Микроконоскоп

Номер патента: 1725945

Опубликовано: 15.04.1992

Автор: Бакум

МПК: B01D 9/02

Метки: выделения, кристаллов, солей

...раствора и жидкого агента (этот уровень ус; танавливают выше уровня ввода патрубка с вентилем 20). Кристаллы соли, отделенные от рассола, с жидким агентом перемещаются шнеком 7 (обороты шнека малые, 8 - 10 об/мин, не препятствующие осаждению кристаллов соли) в цилиндрическую часть корпуса 1. Здесь кристаллы уплотняются, а первая и основная часть жидкого агента при этом выдавливаются через перфорацию поверхности 17 в отстойник 2. Так как отстойник 2 выше поверхности 17 укорочен до уровня кармана 10 на длину, равную глубине, на которую введена цилиндрическая часть корпуса в отстойник, то поток выдавливаемого через перфорированную поверхность 17 жидкого агента не препятствует Оседанию кристаллОв соли, подаваемых в составе суспензии через...

Номер патента: 1810402

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Кожевников, Колесников

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллов, оптически, прозрачных, селенида, цинка

...к низуТребуемый для проведения отжига по кристалла 3 град/см и скорости сниженияпредлагаемому способу интервал темпера- температуры 26 град/ч так, что по окончатур верха кристалла в начальный момент 5 нии отжига температура верха кристалла соотжига 1240 - 1280 С выбран эксперимен- ставляет 650 С. Получен кристалл селенидатально и соответствует температуре верха цинка с коэффициентом поглощения излукристалла по окончании его выращивания. чения свето ИК-уиапазона с длиной волныПри начальной температуре свыше 1280 С 10,6 мкм 1,3 10 см .происходит термическое травление верх Дополнительные примеры приведены вней части образца за счет испарений селе-таблице (строки 1 - 8).нида цинка, что ведет к неоправданным...

Номер патента: 209458

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Мельников, Саблина, Хаскин

МПК: C07F 9/54

Метки: 4l-дипиpидилия, nl-диaлkиj-4, бис(фосфатов, диtиoфocфatob, тиофосфатов

...ладающих гербицид осфорной, тиофосфо й кислот подверга -дипиридилом. Составитель Э. Рамзова Редактор Л. А. Ильина Техред Л, Я. Бриккер Корректоры: А, П. Татаринцева и Н, В. БосняцкаяЗаказ 2104/3 Тираж 530 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4Типография, пр. Сапунова, 2 растворяют в 20 мл воды, нерастворимую в воде часть эистрагируют трижды по 20 мл эфира, а водный раствор упаривают в вакууме. В остатке получают брис(0-метил-этилтиофосфат) г 4,1 Ф-диметил,41-дипиридилия с выходом 60% и т. пл. 78 С (с разл.).С 18 Н 301 Ц 200 Р 232Найдено, О/О: М 5,82; 5,53.Вычислено, /О. Х 5,66,П р и м е,р 3, Смесь 0,2 моль 0,0-диметил- этилдитиофосфата и 0,05 моль...

Номер патента: 559901

Опубликовано: 30.05.1977

Авторы: Березин, Ватутин, Гончарова, Илюхин, Карпенко, Малкин, Мурлычев

МПК: C01G 9/02

Метки: окиси, цинка

...ч 2 стн пеп у ОснОВанпя керами чсской насадки. Ооразуюгцнсс 51 п 21 зы цинкаЗаказ 1383/13 Изд.486 Тираж 671 Подписное Ц 1.1 ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, )К, Раушская наб., д. 4/5Типограия, пр. Сапунова, 2 проходят сквозь керамическую насадку и попадают в зону воздушного окисления.Парциальное давление паров цинка в пределах 0,1 - 11,0 мм рт. ст. в суммарном объеме газов в рабочем объеме печи - природного газа, первичного воздуха, используемого при сжигании углеводородного топлива, и вторичного воздуха, идущего на окисление, определяется скоростью испарения цинка с поверхности расплава и регулируется при заданном расхо,де вторичного воздуха изменением скорости весовой...

Номер патента: 1804618

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Дмитриев, Зезин, Концевой, Храброва, Шемиот

МПК: G01N 25/18

Метки: алмаза, алмазных, кристаллов, теплопроводности

...55 Ь 0=1 э а ЬО,1 э - ток эмиттера транзистора;а- коэффициент передачи по току транзистораа;ЛО - изменение напряжения на коллекторе транзистора, измеряемое измерительным прибором (16 на фиг. 3).Тепловое сопротивление тракта междуэмиттером транзистора-нагревателя и датчикомтемпературы 6 равно увеличивается. В соответствии с этим увеличивается коллекторное напряжение ЧТ 1 до значения, при котором уходящий поток тепла компенсируется приростом мощности 5 рассеяния тепла на коллекторе, изменениетемпературы транзистора уменьшается и она устанавливается на первоначальном уровне. Прирост напряжения на коллекторе транзистора измеряется измерительным 10 прибором(16 на фиг. 3).Транзистор ЧТ 4 находится в механической и тепловой связи с теплоотводом...