Способ детектирования атомарного кислорода

Номер патента: 1793335

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Горелова, Дорофеев, Майоров, Милинчук, Перцин, Скурат

МПК: G01N 17/00

Метки: атомарного, взаимодействия, исследования, кислорода, поверхностью

...тем, что в последнем случае на поверхность полиимида наряду сатомарным кислородом действует молекулярный кислород, который реагирует со свободными радикалами, созданными при.соударении с поверхностью атомов кислорода, Поэтому для правильного моделирования воздействия потоков атомарногокислорода необходимо исключить воздействие молекулярного кислорода.В качестве прототипа взят способ определения стойкости материалов к атомарному кислороду, в котором источникоматомарного кислорода служит УФ-фотодиссоциация молекулярного кислорода, нахо дящегося в реакционной камере, Как и впервом способе, образец экспонируется вреакционной камере в продуктах фотодиссоциации,Однако данный способ обладает темиже недостатками, что и предыдущие способы,Целью...

Номер патента: 1817617

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Базыленко, Гулевич, Державская, Родин

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, полупроводниковых, слоев, структур, сухого, травления

...(по абсолютной величине), соответствует моменту начала вскрытия поверхности, находящейся под слоем (нижележащей) структуры. При вскрытии всей немаскированной поверхности нижележащей структуры сигнал стабилизируется, что соответствует моменту окончания травления, Очевидно, отрезок времени между началом роста первой производной сигнала и моментом окончания травления слоя равен времени вскрытия поверхности нижележащей структуры. Это время может быть получено следующим образом. К моменту вскрытия поверхности нижележащей структуры в месте на пластине с максимальной скоростью травления в месте с минимальной скоростью травления толщина остатка слоя составляетЛЬ = (Ч.-Ч.) 1. (1) где Ч, Ч, - максимальная и минимальная скорости травления...

Номер патента: 380684

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Глобус, Китаев, Кондратьева

МПК: H01L 31/0296

Метки: подложках, свинца, слоев, состав, сульфида, фоточувствительных

...концентрацией 3 - б м/л. Недостатеси состава заключаются в том, что щелочи не удается получать нужной чи стоты, а гидразин дорог и токсичен.Г 1 редложенный состав отличается тем, что в качестве щелочного агента используют аммиак концентрацией 2,0 - 2,5 лг/л, а для улучшения фоточувствительности слоев - добавки 20 гидразина концентрацией 0,5 - 1,0 м/л. Это позволяет удешевить производство фоточувствительных слоев сернистого свинца и снизить токсичность состава.Осаждеееие слоев сульфида свинца с высокой фоточувствительностью из ванн, содержащих гидразин, сопровождается образованием частично дегидратированного основного ацетата свинца 2 РЬО РЬЛсг . Н;О, который, явля ясь кислородсодержащей примесью, отезультате чего цианампд свинца образв...

Номер патента: 447667

Опубликовано: 25.10.1974

Авторы: Глобус, Гольденвейзер, Тикунов, Шитиков

МПК: G03C 1/74

Метки: методом, нанесения, подложку, светочувствительного, свинца, сернистого, слоя, химическим

...защиты .обслуживающего персонала состоит иэ реактора 7, крышки с пластинодержателем 8, мешалки 9, расположенной в реакторе, фиксирующего механизма 10, индуктора 11, конденсатора высокочастотного генератора 12, стационарной части 13 биологической зашиты, кожуха 14 подвижной части биологической защиты, приспособления 15 для подъема кожуха 14, штуцеров 16 для подачи растворов из дозаторов 2, привода 17мешалки 9, температурного датчика 18 для контроля температуры нагрева растворов, слитых в реактор 7, н датчика для контроля наличия реактора в индукторе 1 1.Устройство работает следующим образом,Исходные растворы, предназначенныедля нанесения фоточувствительного слоясернистого свинца на подложки, напримеркварцевые, заливаются в емкости 1, из...

Номер патента: 631017

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: H01L 21/268

Метки: алмазоподобных, инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

1. Способ получения инверсных слоев в алмазоподобных полупроводниковых материалах путем воздействия на них импульсами лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности управления концентрацией носителей заряда, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 400 МВт/см2 при длительности импульса от 10-1 до 10-9 с.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения в антимониде индия концентрации доноров от 1015 до 1018 см-3, воздействие лазерным излучением осуществляют импульсами с плотностью мощности от 6 до 56 кВт/см2 при длительности...