Способ формования гидратцеллюлозного волокна из медноаммиачных прядильных растворов

Номер патента: 1648255

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Фрэнсиз, Юн-Тай

МПК: D01F 11/08, D06M 13/48

Метки: волокна, модификации, поли(п-фенилентерефталамида

...прочность при сдвиге 30 1 Оф Н/и Контр, без об- работки 26,2Соединение 1 1,0 51,7 Контр. Соединение 1 Ч 1,.0 31,2 Контр. Соединение Ч 1,0 35,8 Пример 1 Контр, без обработки 29,.6 Соединение Е69,2 12,7 мм глубиной. Покрытое смолой волокно сматывают в эти полости, Полости закрывают двумя пластинами и неполностью заворачивают винты, чтобы прикрепить прикрывающие пластины к Форме, Между пластинами и формой помещают 4 прокладки толщиной 3,2 мм,Собранную форму помещают в вакуумную камеру при комнатной температуре 1 О и вакуумируют при разрежении 635 мм рт. ст, .30 мин. Винты затягивают и.отверждают в течение 1 ч при 130 С, затем охлаждают до комнатной температуры. Винты и пластины снимают. Материал 5 разрезают на образцы с одинаковой...

Номер патента: 205372

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Август

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, магнитных, пленок, поля, тонких

...значения к текущему измеряют мгновенное значение результирующего поля вдоль оси легкого намагничивания,В качестве входной величины при измерении предлагаемым способом используется амплитуда составляющей индукции пленки, направленной вдоль трудной оси. Эта величина пропорциональна з 1 пО, где О - угол между направлением намагниченности и легкой осью. Так как поле, приложенное вдоль трудной оси, мало,тох(0) =Аз 1 пб=СН,з 1 пМ где:Н, - амплитуда поля, приложенного вдольтрудной оси;ш - частота этого поля; ное значение поля Нс= й и, в частности, при и= ный способ основан на том, ч ии намагничивания смещением" ( - .) в 1 п 6, сов 6, яп 6 = - з 1 п 8,.1Л Составитель В. М. ЩегловТехред Т. П, Курилко Корректор М. П. Ромашова Редактор...

Номер патента: 207261

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Торотенков

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропией, анизотропии, магнитных, одноосной, пленок, поля, тонких

...поля определяют анизотропию исследуемой пленки.С целью пояснения описываемого способа на чертеже приведена схема устрой:тва для его осуществления.При измерении поля анизотропии вдоль оси легкого намагничивания создают импульсное магнитное поле, меняющееся по знаку, Импульсы магнитного поля должны иметь длиочную для перемагничиватной пленки из насыщенного м направлении в насыщен- противоположном направле207261 Составитель В. Агапов 2 ЬлгОои Типография, пр. Сапунова При дальнейшем увеличении постоянного поля по оси трудного намагничивания вид сигналов с тонкой магнитной пленки принципиально не меняется, уменьшается лишь их площадь и амплитуда за счет меныпего отклонения намагниченности от о и трудного намагничивания импульсами поля по...

Номер патента: 746362

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Мельников, Смаль

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, магнитных, напряженности, пленок, поля, тонких

...Гельмгольца," З 5подключено к выходу генератора 12 прямоугольных импульсов, связанного также со вторым входом блока 7 переключения и через интегрирующий блок 13 свычислительным блоком 9. 4 ОРаботает устройство следующим образом.Тонкую ферромагнитную пленку 14 перемагничивают полем проводника 2 с то.ком от звукового генератора 3. Величи "йу тока звукового генератора выбираюттакай, чтобы магнитное поле, создаваемое этим током, было достаточно для ,поворота вектора намагниченности наугол до ЗОО . Сигнал потока переключе Ония с выхода датчика 4 поступает визбирательный усилитель 5 и детекторб, с выхода которого снимается йостоянное напряжение, пропорциональное амплитуде второй гармойикМсйгналапотока переключения пленки.Общее...

Номер патента: 484530

Опубликовано: 15.09.1975

Авторы: Прокофьева, Пылинина, Шахтарин

МПК: G06G 7/48

Метки: магнитном, моделирования, поле, постоянном, сверхпроводящих, экранов

...с высокой электропроводностью, аналогичные поформе сверхпроводящим, помещают в магнитцое поле высокой частоты,Существо предложения заключается в следующем.В переменное магнитное поле высокой частоты, создаваемое магнитом с обычной, на зпример, медной обмоткой, помещают экраныиз немагнитного, например из меди, материала с высокой электропроводностью. Измеряявеличину напряженности переменного магнитного поля в рабочем объеме, получают в от носительных едцшщах распределение напряженности магнитного поля в сверхпроводящих магнитных системах со сверхпроводящими экрацамц. Эксперимент можно проводить при любой, в частности прц комнатной, температуре, Форму ц размеры экранов из немагнцтцого материала с высокой электропроводностью при нормальной...