Запоминающее устройство

(5 ц 4 611 С 800 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(54) (57) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, содержащее элементы памяти, один вывод каждого из которых соединен со словарной, а другой - с опорной шинами,генератор тока хранения, один вывод которого подключен к опорной шине, а другой - к шине нулевого потенциала, генератор тока разряда и блок разряда, состоящий из двух п-р-п-транзисторов, база,8 О , 1171848 А первого из которых подключена к шине опорного напряжения, а эмиттер второго - к первому выводу генератора тока разряда, второй вывод которого подключен к шине нулевого потенциала, отличающееся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности и повышения быстродействия устройства, в блок разряда введен р-п-р-транзистор, эмиттер которого подключен к опорной шине, коллектор и база - соответственно к базе и коллектору второго п-р-п-транзистора, эмиттер и коллектор первого п-р-п-транзистора подключены соответственно к базе р-п-р-транзистора и к шине питающего напряжения, дополнительный эмиттер второго и-р-п-транзистора подключен к опорной шине.1171848Изобретение относится к вычислительнойтехнике и может найти применение при построении микросхем памяти большой информационной емкости,Цель изобретения - снижение потребляемой мощности и повышение быстродействия устройства.На чертеже изображена электрическаясхема запоминающего устройства.Запоминающее устройство содержитэлементы 1 памяти, один вывод каждого из 10которых соединен со словарной шиной 2, адругой - с опорной шиной 3. Один выводгенератора 4 тока хранения подключен копорной шине 3, а другой - к шине нулевого потенциала. Генератор 5 тока разрядаи блок разряда, который состоит из двухи-р-и-транзисторов 6 и 7, база транзистора6 подключена к шине опорного напряжения, а эмиттер транзистора 6 подключен кпервому выводу генератора 5 тока разряда,второй вывод которого подключен к шиненулевого потенциала. В блок разряда введен р-и-р-транзистор 8, эмиттер которогоподключен к опорной шине 3, коллектор ибаза - соответственно к базе и коллекторувторого и-р-и-транзистора 7, эмиттер и коллектор первого п-р-п-транзистора 6 подключены соответственно к базе р-п-р-транзистора 8 и к шине питающего напряжения, дополнительный эмиттер второго р-и-р-транзистора 7 подключен к опорной шине 3,Запоминающее устройство работает следующим образом. 30 При повышении напряжения на словарной шине 2 выше уровня невыбранной строки через открытое плечо элемента 1 памяти протекает ток заряда емкости опорной шины 3, что приводит к росту напряжения на ней и быстрому включению р-и-ртранзистора 8 и и-р-п-транзистора 7 за счет наличия цепи положительной обратной связи (база транзистора 8 соединена с коллектором транзистора 7, а коллектор тран зистора 7 соединен с базой транзистора 8). Включение транзисторов 8 и 7, приводит к появлению дополнительного разрядного тока, словарной 2 и опорной 3 шин, определяемого генератором 5 тока разряда, При достижении словарной шиной 2 напряжения, равного напряжению невыбранной строки, транзисторы 7 и 8 включаются за счет прекращения тока через переход эмиттер-база р-и-р-транзистора 8, вызываемого превыше. нием напряжения, формируемого на базе р-и-р-транзистора 8 эмиттерным повторителем 6, на базу которого подано постоянное напряжение, равное напряжению на опорной шине невыбранной строки. Это вызывает прекращение коллекторного тока р-и-ртранзистора 8, и, как следствие, прекращение базового тока и запирание и-р-и-транзистора 7. При этом большая скорость запирания обеспечивается протеканием коллекторного тока транзистора 7, задаваемого эмиттерным повторителем 6. Запирание транзисторов 8 и 7 обеспечивает отсутствие постоянного расхода мощности схе-, мы разряда, т. е. снижается потребляемая мощность запоминающего устройства,Для повышения быстродействия по включению разрядной цепи один (или более) дополнительный эмиттер п-р-п-транзистора 7 подключен к эмиттеру п-и-р-транзистора 8,что обеспечивает емкостной ток в базу и-р-и-транзистора 7, при повышении напряжения на опорной шине 3 через емкость обратносмещенного перехода эмиттер-база. Генератор 4 тока хранения обеспечивает протекание постоянного тока через элементы 1 памяти.Таким образом, предлагаемая схема обеспечивает существование повышенного тока разряда емкости ранее выбранной строки только в то время, когда напряжение на словарной и опорной шинах выше, чем напряжение на словарной и опорной шинах невыбранной строки, т. е, только во время переходного процесса, что приводит к снижению потребляемой мощности и повышению быстродействия.Составитель А. Дерючин Редактор С. Патрушева Техред И. Верес Корректор Е. Рошко Заказ 487 /44 Тираж 584 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и оз крытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4