Способ получения бета-полугидрата гипса при вакууме

Номер патента: 80342

Опубликовано: 01.01.1949

Авторы: Елович, Жаброва

МПК: C07C 57/12, C11C 3/12

Метки: гидрогенизации, кислоты, олеиновой, проведения, процесса, путем, селективного, триолеина

...приемами:1) при дроблении пузырьков водорода, поступающего в масло, ло размеров порядка 10 ся" (объем одного пузырька) посредством пропугкания подаваемого водорода через плотные пористые перегородки;2) путем интенсивного перемешнвяння реакционной смеси, т. е. масла, водорода и катализатора;3) применением катализаторов с добавками, обеспечивающими селективнссть процесса гилрировання, как сульфат-иона, сульфнд-нона, сгинца, ртути, мышьяка, железа, фосфора, Фосфдт-иона.Полученный в результате селективной гилрогеннзацнн продукт, состоящий из триолеина с примесью насыщенных кислот, имевшихся в натуральном масле,. в дальнейшем полвергается процессу расщепления принятыми в промышленности способами, в результате чего получается технический...

Номер патента: 950796

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Васильчикова, Клебанов

МПК: C23C 13/12

Метки: вакууме, испарения, конденсации, материалы, нанесения, покрытий, порошковые, путем

...вид сверху.Установка состоит из вакуумной камеры1, испарителя 2, входного бункера-дозатора 3, ссыпного бункера 4, держателя-перемешива теля порошка 5 с нагревателем и виброприводом 6, причем перемешиватель выполнен в виде круглой гибкой мембраны с бортами по периферии и радиальными перегородками 7, расположенными на ее рабочей поверхности от ссыпного отверстия в центре мембраны до периферийного борта. Ссыпное отверстие закрывается конусной пробкой 8, которая при помощи системы рычагов 9 соединяется с механизмом 10 подъема и опускания проб950796 Формула изобретения ребс Сос ан т т НИИПИ Госу по делам 113035, Москва,Филиал ППП Патетавитель Н. Сехред А. Боиираж 1053дарственногоизобретенийЖ - 35, Раунт, г. Ужго нниковаКорректор...

Номер патента: 383983

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: F26B 21/10

Метки: листовых, процесса, сушки, сыпучих, тонких

...влажности.Для этого поддерживают температуру сушильного агента на выходе по линейному закону в зависимости от температуры на входе при постоянных количествах подаваемого материала, агента и скорости их движения в сушилке, что позволяет с высокой точностью стабилизировать конечную влажность материала.Процессом сушки управляют путем изменения температуры входящих газов, а случайное изменение во времени начальной влажности материала играет роль возмущающего воздеиствия.В подобной схеме барабан можно представить с двумя переменными входными величинами и двумя выходными.Начальная влажность материала 1 Ги температура входящих газов г, - входы барабана, а конечная, влажность материала 1 Г, и тем- О пература выходящих газов 1, - его...

Номер патента: 705791

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Высочанский, Папченко, Параска

МПК: C09B 61/00

Метки: красителя, пищевого

...3,1 г/л),50 л экстракта анионируют на Фильтрах, заполненных анионитом ЭдЭ 1 ОП в ОН - форме. Аниониронанный экстракт сбраживают при 15 В в течение 3 сут. Для сбраживания в экстракт вводят 1 разведенных дрожжей рассы Кишиневская 338, Сброженный экстракт фильтруют через фильтр- картон, Очищенный экстракт имеет следующие показатели; КР 11 р 5 г/л; рН,4; спирт 3,2 об. винная кислота 11 г/л, сернистый ангидрид 110 мг/л.Экстракт концентрируют на стендовой вакуум-выпарной установке. Кон-. центрирование проводят при 45 ОС при вакууме 6 80 мм рт .ст . Процесс упаривания осущестнляют в герметической системе с улавливанием спирта, При этом отбирают головные Фракции конденсата, содержащие наибольшее количество спирта. В результате...

Номер патента: 1019965

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Кухта, Ормонт

МПК: H01L 21/263

Метки: адгезии, металлических, пленок, подложкам, тонких, увеличения

...золота толщиной 40 нм напыляют на кремний (материал наиболее широко применяеьвй втвердотельной электронике) маркиКЭФ 0,3, а затем различные ее участ-ки размером 200 х 200 мкмжд облучаотсяпучком электронов с энергией .25 кэВдо различных доз в диапазоне от10 до ОК/см . Диаметр элект 20 ронного пучка равен 2 мкм. Облучениеучастков размером 200 х 200 мкм ведется в режиме строчного сканирования, Ток пучка равен 210 А. Разогрев кремниевой подложки в месте25 падения пучка по расчету не превышает 1 К. Изменение адгезии, связанноес электронным облучением, измеряется широко известным методом царапания иглой. В измерениях применяетсяЗО стальная игла с радиусом острия30 мкм.Результаты измерений показывают,что резкое повышение адгезиив- 800 раз...