосги.Предлагаемый ваттметр работает следующим образом.Мощность СВЧ-колебаний, рассеиваемая в поглотителе 2 поглощающей нагрузки ваттметра, нагревает отрезок медного волновода 1 и калориметрическое кристаллическое вещество 1 б, предварительно прогретое и находящееся в двух фазах: твердой и жидкой, в результате возможные области фазовых переходов соединяются в одну гидравлически связанную систему. Подведенная в калориметр СВЧ-энергия, перешедшая в тепловую энергию, приведет к таянию части кристаллического вещества 1 б, объем которого изменяется, диафрагма 9 прогибается, в результате мениск индикаторной жидкости 10 в капилРедактор Т. Морозова каз 122 5 И:д.1015 Тираж 404зИИПИ...

Номер патента: 1379802

Опубликовано: 07.03.1988

Авторы: Казаков, Моряков, Неплох, Свидовский, Степанов

МПК: H01B 13/22

Метки: внешним, кабеля, коаксиального, магистрального, проводником, трубчатым

...сварки кромками направляется ножом 16, входящим в зазор между кромками, и упруго сжимается в сварочных валках 17 и 18, В вертикальной плоскости сварочные валки устанавливаются точно относительно дру друга и в таком положении жестко удерживаются.После установки по трубе-оболочке один иэ поворотных рычагов 7 стопорится и и процессе снарки оболочки не поворачивается вокруг стойки.Другой рычаг 8 и установленный на нем сварочный валок 18 изменяют свое положение относительно продольной оси оболочки, отодвигаясь от нее или придвигаясь к ней в зависимости от изменения (соотнетственно увеличения или уменьшения) толщины оболочки , Перемещение подвижного рычага 8 происходит в зависимости от усилия, передаваемого через трубную заготовку на...

Номер патента: 1587577

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Тян, Хренков, Чостковский

МПК: G01B 9/00

Метки: внешнего, внутреннего, диаметра, кабеля, коаксиального, проводника, профиля, трубчатого

...9, информационный вход которого подключен к выходу АЦП 8, блоки 10 и 11 памяти, входы которых подключены к выходам ключа 9, и последовательно соединенные блок 12 разности, накапливающий сумматор 13 и регистратор 14,Устройство работает следующим образом.В исследуемый образец вводится внутренний проводник 3, на который устанавливается эталонный отрезок 2, а затем к концам исследуемого образца присоединяют. ся эталонные образцы 1 коаксиального кабел я.Полученная линия зондируется рефлектометром 4 и на его первом выходе получают рефлектограмму волнового сопротивления, которая поступает на информационный вход АЦП 8.Одновременно линейно-нарастающее напряжение с выхода реклектометра 4 поступает на компаратор 5, который при срабатывании на...

Номер патента: 1630564

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Асессоров, Велигура

МПК: H01L 21/18

Метки: балластными, многоэмиттерных, мощных, резисторами, свч-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ МНОГОЭМИТТЕРНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ С БАЛЛАСТНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ, включающий создание в многокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эмиттеров, формирование покрытия из диоксида кремния, нанесение на покрытие тонкопленочного резистивного слоя, создание резистивных элементов, вскрытие контактных окон к областям базы и эмиттера, формирование металлизации, наращивание защитного диэлектрического покрытия, травление окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик транзисторов, одновременно с созданием резистивных элементов изготавливают тестовый резистор, измеряют его сопротивление, по значению...