Способ измерения толщины полупроводникового слоя

Номер патента: 1795358

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Непийвода, Новиков, Швидкий

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристалла, слоя, структурно-нарушенного, толщины

...Реально подобная ситуация складывается лишь при использовании20/14 7/5 Обработка алмазной пастой зернистости 8,2- 3 82- 12 9,0- 2 56,8+ 10 12 4. 30+ 735,1+ 4 45+18 Толщина нарушенного слоя, измеренная аз шаю им способом, мкм Толщина нарушенного слоя, полученная 42,4. 5заявляемым способом, мкм Составитель Т. ВладимироваРедактор В.Трубченко Техред М.Моргентал Корректор С.Патр, шева Заказ 426 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101. сравнительно малых толщин нарушенных слоев. В случае кремния на медном излучении при отражении от плоскости (1 И)линейность от Ь зависимости...

Номер патента: 372488

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Ттт

МПК: G01N 25/30, G01N 27/90

Метки: дефектоскоп, нанесенного, слоя, толщины, электропроводящего

...сердечник 2, запрессованный в медный сердечник 3 нагревательного элемента, имеющего спираль для 10 нагрева 4, которая намотана на сердечник 3.Корпус датчика состоит из двух частей - внутренней подвижной части б и внешней части б, связанных между собой пружинами 7.Оба несущих информацию элемента датчика 15 (электроиндуктивная обмотка и вольфраморениевый сердечник) связаны с соответствующими блоками прибора. Так, электроиндуктивная обмотка 1 датчика связана с блоком токовихревого контроля дефектоскопа, и ре зультат измерений фиксируется с помощьюстрелочного индикатора. Информация же от вольфрамо-рениевого сердечника 2 поступает в виде термо- э.д.с. по цепи, состоящей из горячего (100 С) вольфрамо-рениевого сердеч ника, контролируемой...

Номер патента: 1670384

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Адамян, Барсегян, Паносян, Чибухчян

МПК: G01B 11/06

Метки: диэлектрического, поверхности, полупроводника, слоя, толщины

...О =(1/2 а) п(ЙЙ 1 - 2 Й 1 1)Й 2/(Й - Й 1, где Й = (и - 1)/(п 11)2, Й 2 = (п 2 - п 1)/п 2п 1)1, определяют толщину б контролируемого диэлектрического слоя. 1 ил.С Облучают контролируемый образец пуч- О ком монохроматического света с длинойволны, для которой выполняется условие С) 1 а( 10 см,где а - коэффициент поглощения (р,) материала диэлектрического слоя, измеря- (ф ют интенсивность Й света, отраженного от ф поверхности диэлектрическо о слоя, коэффициент а поглощения, показатели п 1, п 2 преломления материалов диэлектрического слоя и полупроводника, соответственно, вычисляют коэффициенты Й 1 и Й 2 отражения от диэлектоического слоя и границы диэлектрик/полупроводник, соответственно с оомощью выражений1670384 и определяют...

Номер патента: 1783287

Опубликовано: 23.12.1992

Автор: Бутенко

МПК: G01B 7/06

Метки: изделия, поверхностного, слоя, токопроводящего, толщины

...для измерения толщины поЦелью изобретения является повыше- верхностного токопроводящего слоя состоние точности измерения. ит (фиг.1) из корпуса 1, изготовленного изПоставленная цельдостигаетсятем,что 15 диэлектрического материала (например ортокопроводящие электроды установлены гстекла), в котором установлены под углом под углом йк поверхности корпуса, рассто- а два токопроводящих электрода 2 и перяние 1 между осями измерительных электро- йендикулярно поверхности изделия два издов выбирают из соотношения мерительных электрода 3, крышки 4 из1= 1,2 б+ и,20 диэлектрического материала, прикрепляегде и - толщина стенки между отверстиями мой к корпусу винтами 5, клемм 6, пружин для пружин;возврата 7 и струбцин 8, прикрепляемых кд -...

Номер патента: 1737261

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Арешкин, Иванов, Федорцов, Федотова

МПК: G01B 11/06

Метки: бесконтактного, полупроводниковых, слоев, толщины, эпитаксиальных

...слое или в подложке вследствие различия их электрофизических свойств. Область генерации неравновесных носителей зависит от глубины проникновения инжектирующего излучения в структуру, т. е, от его длины волны. Снимают спектральную зависимость изменения интенсивности прошедшего через структуру или отраженного ею зондирующего излучения от длины волны дополнительногоизлучения, фиксируют длины волны1 определяющую спектральное положение перехода величины изменения интенсивности от значения, характерного для подложки, к значению, характерному для эпитаксиального слоя, и по заранее построенной градуировочной кривой определяют толщину эпитаксиального слоя И/.На фиг. 1 изображена эпитаксиальная структура; на фиг. 2 - зависимость...