Электронно-лучевая трубка с памятью

Номер патента: 879672

Опубликовано: 07.11.1981

Автор: Кутенин

МПК: H01J 9/12

Метки: вторичной, коэффициента, неравномерности, электронной, эмиссии, эмиттера

...чего определяют неравномерность КВЭЭ Ф из следующего соотношения:б О-Огде С - КВЭЭ при облучении всей поверхностиО - максимальный, а б - минимальный КВЭЭ.Для эмиттеров с отрицательным электронным средством (ЭОС) неоднородность КВЭЭ Ф определяют из соотношения 0-ф щ ,б(В эффективных эмиттерах разница между участками с максимальным и )минимальным КВЭЭ может быть значительной. Поэтому справедливо предположить, что существуют две группы поверхнОстей 6,( и 62 с резко отличающимися КВЭЭ О и 62 соответственное Тогда 5 Я+ Бд и б б + бяСуммарный йоток первичных электронов 3 состоит из первичных элект ронов, падающих на поверхностьр.,-3( и из первичных электронов, падающих на поверхность 32- (". Эти потоки вызывают соответственно потоки вто и...

Номер патента: 1518745

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Броздниченко, Кудряш, Хинич

МПК: G01N 23/22

Метки: вторичной, металла, порога, электронной, эмиссии

...вторичной электронной эмиссии;х - эффективное электронное сродэфство 10Е; - энергия вторичных электронов 3д; - количество вторичных электронов, выходящих в вакуумс энергией Е 15Способ осуществляют следующим образом.Мишень, изготовленную из поликрис - таллической вольфрамовой фольги тол - шиной 0,1 мм, тщательно обезгаживают 20 в вакууме -10 Торр при температуре 2500 К. Измерения проводят в приборе типа квазисферического конденсагора с антидинатронной сеткой. Источником электронов служила элекгронная 25 пушка с прямонакальным вольфрамовым катодом. Распределение вторичных электронов по энергиям получали методом электрического дифференцирования кривых задержки вторичного тока и за писывали на двухкоординатном самописце.х...

Номер патента: 1075331

Опубликовано: 23.02.1984

Автор: Коляда

МПК: H01J 49/26

Метки: вторичной, ионно-ионной, компонент, коэффициентов, образца, полупроводникового, эмиссии

...измерения коэффициентов ВИИЭ компонент образца из полу. проводникового материала.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу определения коэффициентов вторичной ионно-ионной эмиссии компонент образца из полупроводникового материала, в котором производят ионную и температурную очистку поверхности образца в условиях высокого вакуума, напускают активный по отношению к поверхности образца газ и измеряют токи первичных и вторичных ионов, проводимость поверхности образца поддерживают заданной путем изменения температуры в диапазоне, в пределах которого происходит адсорбция активного газа.Активность поверхности полупроводников по отношению к газовой среде тесным образом связана с электронной структурой его поверхности и с ее...

Номер патента: 1078502

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Коляда, Нагорная, Черепин

МПК: H01J 49/26

Метки: вторичной, значения, ионно-ионной, компонент-поверхности, коэффициентов, относительного, твердых, тел, эмиссии

...при постоянном значении тока ионов первичного пучка ионное легирование производят тем же пучком первичных ионов с энергией, превышающей энергию ионов первичного пучка при распылении, при этом длительность масс-анализа устанавливают больше времени прекращения спада тока вторичных ионов с массой, соответствующей массе ионов первичного пучка.На фиг. 1 - 4 представлены варианты масс-спектров и временные зависимости токов (в.и.и.э.).При проведении масс-анализа происходит распыление ионнолегированного слоя, поэтому в спектре в.и.и.э., снятом в момент времени 0 ТсТ, наблюдаются вторичные токи компонент А (пики А, А, Аз, А 4) и вторичный ток 1-, который складывается из двух составляющих - вторичного тока 1 от ионов первичного пучка, легирующих...

Номер патента: 1211645

Опубликовано: 15.02.1986

Авторы: Васильев, Коляда, Нагорная, Черепин

МПК: G01N 27/62, H01J 49/26

Метки: вторичной, ионной, компонентов, коэффициентов, образца, эмиссии

...очиЗ 5 щают поверхность от загрязнений,возникающих при контакте поверхности образца с окружающей средой впроцессе пробоподготовки и вакуумирования. После этого с помощью на гревателя с источником питания произ.водят кратковременный 1-2 минразогрев до 800 С для термическогообезгаживания поверхности образца.После остывания образца в камеру 45 напускают из баллонов с редукторамиактивную по отношению к железу газовую смесь - водород и азот, устанавливая парциальные давлениясоответственно 9 1 О и 3 10 Па.50 Выбор в качестве активного газаазотно-водородной смеси обусловлентем, что в зависимости от темпеО 15 20 25 ния определяется по значению токавторичных ионов в реперной (экстремальной) точке.Тип соединения опреде:,лением активного...